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公开(公告)号：CN100409404C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200410064008.0
申请日：2004-06-30
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC分类号： H01L21/00 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/0622 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/066 , C30B13/24 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 本发明提供一种晶化方法、一种晶化设备、一种薄膜晶体管和一种显示设备，该晶化方法可以设计出在衬底的入射表面上优化的光强度和分布(BP)的激光束、形成所需的结晶结构同时抑制产生任何其它不需要的结构区域并满足低温处理的需要。当通过将激光束辐照至其来结晶非单晶半导体薄膜时，到达非单晶半导体薄膜上的辐照光束具有一种光强度分布(BP)的光强度和熔化非单晶半导体的光强度，该光强度分布(BP)周期性地重复单调增加和单调减少。此外，在非单晶半导体薄膜的激光束入射表面上设置至少一氧化硅膜。
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公开(公告)号：CN1963998A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610128085.7
申请日：2003-04-14
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要： 一种制造薄膜半导体器件的方法包括：在基层上形成非单晶半导体薄膜的步骤；以及用能量射束照射该非单晶半导体薄膜的退火步骤，以便提高构成该非单晶半导体薄膜的非单晶半导体的结晶度。该退火步骤包括用多个能量射束同时照射非单晶半导体薄膜，以便形成多个单元区域，每个单元区域包括至少一个由能量射束照射的照射区域以及至少一个并不由能量射束照射的非照射区域。
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公开(公告)号：CN1877433A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610091812.7
申请日：2006-05-29
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
发明人： 十文字正之
CPC分类号： B23K26/066 , H01L21/02678 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/1004
摘要： 本发明的目标是提供一种用于激光退火的移相器，其能够有效地防止颗粒的附着。第一层(1)和第三层(3)由石英玻璃制成，并且在这些层(1、3)的表面中形成细沟槽(5、6)的两维图案。将第一层(1)和第三层(3)设置成使得在使设有沟槽(5、6)的表面彼此面对的状态下将第二层(2)夹在这两层之间。第一层(1)的周边边缘部分通过间隔器(4)叠置在第三层(3)的周边边缘部分上。第二层(2)由被引入到第一层(1)和第三层(3)之间的惰性气体形成。
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公开(公告)号：CN1477677A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN03133128.9
申请日：2003-07-24
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/324 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L21/0268 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/066 , B23K26/067 , B23K26/073 , G03F1/26 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , Y10T117/1004
摘要： 本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置，其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1，11，12，13，14，15)，以便基于来自该照明系统(2)的光，在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小，并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布；以及一成像光学系统(3)，将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。
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公开(公告)号：CN100365763C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200410055201.8
申请日：2004-06-03
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/00 , H01L21/335 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01L29/66772
摘要： 一种形成结晶半导体层(15)的方法，包括制备其中至少形成一个种晶(13)的非单晶半导体层(14)，用能量射线照射该具有种晶(13)在其中形成的非单晶半导体层(14)，使得晶体在非单晶半导体层(14)中从种晶(13)横向增长，通过将具有最小能量射线强度值的区域定位到种晶(13)的至少一部分而进行能量射线的照射，该能量射线具有这样的结构，在照射表面上具有最大能量射线强度值的区域连续减小到具有最小强度值的区域上。
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公开(公告)号：CN101071757A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710097035.1
申请日：2003-09-25
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/04 , B23K26/06 , B23K26/067
摘要： 本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有2种以上平均晶粒直径的半导体层。
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公开(公告)号：CN100338730C
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN03133128.9
申请日：2003-07-24
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/324 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L21/0268 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/066 , B23K26/067 , B23K26/073 , G03F1/26 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , Y10T117/1004
摘要： 本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置，其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1，11，12，13，14，15)，以便基于来自该照明系统(2)的光，在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小，并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布；以及一成像光学系统(3)，将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。
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公开(公告)号：CN1740760A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510096528.4
申请日：2005-08-26
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC分类号： G01J1/02 , G01J1/00 , H01S5/00 , H01L21/324 , H01L21/66
CPC分类号： G02B27/40 , B23K26/705 , G01J1/04 , G01J1/0411 , G01J1/0448 , G01J1/4257 , G02B7/36
摘要： 将刃状物(30)设置在要拾取截面图像(光强度分布)的截面的高度处，以拦截激光(20)的部分截面。用激光(20)照射刃状物(30)，且激光的截面图像用图像形成光学系统(40)放大，并由CCD(50)拾取。当以这种方式拾取截面图像时，以在被刃状物(30)遮蔽的边界部分中的光强度的梯度具有不小于预置目标值的陡度的这种方式进行图像形成光学系统(40)的聚焦。接下来，从激光的光路缩回刃状物(30)，允许激光经由图像形成光学系统(40)进入CCD(50)，并拾取激光的截面图像。
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公开(公告)号：CN1734714A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091162.1
申请日：2005-08-09
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/447 , H01L21/268 , H01L21/336 , G02F1/00
摘要： 本发明有助于将形成在非晶或者多晶膜(12)中的再结晶区域(21)的精确对准。在再结晶区域内形成对准标记(15)，该对准标记(15)在形成电子器件例如薄膜晶体管(98)的步骤中有用。此外，在从半导体膜获得大晶粒尺寸晶体相位半导体的步骤中，在相同的曝光步骤中，在该半导体膜上形成在随后的步骤中可用作对准标记的标记结构。因此，本发明包括光强调制结构(SP)和标记形成结构(MK)，该光强调制结构(SP)调制光并且形成用于结晶的光强分布，该标记形成结构(MK)调制光并且形成包括预定形状图案的光强分布，并且还形成表示结晶区上预定位置的标记。
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公开(公告)号：CN1650402A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809603.X
申请日：2003-03-19
申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02678 , B23K26/066 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10S117/90 , Y10S117/904 , Y10S117/905 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要： 一种结晶装置包括照射一块移相掩模版(1)的照明系统(2)和布置在所述移相掩模版和一层半导体膜(4)之间的光学路径中的图像形成光学系统(3)。用具有反向峰值图形部分的光强分布的光束照射所述半导体膜，所述光强分布的光强在对应于移相区的部分中最低以形成结晶半导体膜。该照明系统具有提供给定波长范围的光束的一个光源。所述图像形成光学系统设置成使所述移相掩模版和所述半导体膜光学地共轭，并具有对应于所述给定波长范围的像差，以形成在所述中间部分没有强度隆起的反向峰值图形部分的光强分布。
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