公开(公告)号：CN116613493A

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN202310476692.6

申请日：2023-04-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘欢 ,  李杰 ,  马静 ,  张仕旸 ,  樊亚仙 ,  陶智勇

IPC: H01P1/207

Abstract: 本发明提供了一种可调谐磁控太赫兹双窄带滤波器，包括平板波导，平板波导包括两个相间隔设置的第一基板和两个相间隔设置第二基板，两个第二基板分别连接于两个第一基板之间；两个第一基板相互靠近的一侧分别设置有金属层；两个金属层与两个第二基板合围形成容纳腔，容纳腔内填充有液晶；金属层包括周期起伏结构和缺陷结构，周期起伏结构包括相互间隔设置的多个凸起和相互间隔设置的多个凹槽，缺陷结构设置于多个凸起中的两个相邻的凸起之间；一个金属层上的多个凸起与另一个金属层上的多个凹槽一一对应设置，其制备工艺简单、易于集成、制作成本低、损耗小，具有调控手段简单、可调谐性能优异、调谐范围宽、双通道、窄带滤波的优点。

公开(公告)号：CN111327277A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN202010120589.4

申请日：2020-02-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  卓锦 ,  李杰 ,  首照宇 ,  刘兴鹏 ,  陈春明 ,  孙堂友 ,  陈永和 ,  李琦 ,  高喜 ,  傅涛 ,  张法碧 ,  李思敏 ,  陈志强

IPC: H03F1/26 ,  H03F3/68

Abstract: 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。

公开(公告)号：CN219371324U

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202321020431.5

申请日：2023-04-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘欢 ,  李杰 ,  马静 ,  张仕旸 ,  樊亚仙 ,  陶智勇

IPC: H01P1/207 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/13 ,  G02F1/09

Abstract: 本实用新型提供了一种可调谐磁控太赫兹双窄带滤波器，包括平板波导，平板波导包括两个相间隔设置的第一基板和两个相间隔设置第二基板，两个第二基板分别连接于两个第一基板之间；两个第一基板相互靠近的一侧分别设置有金属层；两个金属层与两个第二基板合围形成容纳腔，容纳腔内填充有液晶；金属层包括周期起伏结构和缺陷结构，周期起伏结构包括相互间隔设置的多个凸起和相互间隔设置的多个凹槽，缺陷结构设置于多个凸起中的两个相邻的凸起之间；一个金属层上的多个凸起与另一个金属层上的多个凹槽一一对应设置，其制备工艺简单、易于集成、制作成本低、损耗小，具有调控手段简单、可调谐性能优异、调谐范围宽、双通道、窄带滤波的优点。

公开(公告)号：CN307913764S

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202230697267.6

申请日：2022-10-21

Applicant: 桂林电子科技大学

Designer： 李新凯 ,  白若潼 ,  张胧月 ,  胡晓桐 ,  李杰 ,  王一辰 ,  田梓睿 ,  郭一丹 ,  孙宇豪 ,  陈庆雯 ,  刘晨钊

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：高频扫描电子束机。
2.本外观设计产品的用途：用于制备与加工难熔金属，电子束技术已在高温合金的成型制造与精炼、高温合金的焊接、表面改性以及涂层制备等领域。
3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。