公开(公告)号：CN101813825A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010126163.6

申请日：2010-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑炳昊 ,  奥利格·普鲁德尼科夫

IPC: G02B26/00

CPC classification number: G02B26/001

Abstract: 本发明提供一种干涉光调制器及显示装置。该显示装置包括金属薄膜以及与金属薄膜间隔开的电介质多层薄膜。显示装置可以通过改变金属薄膜与电介质多层薄膜之间的间隔来实现颜色，并可以通过施加电压到每个各自的子像素来实现黑色。

公开(公告)号：CN1767212A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510099527.5

申请日：2005-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴玩浚 ,  郑炳昊 ,  裵恩珠 ,  汉斯·科西娜 ,  马迪·福尔法思

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/283 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0554

Abstract: 本发明公开了一种具有碳纳米管沟道的晶体管和制造其的方法。至少两个栅电极形成于栅极绝缘层上且彼此绝缘，所述栅极绝缘层形成于碳纳米管沟道上。因此，防止了少数载流子流入碳纳米管沟道。因此，可以防止当多数载流子和少数载流子都流入碳纳米管沟道时产生的漏电流。因此，可以防止由于漏电流引起的晶体管特性的降低。

公开(公告)号：CN102789091A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201210059664.6

申请日：2012-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金局炫 ,  普罗德尼科夫·奥莱格 ,  金泳灿 ,  郑炳昊

IPC: G02F1/13357 ,  G02B6/00 ,  F21S8/00 ,  F21V8/00 ,  F21V5/02 ,  F21Y101/02

CPC classification number: G02B6/002 ,  G02B6/0016 ,  G02B6/0028 ,  G02B6/0031

Abstract: 本发明提供一种显示设备，该显示设备包括光源和导光板，导光板包括：光入射表面，面对光源且接收光；相对表面，与光入射表面相对且反射光并具有弧形形状；连接表面，在光入射表面的相对的边处且将光入射表面与相对表面连接；上表面，连接到光入射表面、相对表面和连接表面且输出光；下表面，与上表面相对。导光板的光入射表面包括：第一表面，沿预定的方向延伸；第二表面，在与光源对应的区域中自第一表面倾斜，从而由第二表面限定具有多边形棱锥形状的光学凹槽。

公开(公告)号：CN102221163A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010570091.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑炳昊 ,  金局炫 ,  普罗德尼科夫·奥莱格

IPC: F21S8/00 ,  F21V8/00 ,  F21V7/00 ,  G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/133603 ,  G02B6/002 ,  G02B6/0021 ,  G02B6/0038 ,  G02B6/0068 ,  G02F1/133611 ,  G02F2001/133607

Abstract: 本发明公开了一种背光组件，所述背光组件包括光源和光学构件，光源包括发光表面，光穿过发光表面出射，光学构件包括设置成邻近光源的第一表面和基本上背对第一表面设置的第二表面，光学构件覆盖光源并引导光穿过光学构件，其中，光学构件包括：入射表面，光入射到入射表面，入射表面连接到第一表面并对应于光源；光学图案，设置在第二表面上并与光源对应，光学图案通过全内反射反射穿过入射表面入射的光中的第一光；导光图案，设置在第一表面上，其中，导光图案向光学构件的外部引导反射的第一光。

公开(公告)号：CN1512584A

公开(公告)日：2004-07-14

申请号：CN03136336.9

申请日：2003-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑炳昊 ,  崔原凤

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  H01L27/28 ,  H01L27/285 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明公开了一种采用垂直纳米管的存储器件。该存储器件包括条状第一电极的阵列、介电层、纳米管阵列、条状第二电极的阵列、存储单元和栅极电极。介电层设置在第一电极阵列上，并具有多个孔。该纳米管阵列接触第一电极阵列，通过该介电层的孔而垂直生长，并发射电子。第二电极阵列接触纳米管阵列，且第二电极垂直于第一电极地排列在该介电层上。存储单元位于第二电极阵列上，并俘获从纳米管阵列中发出的电子。栅极电极设置在存储单元的上表面上，并在纳米管阵列周围形成电场。因此，该存储器件得以高度集成并具有大的容量。

公开(公告)号：CN100474590C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN03136336.9

申请日：2003-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑炳昊 ,  崔原凤

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L51/0048 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/16 ,  H01L27/28 ,  H01L27/285 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明公开了一种采用垂直纳米管的存储器件。该存储器件包括条状第一电极的阵列、介电层、纳米管阵列、条状第二电极的阵列、存储单元和栅极电极。介电层设置在第一电极阵列上，并具有多个孔。该纳米管阵列接触第一电极阵列，通过该介电层的孔而垂直生长，并发射电子。第二电极阵列接触纳米管阵列，且第二电极垂直于第一电极地排列在该介电层上。存储单元位于第二电极阵列上，并俘获从纳米管阵列中发出的电子。栅极电极设置在存储单元的上表面上，并在纳米管阵列周围形成电场。因此，该存储器件得以高度集成并具有大的容量。