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公开(公告)号：CN1771195A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480009343.9
申请日：2004-08-17
申请人： 德山株式会社
IPC分类号： C01B33/03
CPC分类号： C01B33/027 , B01J19/02 , B01J2219/0218 , B01J2219/0227 , B01J2219/0272 , C01B33/029 , C01B33/03 , C30B11/003 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004
摘要： 提供了一种多晶硅生产装置，使得当将反应管的内表面加热到等于或高于硅熔点的温度，使沉积的硅滴落到下面的硅收集部分中时，这种生产装置可以防止由于下端部分降温而造成的硅熔体在该处的凝固。当使用高频加热线圈4加热反应管2时，通过一种防止降温装置能避免所述反应管2下端部分2a降温，所述的防止降温装置可以是能够用红外线装置加热下端部分2a外表面的红外装置，或者是下端线圈，所述下端线圈由接近所述高频加热线圈4下端的线圈组成，其加热强度比上部线圈4U的加热强度大。
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公开(公告)号：CN1751381A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004634.9
申请日：2004-02-12
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 佐佐木雄一朗
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/223 , H01L21/2236 , H01L21/2254 , Y10T117/10
摘要： 本发明提供包括在半导体衬底的表面形成非晶层的工序以及在非晶化的上述半导体衬底上形成浅的杂质导入层的工序的杂质导入方法和该方法所使用的装置，特别是其特征在于，形成非晶层的工序是向上述半导体衬底的表面照射等离子体的工序，形成浅的杂质导入层的工序是向非晶化的上述表面导入杂质的工序。
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公开(公告)号：CN1223709C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN01810809.1
申请日：2001-04-19
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C23C16/0227 , C23C16/4584 , C30B25/12 , Y10S117/90 , Y10T117/10
摘要： 公开了在外延淀积装置和工艺中使用的改进基座。改进基座具有能够支撑半导体晶片的内环形架，并且在表面中有多个孔，在外延淀积工艺期间使用的清洁气体穿过基座并接触基本上整个半导体晶片的背面，并除去了自然氧化层。此外，基座上的多个孔使外延淀积工艺期间从背面向外扩散的掺杂剂原子被惰性气体流从正面带走并送入到排气装置内，由此减少了正面的自掺杂。
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公开(公告)号：CN1216680C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN01814678.3
申请日：2001-10-24
申请人： 信越工程株式会社
IPC分类号： B01J19/12 , B08B7/00 , C23C16/455 , H01L21/302
CPC分类号： C23C16/45578 , B01J19/123 , B01J2219/0875 , B08B7/0057 , C23C16/455 , C23C16/482 , C23C16/54 , Y10T117/10
摘要： 本发明的一种准分子UV光反应装置，将多支准分子UV灯(B)与被照射体(A)相对配置成并列状，在反应性气体(C)环境气氛中自这些准分子UV灯(B)朝被照射体(A)照射准分子UV，从而使被照射体(A)表面产生光化学反应，在被照射体(A)的表面附近设置反应性气体供应机构(1)，用以强制性地将反应性气体(C)供给至前述准分子UV灯(B)的准分子UV照射量较多的被照射体(A)上的活性区域(A1)，由透明的保护管(B3)覆盖各准分子UV灯(B)的外侧，在准分子UV灯(B)和保护管(B3)之间供给氮气。
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公开(公告)号：CN1213177C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN99808355.0
申请日：1999-07-05
申请人： Si晶体股份公司
CPC分类号： C30B23/00 , C30B29/36 , Y10T117/10 , Y10T117/1092
摘要： 用于制造一种碳化硅(SiC)单晶体(10)的装置具有一个坩埚(20)，它包括一个用于容纳固态SiC贮存物(31)的贮存区(30)和一个用于容纳SiC晶核(11)的结晶区(12)。在坩埚(20)内设有一个由玻璃碳制成的部件(51)。在用于制造一种碳化硅(SiC)单晶体(10)的方法中，通过加热贮存物(31)，使固态SiC升华并形成气相SiC。气相SiC被输往SiC晶核(11)并在那里生长成SiC单晶体(10)。通过由玻璃碳制成的部件(51)，可对热量流(61)进行控制。
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公开(公告)号：CN1643189A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03806902.4
申请日：2003-03-13
申请人： AXT公司
CPC分类号： C30B11/003 , C30B29/40 , C30B29/48 , Y10T117/10
摘要： 一种用于生产大直径III－V族和II－VI族化合物单晶体的装置(100)，此化合物有减小的晶体缺陷密度、提高的晶体生长产率和提高的体材料特性。此装置(100)包括：坩埚或者舟(130)、用于容纳坩埚或者舟(130)的安瓿(120)、环绕安瓿(120)设置的加热装置(123)、以及设置在加热装置(123)和安瓿(120)之间的衬套(122)。衬套(122)优选由石英材料构成。当衬套(122)和安瓿(120)由相同材料例如石英制成的时候，衬套(122)的热膨胀系数和安瓿(120)的热膨胀系数是相同的，这明显地提高衬套(122)的寿命和单晶产率。
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公开(公告)号：CN1637176A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410061587.3
申请日：2004-12-27
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： C30B15/10 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1068
摘要： 本发明提供了一种用于生长硅晶体的坩埚，以及一种利用该坩埚通过切克拉斯基法来生长硅晶体的方法，其中该坩埚在利用切克拉斯基法进行生长硅晶体的过程中，可增加晶体的生产率、产能及品质。本发明提供了一种用于切克拉斯基法生长硅晶体的坩埚，该坩埚的内底表面的轮廓具有与坩埚转动轴对称的至少一个凸起部分，其中该凸起部分的周边的位置与该转动轴的距离，是将要生长的晶体的半径的0.4至1.2倍；且该凸起部分的高度，位于将要生长的晶体的半径的不小于7％到不大于100％的范围内。
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公开(公告)号：CN1550570A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410038119.4
申请日：2004-05-08
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/243 , Y10T24/44641 , Y10T24/44769 , Y10T24/44855 , Y10T117/10
摘要： 一种蒸发装置的固定构件，是在蒸发装置纵长方向释出均匀蒸镀物的蒸发装置中，以电热加热器(12)覆盖坩埚(10)上部开口的状态予以配置。然后，在电热加热器(12)侧面部设置多个角材(20)，将角材(20)以夹具(24)按压固定。而该夹具(24)是在底部具有以板状弹性材料弯成凸状的弯曲部，使该底部与对应的上端爪部(24f)间产生按压力，借此将坩埚(10)予以挟持。
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公开(公告)号：CN1174124C
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN99816819.X
申请日：1999-07-22
申请人： 克里公司
发明人： C·E·亨特
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/02 , C30B29/403 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 在升高的温度下生长大直径的氮化铝(AlN)单晶。当在籽晶(130)上生长熔体中形成的AlN时，从熔体中拉起籽晶(130)，该籽晶保持低于周围的液态铝的温度。同样公开了用于实施本方法的设备。
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公开(公告)号：CN1480982A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03148959.1
申请日：2003-06-30
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： G03B21/56 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要： 一种晶化装置，包括：光照系统(2)，照射相移掩模(1)，并以具有反转峰值型光强度分布的光束照射非晶半导体膜(4)，该反转峰值型光强度分布在对应于相移掩模(1)的相移部分的点具有最小光强度，以便制备结晶的半导体膜；波前分离元件(3)，设置在光照系统(2)和相移掩模(1)之间的光路上；波前分离元件(3)，将光照系统(2)提供的光束波前分离为多个光束，并且在对应的相移部分或该部分附近会聚这些波前分离的光束。
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