公开(公告)号：CN111327277A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010120589.4

申请日：2020-02-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  卓锦 ,  李杰 ,  首照宇 ,  刘兴鹏 ,  陈春明 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  李琦 ,  高喜 ,  傅涛 ,  张法碧 ,  李思敏 ,  陈志强

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/68

Abstract: 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。

公开(公告)号：CN110823841A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911178130.3

申请日：2019-11-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 肖功利 ,  张开富 ,  杨宏艳 ,  杨秀华 ,  杨寓婷 ,  李海鸥 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  李琦 ,  刘兴鹏 ,  陈永和 ,  孙堂友

IPC: G01N21/552 ,  G01N21/41 ,  G01R33/032 ,  G01K11/32

Abstract: 本发明公开了一种基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器。所述D型光子晶体光纤传感器包括具有平面壁和曲面侧壁的多模光子晶体光纤，其横截面呈D形，在所述D型侧面上具有传感层，纤芯右侧对称的空气孔填充有温敏介质，纤芯下方空气孔填充有磁光介质。本发明在D形光子晶体光纤侧抛表面镀有一层金薄膜，作为传感层，实现高灵敏度的SPR折射率传感器，温敏介质由甲苯构成，实现温度传感，磁光介质由Fe3O4构成，实现磁场传感。本发明的优点是：克服了传统光纤传感器传感参数单一的不足，实现了温度、磁场、折射率三参量的实时测量。另外D型结构的设计减小了传感层与纤芯的距离，有利于与样品的强相互作用，进而实现了高达57900nm/RIU的超高传感灵敏度。该传感器设计新颖，体积小，集成度高，在未来实现光电子集成器件及多功能传感检测领域具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN109607597A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201910042497.6

申请日：2019-01-17

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张法碧 ,  肖骁 ,  孙巾寓 ,  赵昀云 ,  张秀云 ,  李海鸥 ,  陈永和 ,  李琦 ,  肖功利 ,  蒋行国 ,  翟江辉 ,  孙堂友 ,  邓艳容

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。

公开(公告)号：CN109059971A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811114621.7

申请日：2018-09-25

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  刘飞 ,  傅涛 ,  李海鸥 ,  张法碧 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  孙堂友

IPC: G01D5/353

CPC classification number: G01D5/35387 ,  G01D5/35306

Abstract: 本发明提出了一种三孔缝结构的传感器，利用此结构的三个偶极子谐振单元的明模式谐振与暗模式谐振的互作用，产生具有陡的非对称的响应谱线型，从而设计出具有法诺共振现象透射谱的三孔缝结构的传感器。在相同的开关对比度情况下，非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。通过调控结构的几何参数，透射谱中出现了法诺峰的不同程度的红移，可实现法诺谐振的调谐，由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能实现传感器中谐振频率频段的变化，即工作频段不限于THz频段，本传感器可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。

公开(公告)号：CN108681707A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810463134.5

申请日：2018-05-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 蒋行国 ,  万今朝 ,  李海鸥 ,  李琦 ,  张法碧 ,  肖功利 ,  陈永和 ,  傅涛 ,  孙堂友 ,  蔡晓东 ,  苏欣欣

IPC: G06K9/00 ,  G06K9/62 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

CPC classification number: G06K9/00825 ,  G06K9/00744 ,  G06K9/6292 ,  G06K2209/23 ,  G06N3/0454 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明公开一种基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统，当车辆经过车型识别采集区时截取出包含车辆的图像，首先对截取的包含车辆的图像进行裁剪，得到去除复杂背景的车辆图片，将车辆图片分割为车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块。再将车辆图片、车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块导入到深层多分支卷积神经网络中对车辆的全局和局部特征进行特征训练，并将车辆图片特征和各个分块特征进行特征融合。后通过分类器对融合后的特征进行分类识别。本发明将大角度车辆的全局和局部特征进行融合，能够明显的提高大角度车型识别的准确率。

公开(公告)号：CN106847887A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710026314.2

