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公开(公告)号：CN101473444B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200780022377.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 半导体器件可以包括由以下化学式(1)表示的作为有源层的复合物，化学式1为x(Ga2O3)·y(In2O3)·z(ZnO)，其中约0.75≤x/z≤约3.15且约0.55≤y/z≤约1.70。通过调整与氧化锌(Zn)混合的氧化镓(Ga)和氧化铟(In)的含量并改善光学灵敏度，可以提高显示器的开关性能和驱动晶体管的驱动性能。
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公开(公告)号：CN1869811B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200610092874.X
申请日：2006-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法，其中，该反射掩模包括：基板，以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层，以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层，在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层，该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响，并且可以消除不必要的EUV光线，使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料，掩模制作过程能够简易地处理。
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公开(公告)号：CN101714870A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910175707.5
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/20 , H03K19/094
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。
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公开(公告)号：CN100438035C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410043078.8
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L27/228
Abstract: 提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层，一防氧化层，一隧穿氧化层，及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成，其它材料层，尤其是防氧化层由与原子层淀积法不同的方法形成。
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公开(公告)号：CN101226963A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710300799.6
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/0688 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/105 , H01L29/7869
Abstract: 提供一种用于交叉点存储器的用作选择晶体管的薄膜晶体管和该薄膜晶体管的制造方法。该薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、沟道、源极和漏极。可在部分衬底上形成该栅极。可在该衬底和该栅极上形成栅极绝缘层。该沟道包括ZnO，并且可形成在该栅极之上的该栅极绝缘层上。该源极和漏极接触该沟道的侧面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101013694A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610128596.9
申请日：2006-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/04 , H01L21/82 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供一种具有三维结构的铁电电容器、具有该铁电电容器的非易失性存储器件及其制造方法。该铁电电容器包括：沟槽型下电极；绝缘中间层，形成在该下电极周围，例如为SiO2层；扩散阻挡层，形成在该绝缘中间层上；铁电层(PZT层)，形成在该下电极和该扩散阻挡层上；以及上电极，形成在该铁电层上。
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公开(公告)号：CN1869811A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610092874.X
申请日：2006-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法，其中，该反射掩模包括：基板，以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层，以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层，在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层，该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响，并且可以消除不必要的EUV光线，使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料，掩模制作过程能够简易地处理。
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公开(公告)号：CN1276435C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN02128682.5
申请日：2002-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15 , H01L27/105
Abstract: 本发明公开了一种磁随机存取存储器及其制造方法。该利用磁畴阻滞的磁随机存取存储器包括：数据存储单元，该单元包括固定层、非磁性层和自由层；数据输入单元，该单元与该自由层的两端电连接，用于将电流施加到该自由层上，以将数据输入至数据存储单元内；以及数据输出单元，该单元与自由层和固定层电连接，以将存储在数据存储单元中的数据输出。因此，该磁随机存取存储器具有比使用反转磁场来记录数据的存储器更优秀的性能。
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公开(公告)号：CN1467744A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03101683.9
申请日：2003-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/18 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性随机存取存储器(RAM)及其读写数据的方法，其利用了热磁自发霍尔效应。磁性RAM包括MOS晶体管、存储层、加热部件和写入线。存储层连接MOS晶体管的源极并将数据写入其中。加热部件加热存储层。写入线向存储层施加磁场以改变被加热的存储层的磁化状态。磁性RAM可增加高度集成导致的矫顽力并提高单元的热稳定性。磁性RAM因小的单元电阻而可在极快的速度下运行。此外，因磁性RAM可通过现有半导体制造工艺简单制造，所以降低了制造成本。再者，因磁性RAM利用了自发霍尔电压随存储层的磁化状态而极大不同的现象来读写数据，所以其提供了大的数据感测范围。
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公开(公告)号：CN1422977A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02128681.7
申请日：2002-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用共溅射法沉积赫斯勒合金薄膜的方法。通过利用一沉积装置的共溅射,该赫斯勒合金薄膜具有通常的结构式X2YZ或XYZ,该沉积装置具有放置在反应室中一基板台上的基板、以及放置在远离该基板的靶架上的靶。赫斯勒合金薄膜的各组元以单靶和双合金靶中的一种的形式放置在该靶架上。因此,易于制造具有优异磁性能的赫斯勒合金薄膜。
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