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公开(公告)号：CN103794716A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310532721.2
申请日：2013-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供了磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：下磁性图案，沿着彼此正交的第一方向和第二方向布置在基板上；上磁性层，覆盖下磁性图案中的沿着第一方向布置的至少两个下磁性图案和下磁性图案中的沿着第二方向布置的至少两个下磁性图案；以及隧道阻挡层，在下磁性图案和上磁性层之间。
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公开(公告)号：CN1691330A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067019.9
申请日：2005-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L27/108 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/10817 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10876
Abstract: 本发明的实施例包括利用具有基于沟槽的栅电极的场效应晶体管的动态随机存取存储器(DRAM)器件。在这些器件中，提供其中具有隔离槽的半导体衬底。在半导体衬底的第一部分中形成该隔离槽。在隔离槽的底部和侧壁上设置电绝缘里衬。隔离槽还用场氧化区填充，场氧化区在电绝缘里衬上延伸。在半导体衬底中还设置场效应晶体管。该晶体管包括半导体衬底的第二部分中的栅电极沟槽，以及内衬栅电极沟槽的底部和侧壁的栅绝缘层。在栅电极沟槽中设置了栅电极。栅电极接触隔离槽和栅绝缘层中的电绝缘里衬。源区和漏区在半导体衬底中延伸并邻近栅电极。
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公开(公告)号：CN110416210B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201910206680.5
申请日：2019-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L23/528 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。
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公开(公告)号：CN109216350B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201810549261.7
申请日：2018-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴钟撤
Abstract: 一种半导体器件包括位于衬底上方并在第一方向上延伸的第一隔离线。第二隔离线位于第一隔离线上方并在第二方向上延伸，第二方向垂直于第一方向以在与衬底的上表面平行的平面上具有直角。第一导电线设置在第一隔离线之间。第一导电线与衬底间隔开。第二导电线设置在第二隔离线之间。第一数据存储图案设置在第一隔离线之间。第一数据存储图案位于第一导电线上方。第二数据存储图案设置在第二隔离线之间。第二数据存储图案位于第二导电线上方。第三导电线位于第二隔离线上方并在第一方向上延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115692421A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210470252.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一有源图案和第二有源图案；栅电极，包括位于所述第一有源图案上的第一栅电极和位于所述第二有源图案上的第二栅电极；栅极切割图案，位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；栅极间隔物，位于所述栅电极的相对的侧表面上；以及栅极覆盖图案，位于所述栅电极的顶表面、所述栅极切割图案的顶表面和所述栅极间隔物的顶表面上并且在所述第一方向上延伸。所述栅极切割图案包括在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此相对的第一侧表面和第二侧表面。所述第一侧表面和所述第二侧表面与所述栅极间隔物中的相应的栅极间隔物接触，并且所述栅极切割图案的所述顶表面比成对的所述栅极间隔物的所述顶表面更靠近所述衬底。
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公开(公告)号：CN114334962A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111110486.0
申请日：2021-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/77 , H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件，包括：位于衬底上的器件隔离层；图案组，包括在第一方向上延伸的鳍图案；以及栅结构，在第二方向上延伸以与鳍图案相交。图案组中的第一图案组可以包括第一鳍图案。第一鳍图案的至少一部分可以在第二方向上以第一间距布置。第一图案组可以包括从第一凹陷部延伸的第一平坦部。第一凹陷部的中心轴可以在第二方向上与第一鳍图案中的一个的中心轴间隔开第一距离。第一平坦部可以在第二方向上具有第一宽度，第一宽度大于第一间距。第一距离可以是第一间距的约0.8倍至约1.2倍。
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公开(公告)号：CN105632915B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201510822241.9
申请日：2015-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L43/12 , H01J37/30
Abstract: 本公开提供了形成图案的方法、形成磁存储器件的方法及离子束设备。一种图案形成方法包括以第一入射角提供第一离子束以及以第二入射角提供第二离子束到形成于基板上的蚀刻目标层的表面。图案通过采用第一离子束和第二离子束图案化蚀刻目标层而形成。第一离子束和第二离子束相对于垂直于基板的顶表面的法线彼此实质上对称。第一入射角和第二入射角的每个大于0度并小于通过从90度减去预定角度获得的角度。
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公开(公告)号：CN109841728A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811432213.6
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/08
Abstract: 一种磁存储器件包括在衬底上的下部层间绝缘层、以及多个磁隧道结图案，所述多个磁隧道结图案在下部层间绝缘层上并在平行于衬底的顶表面延伸的方向上彼此隔离。下部层间绝缘层包括上表面，该上表面包括凹入表面和顶表面，凹入表面至少部分地限定相邻磁隧道结图案之间的凹陷区域的内侧壁和底表面，使得凹入表面至少部分地限定该凹陷区域。所述内侧壁相对于衬底的顶表面以锐角倾斜，并且所述底表面具有在垂直于衬底的顶表面延伸的方向上朝向衬底的顶表面凸起的形状。
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公开(公告)号：CN109148508A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810152082.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/126 , H01L27/224 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1683 , H01L27/2481 , G11C11/161 , G11C13/0002 , H01L27/222 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供了一种存储器件及其制造方法。一种存储器件包括：第一导线；第二导线，所述第二导线沿与所述第一导线相交的方向延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述交叉点处。所述存储单元柱可以包括加热电极层和接触所述加热电极层的电阻式存储层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部和体存储部，所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，所述体存储部连接到所述楔形存储部，使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。
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