公开(公告)号：CN1276999C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN99808652.5

申请日：1999-07-01

Applicant: Si晶体股份公司

Inventor： 勒内·斯坦 ,  哈拉尔德·库恩 ,  约翰尼斯·沃尔克尔

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B23/00 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种通过SiC源材料(30)的升华培育至少一种碳化硅(SiC)单晶(60)的方法。硅(Si)、碳(C)和SiC晶核(40)被置入培育室(50)中。之后，在真正实施培育前的合成步骤中，用硅和碳制成SiC源材料(30)。在合成步骤之后随即培育SiC单晶(60)生长。采用平均颗粒直径大于10μm的C粉末(20)作为碳。

公开(公告)号：CN1213177C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN99808355.0

申请日：1999-07-05

Applicant: Si晶体股份公司

Inventor： 勒内·斯坦 ,  约翰尼斯·沃尔克尔 ,  哈拉尔德·库恩 ,  罗兰·鲁普

IPC: C30B23/00 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1092

Abstract: 用于制造一种碳化硅(SiC)单晶体(10)的装置具有一个坩埚(20)，它包括一个用于容纳固态SiC贮存物(31)的贮存区(30)和一个用于容纳SiC晶核(11)的结晶区(12)。在坩埚(20)内设有一个由玻璃碳制成的部件(51)。在用于制造一种碳化硅(SiC)单晶体(10)的方法中，通过加热贮存物(31)，使固态SiC升华并形成气相SiC。气相SiC被输往SiC晶核(11)并在那里生长成SiC单晶体(10)。通过由玻璃碳制成的部件(51)，可对热量流(61)进行控制。