-
公开(公告)号：CN105849924A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070509.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/025 , C23C14/5806 , H01B12/02 , H01B13/0016 , H01B13/0036 , H01L39/143 , H01L39/2464
Abstract: 一种形成超导体带材的方法包含：将超导体层沉积在基板上；在所述超导体层的表面上形成包括第一金属的金属层；以及将合金物质植入到所述金属层中，其中所述第一金属在植入所述合金物质之后形成金属合金。
-
公开(公告)号：CN103733300B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201280039634.7
申请日：2012-08-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302
CPC classification number: H01J37/302 , H01J37/32082 , H01J2237/24528
Abstract: 一种处理工件(40)的方法及等离子体处理系统。此方法包括引导第一离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第一离子束具有经由萃取板(14)的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓(402，412或422)。此方法也包括引导第二离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第二离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓(402，412或422)，其中第二离子角轮廓不同于第一离子角轮廓。
-
公开(公告)号：CN102598219B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080046098.4
申请日：2010-10-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 , 维克拉姆·辛 , 尹赫云 , 海伦·L·梅纳德 , 卢多维克·葛特
IPC: H01L21/265 , H01L21/336 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J37/32834 , H01L29/66803
Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。
-
公开(公告)号：CN103733300A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039634.7
申请日：2012-08-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302
CPC classification number: H01J37/302 , H01J37/32082 , H01J2237/24528
Abstract: 一种处理工件(40)的方法。此方法包括引导第一离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第一离子束具有经由萃取板(14)的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓(402，412或422)。此方法也包括引导第二离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第二离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓(402，412或422)，其中第二离子角轮廓不同于第一离子角轮廓。
-
公开(公告)号：CN103620730A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280027207.7
申请日：2012-04-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卢多维克·葛特 , 约瑟·欧尔森 , 克里斯多夫·J·里维特 , 派崔克·M·马汀
IPC: H01J37/32
CPC classification number: G03F7/20 , G03F7/2024 , G03F7/40 , H01J37/3023 , H01J37/3053 , H01J2237/3174 , H01L21/0273
Abstract: 本发明提供一种处理具有初始线粗糙度和初始临界尺寸的光致抗蚀剂凸纹特征(402)的方法。所述方法可包含在第一暴露中以第一角范围和第一剂量率朝向光致抗蚀剂引导离子(404)，所述第一剂量率用以将初始线粗糙度减小到第二线粗糙度。所述方法还可包含在第二暴露中以大于第一剂量率的第二离子剂量率朝向光致抗蚀剂凸纹特征引导离子，其中所述第二离子剂量率用以使光致抗蚀剂凸纹特征膨胀。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103493172A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280012665.3
申请日：2012-02-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 , 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒
IPC: H01J37/317 , H01J37/302 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3172 , H01J37/3023 , H01J37/32009 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/31711
Abstract: 一种于离子植入系统(400)中植入工件(100)的方法。此方法可包括提供邻近含有等离子(140)的等离子腔室(402)的萃取平板(101)，使萃取平板透过至少一个孔洞(407)由所述等离子中萃取离子(102)，所述孔洞提供具有分布于入射至工件的角度范围的离子的离子束。此方法可包括相对于所述萃取平板以扫瞄工件，以及于扫瞄期间改变等离子的功率位准从第一功率位准改变到第二功率位准；其中在所述工件的表面，在第一功率位准的第一束流宽(W1，W3)大于在第二功率位准的第二束流宽(W2)。
-
公开(公告)号：CN103380494A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009549.6
申请日：2012-02-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/768 , C23C14/22
CPC classification number: H01L21/76814 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/3105 , H01L21/31155 , H01L21/76826 , H01L21/76831
Abstract: 控制等离子与等离子壳层之间的边界，以使得形状的一部分不平行于由面对等离子的工件的前表面所界定的平面。将等离子中的离子导向工件。这些离子可密封工件上的结构中的孔洞或者清洁工件上的结构中的材料。此结构可例如是具有多个侧壁。可进行清洁结构中的材料以及密封结构中的孔洞两者皆进行的工艺。
-
公开(公告)号：CN102742019A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080062756.9
申请日：2010-12-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/068 , H01J37/32366 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01L21/3065 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 工件纹理化或制造工件的方法。例如，此工件可以是太阳能电池。此纹理化可包括利用等离子体来进行蚀刻或局部溅镀，其中要利用绝缘调节器来修改等离子体与等离子体鞘层之间的边界的形状。在两次执行蚀刻或溅镀步骤之间可旋转工件以形成棱锥体。也可利用离子来对工件的多个区域进行蚀刻或溅镀，然后实施掺杂，其中离子是由经绝缘调节器调整后的等离子体来形成的。可在这些掺杂区上形成金属层。
-
公开(公告)号：CN101978476B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200980109802.3
申请日：2009-02-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 戴文·M·洛吉 , 卢多维克·葛特 , 伯纳德·G·琳赛 , 提摩太·J·米勒 , 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯
IPC: H01L21/265
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/54 , H01J37/32412 , H01J37/32935 , H01J37/3299
Abstract: 一种利用一飞行时间离子侦测器来控制一等离子体掺杂制程的方法包括于一等离子体腔中产生一包含多个掺杂离子的等离子体，等离子体接近一平台，平台承载一基板。利用一偏压波形偏压该平台，偏压波形具有一负电位，负电位将等离子体中的离子吸引至基板，以进行等离子体掺杂。利用一飞行时间离子侦测器来量测等离子体中出现的离子的谱，其中该谱为离子重量的函数。以法拉第量测系统来测定撞击该基板的离子总数。由所量测的离子的谱来判定一布植曲线。由所测定的离子总数和所算出的布植曲线来判定一积分剂量。依据所算出的该积分剂量来修改至少一等离子体掺杂参数。
-
公开(公告)号：CN101401187B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780008205.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J49/40 , H01J37/32935
Abstract: 一种用于监测等离子体中的离子种类的飞行时间离子感测器包括外壳。漂移管定位于所述外壳中。提取器电极在所述外壳中定位于所述漂移管的一第一末端处，以便自等离子体吸引离子。多个电极定位于所述漂移管的一第一末端处并接近所述提取器电极。偏压所述多个电极，以便使被吸引的离子的至少一部分进入所述漂移管，且向所述漂移管的一第二末端漂移。一离子侦测器接近所述漂移管的所述第二末端而定位。所述离子侦测器侦测与所述被吸引离子的所述至少一部分关联的到达时间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.027 seconds)
