公开(公告)号：CN102498570B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201080040387.3

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

Abstract: 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN101800250B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201010116559.2

申请日：2010-01-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  丸山穗高 ,  乡户宏充 ,  河江大辅 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 发明的目的在于提供一种备有使用氧化物半导体层且电特性优良的薄膜晶体管的半导体装置。将含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层用作沟道形成区，并且为了降低其与由电阻值低的金属材料构成的布线层的接触电阻，在源电极层以及漏电极层与上述含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层之间设置源区或漏区。源区或漏区以及像素区使用同一层的不含有SiOX的In-Sn-O类氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN102668097B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201080052545.7

申请日：2010-10-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  坂田淳一郎 ,  及川欣聪 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明的目的在于，提供用于制造具有使用氧化物半导体形成的薄膜晶体管且具有稳定电特性的高度可靠的半导体器件的方法。半导体器件包括隔着栅绝缘膜与栅电极重叠的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜接触的源电极和漏电极。源电极和漏电极包括混合物、金属化合物、或者包含具有低负电性的金属(诸如钛、镁、钇、铝、钨和钼)中的一种或多种的合金。源电极和漏电极中的氢浓度是氧化物半导体膜中的氢浓度的1.2倍、优选大于或等于它的5倍。

公开(公告)号：CN104617103A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510001758.1

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和半导体装置。在液晶显示装置的像素部中，第一晶体管包括第一栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源和漏电极；氧化物绝缘层在第一源和漏电极上；像素电极经第一接触孔与第一源或漏电极电连接。在同一衬底上的驱动电路部中，第二晶体管包括第二栅电极、栅极绝缘层、第二氧化物半导体层、第二源和漏电极；氧化物绝缘层在第二源和漏电极上；第三导电层在氧化物绝缘层上；第二氧化物半导体层夹在第二栅电极和第三导电层间；通过加工同一导电膜形成第一及第二栅电极和第一导电层；第二导电层包括第二和第三接触孔中的区域；第三接触孔包括重叠于第二接触孔的区域；第一导电层经第二导电层与第二源或漏电极电连接。

公开(公告)号：CN102160179A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980136494.3

申请日：2009-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 江口晋吾 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/12 ,  G06K19/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13

Abstract: 提供了减少了起因于静电放电的特性不良的半导体装置及其制造方法。该半导体装置至少具有如下三个结构中的一个：(1)在电路部的周围区域中，第一和第二绝缘膜彼此直接接触的结构；(2)第一和第二绝缘体彼此密接的结构；(3)在第一绝缘体和第二绝缘体的外表面上分别设置第一导电层及第二导电层，第一导电层和第二导电层之间的电导通在周围区域的侧面实现的结构。注意，通过将多个半导体装置分割成分离的半导体装置可以实现侧面的导通。

公开(公告)号：CN101996989A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010246771.0

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明的目的之一在于提供一种发光装置以及该发光装置的制造方法，在该发光装置中，在同一衬底上形成有多种电路，并具备分别对应于多种电路的特性的多种薄膜晶体管。作为用于像素的薄膜晶体管，使用具有重叠于源电极层及漏电极层上的氧化物半导体层的反共面型。作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用沟道停止型。在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置上且在薄膜晶体管和发光元件之间设置滤色片层。

公开(公告)号：CN101625472A

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200910152136.3

申请日：2009-07-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  江口晋吾 ,  增山光男 ,  片庭正敏 ,  小路博信 ,  中田昌孝

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/133305 ,  G02F2201/503 ,  G02F2202/22

Abstract: 本发明提供具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置。另外，还提供以高成品率制造具有柔性并且即使受到来自外部的压力也不容易损坏的可靠性高的液晶显示装置的方法。一种液晶显示装置，包括：包括第一纤维体和第一有机树脂的第一结构体；包括第二纤维体和第二有机树脂的第二结构体；夹持在所述第一及所述第二结构体之间的液晶；使所述第一及所述第二结构体固定，并且密封所述液晶的密封剂。所述第一及所述第二纤维体分别浸渗有所述第一及所述第二有机树脂，并且所述第一及所述第二结构体彼此接触。

公开(公告)号：CN100483783C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410076968.9

申请日：2004-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  村上雅一 ,  森谷幸司 ,  及川欣聪 ,  浅见勇臣 ,  大谷久

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259

Abstract: 根据本发明，一个绝缘的或半绝缘的具有隧道电流能流过的厚度的壁垒层设置在空穴注入电极和带有空穴传输特性的有机化合物层(空穴注入层或空穴传输层)之间。具体地说，含有硅或二氧化硅的绝缘的或半绝缘的薄壁垒层；硅或二氧化硅和光传送导电氧化物材料；或硅或二氧化硅，光传送导电氧化物材料，以及碳可以被设置在由光传送导电氧化物材料形成的光传送导电氧化物薄膜和含有有机化合物的空穴注入层之间。

公开(公告)号：CN115274860B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202210756520.X

申请日：2016-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 及川欣聪 ,  大泽信晴 ,  神长正美 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H10K59/12 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H05B33/14

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。

公开(公告)号：CN116802726A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202280012092.8

申请日：2022-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  塚本洋介 ,  楠纮慈 ,  池田寿雄 ,  远藤秋男 ,  及川欣聪 ,  鱼地秀贵

IPC: G09G5/00

Abstract: 本公开的发明名称是“半导体装置及电子设备”。提供一种显示品质优异的半导体装置。该半导体装置包括显示部、视线检测部、控制部以及运算部，视线检测部具有取得示出使用者的视线方向的第一信息的功能，运算部具有利用第一信息决定包括使用者的注视点的显示部上的第一区域的功能以及提高显示在第一区域上的图像的分辨率的功能。为了取得示出视线方向的第一信息，也可以使用从显示部发射的光。