公开(公告)号：CN119905471A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202411051376.5

申请日：2024-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  黄东勋 ,  郭玟灿

IPC: H01L23/485 ,  H10D84/83

Abstract: 一种半导体器件可以包括：通路图案，该通路图案连接到位于衬底上的导电图案，并且包括堆叠在下通路图案上的下通路图案和上通路图案；以及布线线路，该布线线路连接到上通路图案并且在第二方向上延伸。布线线路可以包括与上通路图案相同的金属。布线线路的底部宽度可以大于布线线路的顶部宽度。下通路图案的顶面的宽度可以等于上通路图案的底面的宽度。

公开(公告)号：CN119730366A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410797263.3

申请日：2024-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵敬熙 ,  黄东勳 ,  金孝珍 ,  文炳镐 ,  崔道永

IPC: H10D84/83 ,  H10D62/10

Abstract: 公开了集成电路器件。所述集成电路器件包括：第一鳍和第二鳍，在基底的第一区域上在第一水平方向上延伸；第三鳍和第四鳍，在基底的第二区域上在第一水平方向上延伸；连接栅极线，至少部分地围绕第一沟道区域和第二沟道区域；以及分离栅极线，包括第一分离部分和第二分离部分，第一分离部分至少部分地围绕第三沟道区域，第二分离部分至少部分地围绕第四沟道区域，其中，分离栅极线的顶表面的最上部分在第一竖直高度处，并且连接栅极线的顶表面的最上部分在比第一竖直高度高的第二竖直高度处。

公开(公告)号：CN118825019A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410228883.5

申请日：2024-02-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄东勋 ,  金孝珍 ,  文炳镐 ,  姜明一 ,  朴雨锡 ,  全在镐

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括有源图案；第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，其与有源图案重叠；分离绝缘层，其在第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间；以及第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极通过分离绝缘层插置在其间而彼此间隔开。分离绝缘层的顶表面的水平高度高于第一栅电极的顶表面的水平高度和第二栅电极的顶表面的水平高度。

公开(公告)号：CN118782609A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202311506578.X

申请日：2023-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  黄东勋 ,  黄寅灿

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08

Abstract: 一种三维(3D)半导体器件包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；下有源区，在衬底的第一表面上，下有源区包括彼此电连接的下沟道图案和下源/漏图案；上有源区，在下有源区上，上有源区包括彼此电连接的上沟道图案和上源/漏图案；坝状图案，从下源/漏图案竖直地延伸到上源/漏图案；下有源接触部，电连接到下源/漏图案；上有源接触部，电连接到上源/漏图案；以及竖直过孔，沿坝状图案竖直地延伸以将下有源接触部电连接到上有源接触部。

公开(公告)号：CN110620150B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201910412594.X

申请日：2019-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东宇 ,  金度希 ,  金孝珍 ,  文康薰 ,  李始炯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：多个有源鳍，所述多个有源鳍在衬底上；栅电极，所述栅电极与所述多个有源鳍交叉；以及源/漏极区，所述源/漏极区在所述多个有源鳍上，并在所述栅电极的第一侧和第二侧延伸。所述源/漏极区包括在所述多个有源鳍中一些上的多个下外延层。所述多个下外延层包含具有第一浓度的锗(Ge)。上外延层在所述多个下外延层上并且包含具有高于所述第一浓度的第二浓度的锗。所述多个下外延层具有凸的上表面，并且在所述有源鳍之间彼此连接。

公开(公告)号：CN118053894A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311492014.5

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝珍 ,  金真范 ,  李商文 ,  金东宇 ,  金成玟 ,  南勇准 ,  黄仁建

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，在基底上在第一方向上延伸；沟道层，布置在有源图案上；栅极结构，与有源图案交叉并且围绕所述多个沟道层，栅极结构在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及源极/漏极区，在栅极结构的两侧设置在有源图案上并且包括第一外延层和第二外延层，第一外延层连接到多个沟道层的侧表面中的每个，第二外延层设置在第一外延层上并且具有与第一外延层的组成不同的组成。所述多个沟道层的侧表面中的每个具有(111)晶面或(100)晶面。第一外延层在第二方向上延伸并且在第一方向上具有基本上恒定的第一厚度。

公开(公告)号：CN117878118A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202311314239.1

申请日：2023-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄东勋 ,  黄寅灿 ,  金孝珍

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种半导体装置包括：第一下纳米片；在第一下纳米片上的上隔离层；在上隔离层上的第一上纳米片；在第一上纳米片上的第一上源极/漏极区域；在第一上纳米片上的第二上源极/漏极区域；第一栅电极，其围绕第一下纳米片、上隔离层和第一上纳米片；第一栅极切口，其在第一栅电极的一侧并且从第一栅电极的下表面延伸到第一栅电极的上表面；第一通孔件，其在第一栅极切口内并且与第一栅电极绝缘；第一上源极/漏极接触件，其在第一上源极/漏极区域上并电连接到第一上源极/漏极区域；以及第二上源极/漏极接触件，其在第二上源极/漏极区域上并且将第二上源极/漏极区域与第一通孔件电连接。

公开(公告)号：CN115911044A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210442733.5

申请日：2022-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴范琎 ,  金孝珍 ,  姜明吉 ,  金真范 ,  李商文 ,  金洞院 ,  赵槿汇

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：有源图案，设置在衬底上并且沿第一方向延伸；一对源/漏极图案，设置在有源图案上并且在第一方向上彼此间隔开；多个沟道层，在一对源/漏极图案之间在有源图案上竖直地堆叠并且彼此间隔开；栅电极，在一对源/漏极图案之间沿第二方向延伸，栅电极设置在有源图案上并且围绕多个沟道层，并且第二方向与第一方向相交；以及栅极间隔物，设置在多个沟道层之间并且设置在栅电极与一对源/漏极图案之间。栅极间隔物包括交替地堆叠在一对源/漏极图案的侧壁上的多个第一间隔物图案和多个第二间隔物图案。

公开(公告)号：CN108933165A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810513295.0

申请日：2018-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘贤琯 ,  金孝珍 ,  河龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：鳍型图案，其形成在衬底上并包括由沟槽限定的第一侧壁和第二侧壁；场绝缘膜，其与第一侧壁和第二侧壁接触放置并填充沟槽；以及外延图案，其形成在鳍型图案上并包括第一外延层和形成在第一外延层上的第二外延层。

公开(公告)号：CN102982759A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210321663.4

申请日：2012-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车致镐 ,  李相圭 ,  李贤哲 ,  金锺善 ,  金孝珍 ,  李学成 ,  印承镇 ,  崔铉准

IPC: G09G3/20 ,  G06F3/14

CPC classification number: G09G5/006 ,  G06F1/3265 ,  G09G5/12 ,  G09G5/18 ,  G09G5/36 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  G09G2330/12 ,  G09G2360/10 ,  G09G2360/18 ,  G09G2370/04 ,  G09G2370/10

Abstract: 本发明提供了一种显示驱动器的操作方法，包括步骤：通过计数与从主机接收的同步数据包相关的同步信号的周期产生计数值；从所述主机接收模式改变命令，所述模式改变命令指示从视频模式到命令模式的改变，所述视频模式绕过帧存储器将第一图像数据传送到显示器，所述命令模式通过帧存储器将第二图像数据传送到显示器；以及，在产生所述同步信号的最后脉冲之后基于所述模式改变命令使用所述计数值产生内部同步信号，所述内部同步信号的周期与所述同步信号的周期实质上相等。所述最后脉冲与所述内部同步信号的第一脉冲之间的时间间隔等于所述同步信号的周期。