公开(公告)号：CN105590646A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201610175017.X

申请日：2010-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  山崎舜平

IPC: G11C11/412 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H03K19/094 ,  G11C27/02

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G06F1/206 ,  G11C11/412 ,  G11C27/024 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/1203 ,  H03K19/094 ,  H03K19/0948

Abstract: 一个目的是提供一种存储器装置，该存储器装置不需要复杂制造过程，并且其功率消耗能够得到抑制，以及一种包括存储器装置的半导体器件。一种解决方案是提供保持数据的电容器以及控制存储器元件的电容器中存储和释放电荷的开关元件。在存储器元件中，诸如倒相器或拍频倒相器之类的倒相元件包括将输入信号的相位倒相并且输出信号。对于开关元件，使用在沟道形成区中包括氧化物半导体的晶体管。在停止向倒相元件施加电源电压的情况下，数据存储在电容器中，使得甚至当停止向倒相元件施加电源电压时，数据也保持在电容器中。

公开(公告)号：CN102437291B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110393104.X

申请日：2005-04-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  纳光明 ,  小山润

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/524

Abstract: 发光器件、其制造方法以及电子设备。在将驱动电路和像素部分形成在公共基板上的情况下，实现了使框架部分进一步减小。此外，利用大基板使发光器件具有用于获得大量面板的有利结构，由此可以增加从基板中得到的面板数量，从而提高生产率。按照本发明，在与外围电路部分重叠的位置提供接线电极，并且用各向异性的导电粘合材料使接线电极与FPC连接。此外，利用与基板的边缘和周围接触的密封剂将覆盖材料牢固固定。

公开(公告)号：CN105185234A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510077450.5

申请日：2004-04-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润

IPC: G09F9/30

CPC classification number: G06F3/1423 ,  F21V9/14 ,  F21V21/00 ,  G09G3/2022 ,  G09G3/30 ,  G09G3/3258 ,  G09G3/3266 ,  G09G5/393 ,  G09G5/395 ,  G09G2300/023 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2340/0492 ,  G09G2360/14 ,  G09G2360/142 ,  H01L27/14678 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3269 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本公开的发明名称为“显示器件和使用该显示器件的设备”。在包括副显示器的常规显示器件中，由于显示器的数量的增加，显示器件的厚度和元件数量会增加。在本发明中，采用了双发射显示器，因此显示器的任一表面可用作主显示器或副显示器。因此，这种显示器的厚度和元件数量得到减小。另外，当本发明用于平板PC、视频相机等时，机械可靠性可得到提高。

公开(公告)号：CN105070715A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510507640.6

申请日：2010-09-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  今井馨太郎

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明的目的是提供具有新结构的半导体装置。公开了半导体器件，其包括第一晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底中的沟道形成区、沟道形成区插入之间的杂质区、位于沟道形成区上的第一栅绝缘层、位于第一栅绝缘层上的第一栅电极、以及电连接至该杂质区的第一源电极和第一漏电极；以及第二晶体管，其包括位于含有半导体材料的衬底上的第二栅电极、位于该第二栅电极上的第二栅绝缘层、位于该第二栅绝缘层上的氧化物半导体层、以及电连接至该氧化物半导体层的第二源电极和第二漏电极。

公开(公告)号：CN102598282B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201080049953.7

申请日：2010-10-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  三宅博之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G02F1/17 ,  G02F1/19

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02603 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种用于晶体管的氧化物半导体层，该氧化物半导体层是本征的或基本本征的并且在该氧化物半导体层的表面部分包括结晶区。从其中去除了将要作为电子施主（施主）的杂质的并且与硅半导体相比具有更大能隙的本征的或基本上本征的半导体被使用。晶体管的电特性能够通过控制设置于关于氧化物半导体层的彼此相对的两侧上的一对导电膜的电位来控制，它们各自具有绝缘膜布置于它们之间，使得形成于氧化物半导体层中的沟道的位置得以确定。

公开(公告)号：CN102213882B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201110096348.1

申请日：2011-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  三宅博之 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/133 ,  G09G3/36

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104 ,  G09G3/342 ,  G09G3/3659 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0443 ,  G09G2300/0814 ,  G09G2310/0205 ,  G09G2310/0235 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明名称为液晶显示器和用于驱动该液晶显示器的方法。在液晶显示器中，图像信号同时供应给提供在像素部分中采用矩阵设置的像素之中的多行中的像素，其中图像信号的输入由在沟道形成区中包括非晶半导体或微晶半导体的晶体管控制。从而，图像信号到每个像素的输入的频率可以增加而不改变包括在该液晶显示器中的晶体管或其类似物的响应速度。

公开(公告)号：CN102646685B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210110904.0

申请日：2001-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  桑原秀明 ,  藤川最史

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1222 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/156 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明的名称是半导体设备及其制造方法。本发明提供了一种半导体设备及其制造方法。按照本发明的一个方面，半导体设备包括：在一个衬底上的象素部分，包括至少一个第一n沟道型薄膜晶体管和至少一个电镀的源布线，该n沟道型薄膜晶体管包括在一个绝缘表面上的一个半导体层，在该半导体层上的一个绝缘薄膜和在该绝缘薄膜上的一个栅极；一个在该衬底上的驱动电路，包括至少第二和第三n沟道薄膜晶体管；一个在该衬底上的电镀的端子部分。

公开(公告)号：CN102598266B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201080051156.2

申请日：2010-10-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小山润 ,  加藤清

IPC: H01L27/105 ,  G11C16/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  G11C11/403 ,  G11C11/405 ,  G11C16/0425 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1225

Abstract: 一种半导体装置，其具有新的结构。该半导体装置包括：彼此串联连接的存储单元；以及电容器。存储单元之一包括：连接到位线及源极线的第一晶体管；连接到信号线及字线的第二晶体管；以及连接到字线的电容器。第二晶体管包含氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极、第二晶体管的源电极和漏电极中的一方、以及电容器的电极中的一方彼此连接。

公开(公告)号：CN102214660B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201110143920.5

申请日：2009-12-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  小山润

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体器件及其制造方法。提供了一种包括薄膜晶体管的半导体器件，该薄膜晶体管具有氧化物半导体层和优秀的电特性。此外，提供了一种用于制造半导体器件的方法，其中在一个衬底上形成多种类型的不同结构的薄膜晶体管以形成多种类型的电路，而且其中没有显著增加步骤数量。在绝缘表面上形成金属薄膜之后，在该金属薄膜上形成氧化物半导体层。然后，执行诸如热处理之类的氧化处理以部分或全部地氧化该金属薄膜。此外，在诸如逻辑电路之类强调操作速度的电路与矩阵电路之间，薄膜晶体管的结构不同。

公开(公告)号：CN101728383B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN200910209087.2

申请日：2009-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  秋元健吾 ,  津吹将志

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H03K19/094

CPC classification number: H03K19/094 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1225 ,  H03K19/09407 ,  H03K19/09421 ,  H03K19/096

Abstract: 本发明涉及一种逻辑电路。本发明的目标是要将使用氧化物半导体的晶体管应用于包括增强型晶体管的逻辑电路。该逻辑电路包括耗尽型晶体管101和增强型晶体管102。晶体管101和102的每个包括栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极、及漏电极。晶体管102包括设置于第一氧化物半导体层在源电极和漏电极之间的区域之上的还原防止层。