公开(公告)号：CN110931456A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910859270.0

申请日：2019-09-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹镇 ,  徐训硕 ,  安商燻 ,  韩奎熙

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括：衬底，包括有源图案；第一层间介电层，位于所述衬底上，所述第一层间介电层在其上部部分上包括凹槽；以及下部连接线，位于所述第一层间介电层中，所述下部连接线电连接到所述有源图案，且所述下部连接线包括导电图案及阻挡图案，所述第一层间介电层的所述凹槽选择性地暴露出所述导电图案的顶部表面，所述阻挡图案位于所述导电图案与所述第一层间介电层之间，所述第一层间介电层覆盖所述阻挡图案的顶部表面。

公开(公告)号：CN110711738A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910118974.2

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼亨 ,  刘钒镇 ,  南象基 ,  路四清 ,  张原赫 ,  韩奎熙

IPC: B08B3/08 ,  B08B3/10 ,  B08B7/00 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46

Abstract: 提供了一种等离子体发生器、清洗液处理设备和处理方法、清洗设备。该清洗液处理设备包括：气泡形成部，被构造为降低通过使液体和气体混合获得的混合液体的压力，以在混合液体中形成气泡；等离子体发生器，连接到气泡形成部并且被构造为向混合液体施加电压以在形成在混合液体中的气泡中形成等离子体；混合部，连接到等离子体发生器并且被构造为使包括在等离子体中的自由基溶解到混合液体中；以及排出喷嘴，连接到混合部并且被构造为将混合液体排出到晶圆。

公开(公告)号：CN106340441B

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201610256448.9

申请日：2016-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵南振 ,  金延泰 ,  朴基寿 ,  崔殷硕 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54

Abstract: 本公开提供了一种薄膜形成装置和形成半导体器件的方法。该薄膜形成装置包括注射器，该注射器包括：分配器，包括连接到第一进气口的第一分配部分以及连接到第二进气口的第二分配部分；以及引导件，连接到分配器，该引导件包括连接到第一分配部分的第一出口以及连接到第二分配部分的第二出口，其中第二出口设置在第一出口上方。

公开(公告)号：CN110299282A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910116607.9

申请日：2019-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔虎燮 ,  金旼亨 ,  刘钒镇 ,  张原赫 ,  方政民 ,  韩奎熙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种清洁基底的方法，一种用于清洁基底的设备以及一种使用该清洁基底的设备制造半导体器件的方法。所述清洁基底的方法可以包括：在湿工艺中对基底进行清洁；将超临界流体提供到基底上以从基底去除湿气；以及在干工艺中对基底进行清洁以从基底去除由超临界流体产生的缺陷颗粒。

公开(公告)号：CN110275389A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201811327993.8

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校 ,  产学协力团

Inventor： 朴珍 ,  南象基 ,  韩奎熙 ,  金进玉 ,  朴镇弘 ,  刘光渭

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。

公开(公告)号：CN105229570A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201480014071.5

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李宇镛 ,  韩奎熙 ,  朴珖圭 ,  全成俊

IPC: G06F3/01

CPC classification number: G06F3/013 ,  G06F1/3212 ,  G06F1/3231 ,  G06F1/325 ,  G06F3/012 ,  G06F3/0304 ,  Y02D10/173 ,  Y02D10/174

Abstract: 提供了用于更高效地控制电子设备的屏幕显示的屏幕显示控制方法。一种屏幕显示控制方法包括：确定相机的分辨率；使用以所确定的分辨率操作的相机来识别用户的面部；以及基于所述面部来控制电子设备的屏幕显示。

公开(公告)号：CN103681600A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310399888.6

申请日：2013-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎熙 ,  安商燻

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了集成电路器件、半导体器件及其制造方法。该集成电路器件包括：间隔开的导电图案，在基板表面上；支撑图案，在导电图案中的相邻导电图案之间的基板表面上并且通过相应间隙区而与导电图案分离。导电图案中的相邻导电图案远离基板表面延伸而超过在其间的支撑图案的表面。盖层被提供在导电图案的相应表面上和支撑图案的表面上。