公开(公告)号：CN111327277A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010120589.4

申请日：2020-02-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  卓锦 ,  李杰 ,  首照宇 ,  刘兴鹏 ,  陈春明 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  李琦 ,  高喜 ,  傅涛 ,  张法碧 ,  李思敏 ,  陈志强

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/68

Abstract: 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。