公开(公告)号：CN102598219B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201080046098.4

申请日：2010-10-14

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  维克拉姆·辛 ,  尹赫云 ,  海伦·L·梅纳德 ,  卢多维克·葛特

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32834 ,  H01L29/66803

Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。

公开(公告)号：CN102449731B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201080023330.2

申请日：2010-04-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  维克拉姆·辛 ,  尹赫云

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66803

Abstract: 本发明提供一种保形地处理具有非平面表面的基底的技术。所述技术包含若干阶段。在第一阶段中，有效地处理所述基底的某些表面。在第二阶段期间，这些表面经处置以限制或消除对这些表面的进一步处理。在第三阶段期间，处理所述基底的其他表面。在某些应用中，在所述第一及第二阶段中处理垂直于或实质上垂直于粒子流的表面，而在所述第三阶段中处理其他表面。在某些实施例中，所述第二阶段包含在所述基底上沉积膜。

公开(公告)号：CN102598219A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080046098.4

申请日：2010-10-14

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  维克拉姆·辛 ,  尹赫云 ,  海伦·L·梅纳德 ,  卢多维克·葛特

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32834 ,  H01L29/66803

Abstract: 揭示一种处理具有水平表面以及非水平表面的基材的方法。藉由采用离子植入器，将粒子植入到基材中。在离子植入期间，由于植入处理的性质，可以在表面上沉积薄膜，其中水平表面上的薄膜的厚度较厚。薄膜的出现可能逆向改变基材的特性。为了对此情况进行更正，执行第二处理步骤来移除沉积在水平表面上的薄膜。在一些实施例中，蚀刻处理被用于移除此薄膜。在一些实施例中，材料改性步骤被用于改变组成薄膜的材料的组成物。材料改性步骤可以替代蚀刻处理，或者作为蚀刻处理的附加步骤。

公开(公告)号：CN102449731A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080023330.2

申请日：2010-04-23

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 ,  维克拉姆·辛 ,  尹赫云

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L29/66803

Abstract: 本发明提供一种保形地处理具有非平面表面的基底的技术。所述技术包含若干阶段。在第一阶段中，有效地处理所述基底的某些表面。在第二阶段期间，这些表面经处置以限制或消除对这些表面的进一步处理。在第三阶段期间，处理所述基底的其他表面。在某些应用中，在所述第一及第二阶段中处理垂直于或实质上垂直于粒子流的表面，而在所述第三阶段中处理其他表面。在某些实施例中，所述第二阶段包含在所述基底上沉积膜。