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公开(公告)号：CN1717508A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001580.0
申请日：2004-07-28
申请人： Si晶体股份公司
发明人： 迈克尔·拉思普 , 欧文·施米特 , 托马斯·斯特劳宾格尔 , 迈克尔·沃格尔
CPC分类号： C30B29/403 , C30B23/00
摘要： 本方法和设备用于制备AlN单晶(32)。从AlN源材料(30)的成分产生气相，该源材料位于坩埚(10)的贮存区(12)。AlN单晶(32)在坩埚(10)的结晶区(13)中从气相长出。至少一种气相成分，例如存在于气相中的各成分的一部分可以在坩埚(10)的外区(15)和坩埚(10)的内区(11)之间扩散，特别是在两个方向扩散。
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公开(公告)号：CN1213177C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN99808355.0
申请日：1999-07-05
申请人： Si晶体股份公司
CPC分类号： C30B23/00 , C30B29/36 , Y10T117/10 , Y10T117/1092
摘要： 用于制造一种碳化硅(SiC)单晶体(10)的装置具有一个坩埚(20)，它包括一个用于容纳固态SiC贮存物(31)的贮存区(30)和一个用于容纳SiC晶核(11)的结晶区(12)。在坩埚(20)内设有一个由玻璃碳制成的部件(51)。在用于制造一种碳化硅(SiC)单晶体(10)的方法中，通过加热贮存物(31)，使固态SiC升华并形成气相SiC。气相SiC被输往SiC晶核(11)并在那里生长成SiC单晶体(10)。通过由玻璃碳制成的部件(51)，可对热量流(61)进行控制。
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公开(公告)号：CN100543196C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200480001580.0
申请日：2004-07-28
申请人： Si晶体股份公司
发明人： 迈克尔·拉思普 , 欧文·施米特 , 托马斯·斯特劳宾格尔 , 迈克尔·沃格尔
CPC分类号： C30B29/403 , C30B23/00
摘要： 本方法和设备用于制备AlN单晶(32)。从AlN源材料(30)的成分产生气相，该源材料位于坩埚(10)的贮存区(12)。AlN单晶(32)在坩埚(10)的结晶区(13)中从气相长出。至少一种气相成分，例如存在于气相中的各成分的一部分可以在坩埚(10)的外区(15)和坩埚(10)的内区(11)之间扩散，特别是在两个方向扩散。
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公开(公告)号：CN1276999C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN99808652.5
申请日：1999-07-01
申请人： Si晶体股份公司
摘要： 本发明涉及一种通过SiC源材料(30)的升华培育至少一种碳化硅(SiC)单晶(60)的方法。硅(Si)、碳(C)和SiC晶核(40)被置入培育室(50)中。之后，在真正实施培育前的合成步骤中，用硅和碳制成SiC源材料(30)。在合成步骤之后随即培育SiC单晶(60)生长。采用平均颗粒直径大于10μm的C粉末(20)作为碳。
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