申请日：2017-01-13

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  李跃 ,  首照宇 ,  李思敏 ,  李琦 ,  陈永和 ,  谢仕锋 ,  马磊 ,  张法碧 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/20 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明公开一种III‑V族环栅场效应晶体管及其制备方法，由单晶衬底、隔离层、键合金属层、第一栅金属层、第一栅介质层、第一界面控制层、III‑V族半导体沟道层、第二界面控制层、III‑V族半导体源漏层、界面控制层侧墙、第二栅介质层、第二栅金属层和源漏金属层组成。采用III‑V族半导体材料作为沟道材料，用埋沟道结构加入界面控制层可以有效减少沟道散射，提高沟道载流子迁移率高；采用环栅结构可以有效提高MOSFET器件的栅控能力和电流驱动能力，能够有效抑制器件的短沟道效应和DIBL效应；环栅场效应晶体管可以集成在硅衬底上，可以与其它硅基CMOS集成器件实现单片集成；提供的III‑V族环栅场效应晶体管能够满足III‑V族CMOS在数字电路中的应用。

公开(公告)号：CN113871478B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202111025927.7

申请日：2021-09-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  王磊 ,  陈永和 ,  姜焱彬 ,  黄晓咪 ,  杨保争 ,  曾鹏 ,  何智超 ,  张锋

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极，通过背栅与顶栅控制沟道，实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面，通过顶部栅极偏置电压，使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压，削弱顶部栅所产生的电场，使得沟道二维电子气重新产生，实现P型沟道器件特性。另一方面，在开态下，进一步减小底部栅极偏置电压，异质结界面三角形势阱的深度增加，从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气，P型沟道的HEMT器件难以制造的难题，为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。

公开(公告)号：CN117393645A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311313220.5

申请日：2023-10-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张法碧 ,  王者风 ,  周娟 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  刘兴鹏 ,  李琦 ,  王阳培华 ,  廖清 ,  陈赞辉 ,  首美花 ,  彭英 ,  傅涛 ,  肖功利 ,  邓艳容

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032

Abstract: 本申请提供一种镓铟氧光电探测器及其制备方法，该光电探测器是基于云母这种柔性衬底制备的，具有优异的抗弯折性能，即器件能够按一定角度弯折几千次而性能几乎保持不变，可适用于可穿戴光电探测器。本申请使用脉冲激光沉积设备先在云母衬底上生长一层镓铟氧薄膜，并使用高温退火炉在空气中退火，最后使用磁控溅射法利用金属掩膜版在镓铟氧薄膜上生长Ti/Au叉指电极，制得柔性的镓铟氧光电探测器。本申请通过简单的制备方法成功地在柔性的云母衬底上制备出了镓铟氧光电探测器，且制得的产品性能优异。

公开(公告)号：CN117241590A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311191610.X

申请日：2023-09-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘兴鹏 ,  韦春树 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  傅涛 ,  肖功利 ,  张法碧 ,  李琦

IPC: H10B53/30 ,  H10N97/00

Abstract: 本发明属于微电子存储器技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁电存储器及其制备方法，铁电存储器包括云母基底层、缓冲层、底电极层、BaTiO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待生长薄膜；S2～S3、制备缓冲层；S4、原位退火；S5～S7、制备底电极层和BaTiO3铁电功能氧化物层；S8、原位退火；S9、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3和La0.65Sr0.35MnO3作为缓冲层、1.1％Nb掺杂的SrTiO3作为底电极、BaTiO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性设备中实现高性能的数据存储和读取功能，同时保持对弯曲和形变的适应性。

公开(公告)号：CN116923288A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310760857.2

申请日：2023-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 王阳培华 ,  莫玉舒 ,  刘昊 ,  李海鸥 ,  张法碧 ,  孙堂友 ,  刘兴鹏 ,  陈永和 ,  肖功利 ,  傅涛

IPC: B60R16/023 ,  B60Q9/00 ,  G08C17/02

Abstract: 本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。