公开(公告)号：CN119725313A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411349803.8

申请日：2024-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵奇迎 ,  金尚元 ,  金载洹 ,  申铉振 ,  V·L·阮 ,  李昌锡

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及互连结构体、其制造方法、以及包括其的电子设备。公开了互连结构体，所述互连结构体包括基底、在所述基底上的导电层、以及与所述导电层接触的钝化层，其中所述钝化层包括：包括具有六方晶体结构的氮化硼(h‑BN)的第一层和包括非晶氮化硼(a‑BN)的第二层，并且所述第一层与所述导电层接触。

公开(公告)号：CN109830548B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201810538676.4

申请日：2018-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  G01S17/08

Abstract: 具有小形状尺寸并相对于可见光和红外线两者具有高探测效率的一种光电探测器可以包括第一电极、在第一电极上的收集层、在收集层上的隧道势垒层、在隧道势垒层上的石墨烯层、在石墨烯层上的发射层以及在发射层上的第二电极。该光电探测器可以被包括在图像传感器中。一种图像传感器可以包括基板、在基板上的绝缘层和在绝缘层上的多个光电探测器。光电探测器可以在平行于或垂直于绝缘层的顶表面延伸的方向上彼此对准。光电探测器可以被包括在LiDAR系统中。

公开(公告)号：CN109254499B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201810756231.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  金尚元 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李润姓 ,  郑盛骏 ,  A.郑

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/00

公开(公告)号：CN116960106A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310469579.5

申请日：2023-04-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 崔太镇 ,  金玟秀 ,  申铉石 ,  申铉振

IPC: H01L23/532 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0216 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及纳米晶氮化硼膜、图像传感器、和电场效应晶体管。公开了具有相对低的介电常数和优异的机械性质的纳米晶氮化硼膜。所述纳米晶氮化硼膜包括具有在5nm至100nm范围内的尺寸的多个纳米晶氮化硼晶体，所述纳米晶氮化硼膜在100kHz工作频率下具有在2.5至5.5的范围内的介电常数，和所述纳米晶氮化硼膜具有1GPa至10GPa的硬度。

公开(公告)号：CN114188305A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111031346.4

申请日：2021-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林炫锡 ,  赵玟赫 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  山本薰 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  郑根吾

IPC: H01L23/532 ,  H01L29/45 ,  H01L27/108 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种布线结构和包括该布线结构的半导体器件。该布线结构包括在衬底上的包括掺杂多晶硅的第一导电图案、在第一导电图案上的包括金属硅化物的欧姆接触图案、在欧姆接触图案上的包括金属硅氮化物的防氧化图案、在防氧化图案上的包括石墨烯的扩散阻挡物、以及在扩散阻挡物上的包括金属的第二导电图案。

公开(公告)号：CN114121781A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110569591.4

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  申建旭

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供形成碳层的方法和形成互连结构的方法。形成碳层的方法包括：提供包括第一和第二材料层的基板；在第一和第二材料层的至少一个上形成表面处理层；以及在第一材料层和第二材料层之一上选择性地形成碳层。所述碳层具有sp2键合结构。

公开(公告)号：CN106067542B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201510761655.5

申请日：2015-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/583 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及负极材料、包括其的二次电池、及它们的制造方法。实例实施方式涉及电极材料、包括所述电极材料的二次电池、以及制造所述电极材料和所述二次电池的方法。电极材料可包括具有多个孔的泡沫结构体和设置于所述多个孔中的多个纳米结构体。所述泡沫结构体可包括石墨烯泡沫结构体。所述多个纳米结构体可包括纳米颗粒和纳米棒的至少一种。所述多个纳米结构体可包括能够容纳/放出离子的材料。所述电极材料可用作二次电池的负极材料。

公开(公告)号：CN112442734A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010787644.5

申请日：2020-08-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  马庆烈

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及六方氮化硼、其制造方法及电子器件和半导体器件。在此公开了一种制造六方氮化硼的方法，其中六方氮化硼被外延地生长。一种制造六方氮化硼的方法包括：将催化金属放置在腔室中，该催化金属具有六方晶体结构并与腔室中的六方氮化硼(h‑BN)具有15％或更小的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到腔室中的同时，在800℃或更低的温度下在催化金属上生长六方氮化硼。

公开(公告)号：CN111863935A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010160689.X

申请日：2020-03-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 赵常玹 ,  梁喜准 ,  申铉振 ,  郑守君

IPC: H01L29/06 ,  H01L47/00 ,  G01D5/14

Abstract: 谐振隧穿器件和使用其检测物理特性的方法。一种谐振隧穿器件包括：第一二维半导体层，包括第一二维半导体材料；在第一二维半导体层上的第一绝缘层；以及第二二维半导体层，在第一绝缘层上并且包括与第一二维半导体材料相同种类的第二二维半导体材料。

公开(公告)号：CN106065466B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201610258537.7

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  申铉振 ,  朴晟准

IPC: C23C16/30

Abstract: 提供用于层状过渡金属硫属化合物层的组合物及形成层状过渡金属硫属化合物层的方法。所述组合物包括选自由式1表示的过渡金属前体和由式1d表示的过渡金属前体的至少一种，和由式2表示的硫属前体。其中，在式1中，M、R1、R2、a、b、和c与具体实施方式中定义的相同，其中，在式1d中，M、R1和d与具体实施方式中定义的相同，和其中，在式2中，M'和X与具体实施方式中定义的相同，[式1]Ma(R1)6‑b‑c(H)b(R2)c[式2]M'kX2[式1d]M(R1)d。