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公开(公告)号：CN1767212A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510099527.5
申请日：2005-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/283 , B82Y10/00 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0554
Abstract: 本发明公开了一种具有碳纳米管沟道的晶体管和制造其的方法。至少两个栅电极形成于栅极绝缘层上且彼此绝缘，所述栅极绝缘层形成于碳纳米管沟道上。因此，防止了少数载流子流入碳纳米管沟道。因此，可以防止当多数载流子和少数载流子都流入碳纳米管沟道时产生的漏电流。因此，可以防止由于漏电流引起的晶体管特性的降低。
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公开(公告)号：CN1622221B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200410095360.0
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种MRAM的分析设备和MRAM的分析方法。该分析设备包括：安装MRAM的MRAM安装部件；位于MRAM安装部件周围、向安装在MRAM安装部件的MRAM施加外磁场的磁场施加部件；位于对应于MRAM安装部件位置的探针板；指定MRAM的单位存储单元的矩阵开关；向MRAM的单位存储单元施加内磁场或者测量MRAM单位存储单元的电阻的源测量部件；存储与分析关于所测量的每个MRAM单位存储单元的电阻数据的计算机部件。该分析设备与方法可以用相对简单的结构快速分析单位存储单元的特性。
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公开(公告)号：CN1232985C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN03101683.9
申请日：2003-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/18 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性随机存取存储器(RAM)及其读写数据的方法，其利用了热磁自发霍尔效应。磁性RAM包括MOS晶体管、存储层、加热部件和写入线。存储层连接MOS晶体管的源极并将数据写入其中。加热部件加热存储层。写入线向存储层施加磁场以改变被加热的存储层的磁化状态。磁性RAM可增加高度集成导致的矫顽力并提高单元的热稳定性。磁性RAM因小的单元电阻而可在极快的速度下运行。此外，因磁性RAM可通过现有半导体制造工艺简单制造，所以降低了制造成本。再者，因磁性RAM利用了自发霍尔电压随存储层的磁化状态而极大不同的现象来读写数据，所以其提供了大的数据感测范围。
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公开(公告)号：CN1574363B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200410046544.8
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括一晶体管和一电阻材料的非易失存储器及其制造方法。所述非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管、和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元。所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层。
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公开(公告)号：CN101794807A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010114820.5
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括一晶体管和一电阻材料的非易失存储器及其制造方法。所述非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管、和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元。所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1770467A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510106780.9
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L51/0048 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管，所述晶体管通过为纳米管提供诸如氧气分子的载流子俘获材料，例如通过纳米管吸收或在邻近纳米管的位置处提供含有载流子俘获材料的材料层的方法，将双极纳米管场效应晶体管转化为单极纳米管场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN1467744A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03101683.9
申请日：2003-01-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/18 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种磁性随机存取存储器(RAM)及其读写数据的方法，其利用了热磁自发霍尔效应。磁性RAM包括MOS晶体管、存储层、加热部件和写入线。存储层连接MOS晶体管的源极并将数据写入其中。加热部件加热存储层。写入线向存储层施加磁场以改变被加热的存储层的磁化状态。磁性RAM可增加高度集成导致的矫顽力并提高单元的热稳定性。磁性RAM因小的单元电阻而可在极快的速度下运行。此外，因磁性RAM可通过现有半导体制造工艺简单制造，所以降低了制造成本。再者，因磁性RAM利用了自发霍尔电压随存储层的磁化状态而极大不同的现象来读写数据，所以其提供了大的数据感测范围。
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公开(公告)号：CN100481502C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200510106780.9
申请日：2005-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/1033 , H01L51/0048 , H01L51/0558
Abstract: 本发明涉及采用载流子俘获材料的单极性纳米管晶体管，所述晶体管通过为纳米管提供诸如氧气分子的载流子俘获材料，例如通过纳米管吸收或在邻近纳米管的位置处提供含有载流子俘获材料的材料层的方法，将双极纳米管场效应晶体管转化为单极纳米管场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN1622221A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095360.0
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种MRAM的分析设备和MRAM的分析方法。该分析设备包括：安装MRAM的MRAM安装部件；位于MRAM安装部件周围、向安装在MRAM安装部件的MRAM施加外磁场的磁场施加部件；位于对应于MRAM安装部件位置的探针板；指定MRAM的单位存储单元的矩阵开关；向MRAM的单位存储单元施加内磁场或者测量MRAM单位存储单元的电阻的源测量部件；存储与分析关于所测量的每个MRAM单位存储单元的电阻数据的计算机部件。该分析设备与方法可以用相对简单的结构快速分析单位存储单元的特性。
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公开(公告)号：CN1574363A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410046544.8
申请日：2004-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种包括一晶体管和一电阻材料的非易失存储器及其制造方法。所述非易失存储器包括一衬底、一形成于所述衬底上的晶体管和一连接至所述晶体管的漏极的数据存储单元。所述数据存储单元包括在不同电压范围具有不同电阻性能的数据存储材料层。
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