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公开(公告)号：CN105264633B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201480031930.1
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明公开一种离子植入机与用于控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测系统与分析组件。检测系统用于检测在第一频率的离子束的多个束电流量测。分析组件用于判定基于多个束电流量测的离子束的变化，所述变化对应于在第二频率的离子束的束电流变化，所述第二频率不同于所述第一频率。所述系统也包括回应于分析组件的输出而调整离子束的调整组件以减少所述变化，其中当离子植入机中产生离子束时，所述分析组件与所述调整组件经设置以动态地将离子束的变化减少至低于阀值。
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公开(公告)号：CN107646158A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201680028383.0
申请日：2016-05-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 希马恩·Y·飞三
Abstract: 本发明揭示一种用于连接超导故障电流限制器(SCFCL)系统中的超导带的系统。新颖连接器系统使两个超导带能够安装在连接器堆栈中的单个开口中。这会将连接器堆栈的高度减小近50％，从而使超导故障电流限制器系统更有效且体积更小。在一个实施例中，每个连接器在顶部表面和底部表面两者上具有凹部，使得当堆叠在另一连接器上时凹部对准，从而形成较大开口。在另一实施例中，连接器具有可以容纳两个超导带的单个凹部。超导带可以安置于保护套中。
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公开(公告)号：CN107636196A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680027712.X
申请日：2016-05-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚历山大·利坎斯奇 , 威廉·戴维斯·李 , 史费特那·B·瑞都凡诺
Abstract: 一种装置，可包括：提取组件，至少包括第一提取孔隙与第二提取孔隙，提取组件经设置以自等离子体至少提取第一离子束与第二离子束；靶材组件，设置为邻近提取组件且至少包括第一靶材部分(包括第一材料)与第二靶材部分(包括第二材料)，第一靶材部分与第二靶材部分经配置以分别截取第一离子束与第二离子束；以及基板平台，配置为邻近靶材组件且经设置以在第一点与第二点之间沿着扫描轴扫描基板，其中第一靶材部分与第二靶材部分分别自第一点分离第一距离与第二距离，且第一距离小于第二距离。
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公开(公告)号：CN107535018A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680023023.1
申请日：2016-04-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 麦可·A·斯库拉么尔
Abstract: 一种热隔绝电接触探针包括：安装板，具有管状的销引导件，所述销引导件界定销通路；盖，耦合至安装板并具有颈部，所述颈部包围所述销引导件；以及绝缘销，具有杆部、凸缘部及空腔部，所述杆部安置于销通路内并界定导体通路，所述凸缘部在销引导件的顶部上方自杆部沿径向向外延伸，所述空腔部自凸缘部延伸且界定空腔。所述电接触探针还可包括：弹簧，安置于凸缘部与安装板的中间，所述弹簧使凸缘部偏置离开安装板；电接触垫，安置于空腔内；以及电导体，耦合至电接触垫且延伸贯穿导体通路。
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公开(公告)号：CN107533960A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022679.1
申请日：2016-04-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 孙世宇 , 吉田尚美 , 班杰明·科伦贝亚努 , 汉斯-乔辛·L·格斯曼
IPC: H01L21/265 , H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种形成三维装置的方法。所述方法可包括：将离子引导至鳍片结构的延伸区的端面，所述鳍片结构自基板平面垂直地延伸且具有平行于所述基板平面的鳍片轴线，其中所述离子具有在垂直于所述基板平面且平行于所述鳍片轴线的平面中延伸的轨迹，其中所述鳍片结构的一部分被栅极结构覆盖，所述栅极结构定义通道区，且其中所述端面不被所述栅极结构覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107466423A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201680021719.0
申请日：2016-04-05
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·D·艾文斯 , 杰森·M·夏勒 , 阿拉·莫瑞迪亚 , D·杰弗里·里斯查尔 , 葛列格里·D·斯罗森
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67103 , H01L21/67115 , H01L21/6831 , H01L21/68735
Abstract: 揭示一种具有改善的温度均匀性的静电卡钳。静电卡钳包含沿着环圈安装的LED阵列，以便照亮工件的外边缘。LED阵列中的LED可发射在易于由工件吸收的波长下的光，波长例如在0.4μm与1.0μm之间。使用由经加热的静电卡钳提供的传导性加热来加热工件的中心部分。工件的外部部分由来自LED阵列的光能加热。LED阵列可安置于静电卡钳的基底上，或可安置于单独的环上。可修改静电卡钳的上部介电层的直径以容纳LED阵列。
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公开(公告)号：CN107429408A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015261.8
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 揭示一种用于以可控制方式从衬底移除金属的系统和方法。系统包含腔室，所述腔室具有允许气体流动到腔室中的一个或多个气体入口、至少一个排气泵，所述至少一个排气泵将气体从腔室排出，以及加热器，所述加热器能够调节腔室温度。在一些实施例中，在第一温度下将一种或多种气体引入到腔室中。这些气体中的原子与衬底表面上的金属起化学反应以形成可移除的化合物。随后将气体从腔室排出，在衬底表面上留下可移除的化合物。接着将腔室的温度升高到高于可移除的化合物的升华温度的第二温度。此升高的温度使可移除的化合物变为气态并从腔室中排出。
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公开(公告)号：CN104067419B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380006196.9
申请日：2013-01-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M4/04 , H01M4/0428 , Y02E60/12
Abstract: 揭示一种处理电池的电极以提高其效能的方法。通过将一层多孔碳沉积到所述电极上，可改进所述电极的充电以及放电特性与化学稳定性。所述方法包含：产生包含碳的等离子体；以及例如通过使设置了电极的压板偏压而将所述等离子体朝向所述电极吸引。在一些实施例中，还对所述所沉积的多孔碳执行蚀刻制程，以增大其表面积。还可使所述电极经受亲水性处理以改进其与电解质的相互作用。另外，揭示一种电池，包含根据这个过程而处理的至少一个电极。
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公开(公告)号：CN105765693B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201480064208.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明提供一种离子植入器及其操作方法、在其中进行双模式操作的系统。用于在离子植入器中进行双模式操作的系统可包含活动束挡块，其用以在第一方向上调整离子束的束宽度，所述第一方向垂直于所述离子束的第一局部行进方向。所述系统可还包含：扫描器，其用以当在第一状态中时在垂直于所述离子束的第二局部行进方向的第二方向上扫描所述离子束并且在第二状态中未受扰动地传输所述离子束；以及模式选择器，其用以向所述活动束挡块以及向所述扫描器发送一组信号以便一致调整所述离子束的宽度和所述扫描器的状态。本发明的优点是可在同一基底室中以任何所要顺序提供高电流带状束植入和点状束植入。
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公开(公告)号：CN104011826B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201280064441.7
申请日：2012-11-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/20 , H01J37/3023 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L21/67213 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种离子植入机与离子植入法。离子植入机(100)的一实施例包括：离子源(101)及处理腔室(102)。此处理腔室连接至离子源并藉由多个提取电极(114)与离子源分离。载具(201)固持多个工件(202)。屏蔽装载器(205)位于处理腔室中且使屏蔽(203)与载具连接。传送腔室(104)及加载锁(105、106)可与处理腔室连接。此离子植入机装配成对工件进行毯覆式或选择性植入。
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