公开(公告)号：CN1767212A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510099527.5

申请日：2005-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玩浚 ,  郑炳昊 ,  裵恩珠 ,  汉斯·科西娜 ,  马迪·福尔法思

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/283 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0554

Abstract: 本发明公开了一种具有碳纳米管沟道的晶体管和制造其的方法。至少两个栅电极形成于栅极绝缘层上且彼此绝缘，所述栅极绝缘层形成于碳纳米管沟道上。因此，防止了少数载流子流入碳纳米管沟道。因此，可以防止当多数载流子和少数载流子都流入碳纳米管沟道时产生的漏电流。因此，可以防止由于漏电流引起的晶体管特性的降低。