-
公开(公告)号:CN108100985B
公开(公告)日:2022-02-11
申请号:CN201711099535.9
申请日:2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种半导体封装体包括:具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口,以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。
-
公开(公告)号:CN112397402A
公开(公告)日:2021-02-23
申请号:CN202010822650.X
申请日:2020-08-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 一种用于制作电子装置的方法(10)包括:提供包括包封材料(11)的包封物;提供第一激光束并通过借助于第一激光束(12)去除包封材料而在包封物的主表面中形成沟槽;沿着沟槽(13)的边缘上方的部分形成掩模;和提供第二激光束并在包封物的主表面的表面区域之上扫掠第二激光束,其中,所述表面区域至少覆盖由沟槽(14)在空间上限界的区域。
-
公开(公告)号:CN107230641B
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN201710182449.8
申请日:2017-03-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
Abstract: 提供一种基板,所述基板具有第一侧,所述第一侧具有升高部分、侧向包围所述升高部分的凹进部分和从所述凹进部分延伸至所述升高部分的竖直面。至少所述竖直面的一部分覆盖有金属层。模制化合物结构形成在所述第一侧之上,所述金属层设置在所述第一侧与所述模制化合物结构之间,使得所述模制化合物结构包括侧向包围凹进部分的升高部分和从所述凹进部分竖直地延伸至升高部分的相反边缘面。随后去除所述基板的至少一部分,使得所述模制化合物结构的所述凹进部分从所述基板暴露,并使得所述金属层保留在所述模制化合物结构的至少一个未被覆盖的部分之上。
-
公开(公告)号:CN111799232A
公开(公告)日:2020-10-20
申请号:CN202010257635.5
申请日:2020-04-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种封装半导体器件,其包括:具有上表面的电绝缘包封体主体;包封在所述包封体主体内的第一半导体管芯,所述第一半导体管芯包括主表面,所述主表面具有面对所述包封体主体的上表面的第一导电焊盘;包封在所述包封体主体内并与第一半导体芯片横向并排设置的第二半导体管芯,所述第二半导体管芯具有主表面,所述主表面具有面对所述包封体主体的上表面的第二导电焊盘;以及第一导电轨,其形成在所述包封体主体的上表面中,并且将所述第一导电焊盘电连接到所述第二导电焊盘。包封体主体包括可激光激活的模制化合物。
-
公开(公告)号:CN110894059A
公开(公告)日:2020-03-20
申请号:CN201910860268.5
申请日:2019-09-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及微机电系统传感器封装及其制造方法。例如,一种设备包括:第一侧壁,包括延伸穿过第一侧壁的第一开口;第一传感器,附接至第一侧壁的内表面,其中第一传感器被对准以至少部分地覆盖第一开口;第二侧壁,与第一侧壁相对;第三侧壁,将第一侧壁附接至第二侧壁;以及第一接触焊盘,设置在第三侧壁的外表面上,其中第一接触焊盘被配置为为第一传感器提供电源连接或信号连接中的至少一种连接。
-
公开(公告)号:CN107230641A
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201710182449.8
申请日:2017-03-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/055
Abstract: 提供一种基板,所述基板具有第一侧,所述第一侧具有升高部分、侧向包围所述升高部分的凹进部分和从所述凹进部分延伸至所述升高部分的竖直面。至少所述竖直面的一部分覆盖有金属层。模制化合物结构形成在所述第一侧之上,所述金属层设置在所述第一侧与所述模制化合物结构之间,使得所述模制化合物结构包括侧向包围凹进部分的升高部分和从所述凹进部分竖直地延伸至升高部分的相反边缘面。随后去除所述基板的至少一部分,使得所述模制化合物结构的所述凹进部分从所述基板暴露,并使得所述金属层保留在所述模制化合物结构的至少一个未被覆盖的部分之上。
-
-
-
-
-