公开(公告)号：CN113871478A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111025927.7

申请日：2021-09-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  王磊 ,  陈永和 ,  姜焱彬 ,  黄晓咪 ,  杨保争 ,  曾鹏 ,  何智超 ,  张锋

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极，通过背栅与顶栅控制沟道，实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面，通过顶部栅极偏置电压，使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压，削弱顶部栅所产生的电场，使得沟道二维电子气重新产生，实现P型沟道器件特性。另一方面，在开态下，进一步减小底部栅极偏置电压，异质结界面三角形势阱的深度增加，从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气，P型沟道的HEMT器件难以制造的难题，为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。

公开(公告)号：CN113871478B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202111025927.7

申请日：2021-09-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李琦 ,  王磊 ,  陈永和 ,  姜焱彬 ,  黄晓咪 ,  杨保争 ,  曾鹏 ,  何智超 ,  张锋

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，在传统AlGaN/GaN HEMT器件中引入底部栅极，通过背栅与顶栅控制沟道，实现具有P沟道特性的HEMT器件。一方面，通过顶部栅极偏置电压，使得器件处于关断状态。降低底部栅极偏置电压，削弱顶部栅所产生的电场，使得沟道二维电子气重新产生，实现P型沟道器件特性。另一方面，在开态下，进一步减小底部栅极偏置电压，异质结界面三角形势阱的深度增加，从而增大器件的开态电流。本发明实现的是一种基于双栅的具有P型沟道特性的新型半导体器件，避免了传统HEMT器件的无法实现二维空穴气，P型沟道的HEMT器件难以制造的难题，为实现具有P型沟道特性的HEMT器件提供新的思路。