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    于所述后方排气线的辅助排气端口。包括隔热板的基板处理装置
    32.
    发明授权
    于所述后方排气线的辅助排气端口。包括隔热板的基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN103959440B

    公开(公告)日：2017-02-22

    申请号：CN201280056766.0

    申请日：2012-11-16

    Applicant: 株式会社EUGENE科技

    Inventor： 梁日光 ,  诸成泰 ,  宋炳奎 ,  金龙基 ,  金劲勋 ,  申良湜

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6732 ,  H01L21/67757

    Abstract: 根据本发明的一实施方案，实现在基板上形成外延层的外延工艺的外延装置，其包括：下部腔室，其上部打开，并在一侧形成有使所述基板进出的通道；外部反应管，其用于关闭所述下部腔室中打开的上部，并提供实现所述外延工艺的工艺空间；基板支架，其在上下方向载置一个以上的所述基板，且可以转换到载置所述基板的载置位置、和实现对所述基板的所述工艺的工艺位置；一个以上的供应喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于喷射所述反应气体的供应口；和一个以上的排气喷嘴，其沿着所述外部反应管的内壁配置，并具有用于吸入所述工艺空间内的未反应气体及反应副产物的排气口；以及后方排气线，其连接于所述排气喷嘴，并用于排出通过所述排气口吸入的所述未反应气体及所述反应副产物，其中，所述下部腔室具有将所述排气喷嘴和所述后方排气线连接的排气端口、和将形成在所述下部腔室内部的载置空间连接

    间中的热波动。光刻设备及器件制造方法
    34.
    发明公开
    间中的热波动。光刻设备及器件制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106415395A

    公开(公告)日：2017-02-15

    申请号：CN201580023034.5

    申请日：2015-03-17

    Applicant: ASML荷兰有限公司

    Inventor： G·A·H·F·詹森 ,  M·范巴伦

    IPC: G03F7/20 ,  H01L21/67

    CPC classification number: G03F7/70875 ,  G03F7/7075 ,  G03F7/708 ,  G03F7/70808 ,  G03F7/70841 ,  G03F7/70858 ,  G03F7/70866 ,  H01L21/67 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67265 ,  H01L21/67742

    Abstract: 一种与光刻设备一起使用的系统，所述系统被配置用于处理衬底，其中所述系统适于连接至气体源(30)，所述系统包括：衬底通过的空间的热负载热绝缘的热屏蔽件(110)，所述热屏蔽件包括：第一壁(1100)和第二壁(1200)且在所述第一壁和第二壁之间具有间隙(1300)，所述第一壁定位在所述空间与所述第二壁之间；至少一个入口开口(1400)，所述至少一个入口开口被配置用于允许来自所述气体源的气体流(212)从所述空间的外部进入所述间隙；和至少一个出口开口(1500)，所述至少一个出口开口被配置用于允许气体流离开所述间隙至所述空间的外部，其中所述系统适于引导来自所述气体源的气体流，使所述气体流通过所述至少一个入口开口进入所述间隙、流动通过所述间隙并且通过至少一个出口开口流出所述间隙至所述空间外部，从而减少由于源于所述空间外部的热负载而引起的所述空(105)；和用于将所述空间与源于所述空间外部

    基板处理装置
    36.
    发明公开
    基板处理装置 有权

    公开(公告)号：CN106133882A

    公开(公告)日：2016-11-16

    申请号：CN201580017008.1

    申请日：2015-03-13

    Applicant: 株式会社斯库林集团

    Inventor： 吉田武司

    IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742

    Abstract: 在基板处理装置(1)中，在腔室(21)内，从遮挡板(51)的上方向盖内部空间(231)供给气体，从而使盖内部空间(231)的气压大于本体内部空间(221)的气压，将盖内部空间(231)的气体向本体内部空间(221)送出。另外，从盖内部空间(231)流入的气体，被设置于本体内部空间(221)的基板(9)的下方的本体排出口(226a)吸引而向腔室(21)的外部排出。由此，在腔室(21)内形成大致圆筒状的气体的气流。在该大致圆筒状的气流的内部，向基板(9)的上表面(91)供给处理液，因此能够抑制处理液的雾或烟尘等，经过大致圆筒状的气流来从遮挡板(51)和盖底面部(234)之间的间隙向盖内部空间(231)进入的情况。

    电化学处理器对准系统
    37.
    发明授权
    电化学处理器对准系统 失效

    公开(公告)号：CN103843116B

    公开(公告)日：2016-10-19

    申请号：CN201280048868.8

    申请日：2012-08-24

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： 布赖恩·普奇

    IPC: H01L21/288 ,  H01L21/02

    CPC classification number: C25D17/001 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68 ,  Y10T29/49778

    Abstract: 一种基板电镀处理器，该基板电镀处理器具有在支撑结构上的容器和相对于该支撑结构而固定定位的头部支座。具有转子的头部装设至该头部支座上。与该头部支座相关联的举升器使该头部移动而与该容器接合或脱离。可装设至该转子的对准组件，该对准组件具有至少一个传感器，该传感器用以在该头部接合于该容器时检测该容器的内部表面的一位置。该传感器可为定位以接触该容器的该内部表面的物理接触传感器。

    用于紫外线纳米固化腔室的石英喷洒器
    40.
    发明授权
    用于紫外线纳米固化腔室的石英喷洒器 有权

    公开(公告)号：CN103109357B

    公开(公告)日：2016-08-24

    申请号：CN201180044541.9

    申请日：2011-09-29

    Applicant: 应用材料公司

    Inventor： S·巴录佳 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·T·迪莫斯 ,  T·诺瓦克 ,  J·周

    IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/263

    CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/482 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  Y10T137/0391

    Abstract: 本发明的实施例通常提供用于控制处理腔室内的气流分布的装置及方法。在一个实施例中，处理工具包括：紫外线处理腔室，该紫外线处理腔室界定处理区域；基板支撑件；窗口，该窗口设置于UV辐射源与该基板支撑件之间；以及透明喷洒器，该透明喷洒器设置于该窗口与该基板支撑件间的处理区域内且该透明喷洒器具有介于上处理区域与下处理区域间的一或更多透明喷洒器通道。该处理工具还包括气体分配环，该气体分配环具有介于气体分配环内沟槽与该上处理区域间的一或更多气体分配环通道；及气体出口环，该气体出口环设置于该气体分配环的下方，该气体出口环具有介于该气体出口环内的气体出口环内沟槽与该下处理区域间的一或更多气体出口通道。

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