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公开(公告)号:CN101402140A
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200810168098.6
申请日:2008-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F9/24
CPC classification number: C23C18/1212 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/126 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C22C5/06 , C22C13/00 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1644 , C23C18/1692 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C23C18/42 , Y10T428/24413
Abstract: 制备金属纳米颗粒无机复合物10的方法,该方法包括:氧化物膜形成步骤,在该步骤中通过溶胶-凝胶法在基材上形成具有微孔的氧化物膜14,在所述溶胶-凝胶法中,金属醇盐受酸催化剂作用被部分水解;锡沉积步骤,在该步骤中,使氧化物膜14与氯化锡的酸性水溶液接触;过量Sn2+离子去除步骤,在该步骤中,从微孔中除去Sn2+离子;金属纳米颗粒沉积步骤,在该步骤中,将氧化物膜14与金属螯合物的水溶液接触以在微孔中沉积金属纳米颗粒12;和过量金属离子去除步骤,在该步骤中,从微孔中除去金属离子。通过这种方法制备金属纳米颗粒无机复合物10。
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公开(公告)号:CN1329980C
公开(公告)日:2007-08-01
申请号:CN200410007336.7
申请日:2004-03-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/49894 , H01L23/145 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H05K1/0306 , H05K1/0313 , H05K3/102 , H05K3/12 , H05K3/38 , H05K2201/0116 , H05K2201/0257 , H05K2201/2072 , Y10T428/24917 , Y10T428/249953 , Y10T428/249956 , Y10T428/249957 , Y10T428/249958 , Y10T428/249987 , Y10T428/249999 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种布线部件,它包括一种具有大量开放式元胞的薄片状布线基板,这种开放式元胞在三维方向分枝,并对多孔基板的第一主表面以及第二主表面开放,以及一种形成于多孔基板的第一主表面之上的导电部分,在多孔基板的界面上至少部分地与多孔基板形成相互渗透结构。第一主表面上的开放式元胞的孔隙有平均直径和平均孔隙数目,其中至少一项指标要小于第二主表面的该项指标。
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公开(公告)号:CN1489202A
公开(公告)日:2004-04-14
申请号:CN03156343.0
申请日:2003-09-04
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H05K3/185 , H01L21/486 , H01L23/145 , H01L23/15 , H01L23/3114 , H01L23/49805 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05026 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/16 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2225/1023 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15192 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H05K2201/0116 , H05K2203/1469 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164
Abstract: 本发明提供一种实现了电子器件的小型安装结构的电子器件模块。在具有布线基板和与该布线基板一体化的电子器件的模块中,布线基板具有多孔质绝缘性基板,以及由选择性地导入该绝缘性基板的多孔质组织内的导电材料所形成的导体布线。
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公开(公告)号:CN112615067B
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202010659895.5
申请日:2020-07-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M10/38 , H01M10/42 , H01M50/502 , B60L50/64
Abstract: 本发明提供一种储存性能和循环效率优异的二次电池。实施方式的二次电池具备正极、保持在正极中的第1水系电解质、负极、保持在负极中的第2水系电解质、和介于正极与负极之间的隔膜,第1水系电解质的渗透压(N/m2)与第2水系电解质的渗透压(N/m2)的差相对于第1水系电解质的渗透压和第2水系电解质的渗透压中的某一较大者为90%以下(包含0%)。
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公开(公告)号:CN111183539B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN201980004211.3
申请日:2019-02-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的一个实施方式提供一种二次电池,其包括正极、负极和水系电解质。所述正极包含正极活性材料。所述负极包含负极活性材料和添加树脂,所述添加树脂含有羟基单元和第一单元。所述第一单元由缩丁醛单元和缩乙醛单元中的至少一个组成。所述添加树脂中含有的第一单元的含量与所述添加树脂中含有的羟基单元的含量的含量比在1.2至18的范围内。
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公开(公告)号:CN110299571B
公开(公告)日:2022-09-23
申请号:CN201811007160.3
申请日:2018-08-31
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M10/38
Abstract: 本发明提供二次电池、电池组、车辆及固定用电源。具体地,本发明提供充放电效率和贮存性能高的二次电池、含有该二次电池的电池组、搭载有该电池组的车辆、以及含有电池组的固定用电源。本发明实施方式的二次电池具备水系电解质、正极和负极,在负极表面的至少一部分,存在含有选自Hg、Pb、Zn和Bi中的至少1种元素A的化合物,根据扫描型电子显微镜,含有元素A的化合物的存在区域为50%以上。
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公开(公告)号:CN111183539A
公开(公告)日:2020-05-19
申请号:CN201980004211.3
申请日:2019-02-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的一个实施方式提供一种二次电池,其包括正极、负极和水系电解质。所述正极包含正极活性材料。所述负极包含负极活性材料和添加树脂,所述添加树脂含有羟基单元和第一单元。所述第一单元由缩丁醛单元和缩乙醛单元中的至少一个组成。所述添加树脂中含有的第一单元的含量与所述添加树脂中含有的羟基单元的含量的含量比在1.2至18的范围内。
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公开(公告)号:CN103515583A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201310056303.0
申请日:2013-02-22
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/134 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0471 , H01M4/133 , H01M4/366 , H01M4/625 , H01M2004/021 , Y02E60/122 , H01M4/48 , H01M4/131 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供长寿命的非水电解质二次电池用负极材料、非水电解质二次电池用负极活性物质、非水电解质二次电池用负极、非水电解质二次电池以及电池包。实施方式的非水电解质二次电池用负极材料为包含硅和氧化硅的由组成式SiOx表示的硅氧化物,x满足0.1≤x≤0.8,硅氧化物含有晶体硅,在晶体硅中的直径为1nm以上的粒状物中,直径为100nm以下的粒状物以个数计为90%以上,硅氧化物的BET比表面积大于100m2/g。
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公开(公告)号:CN102969105A
公开(公告)日:2013-03-13
申请号:CN201210320275.4
申请日:2012-08-31
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/01 , B22F1/0018 , B22F1/02 , B22F2998/10 , B82Y25/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C22C29/12 , C22C32/001 , H01F1/153 , H01F1/15333 , H01F1/24 , H01F1/33 , H01F41/005 , H01F41/0246 , Y10S977/774 , Y10S977/778 , Y10S977/81 , Y10S977/838 , Y10S977/89 , Y10T428/12181 , Y10T428/2991 , Y10T428/325 , B22F1/0003 , C22C1/1084 , C22C1/1094
Abstract: 本发明的实施方式的磁性材料具备:含有选自由Fe、Co、Ni组成的组中的至少1种磁性金属、选自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、Zn、Mn、稀土类元素、Ba及Sr中的至少1种非磁性金属的磁性粒子;将上述磁性粒子的至少一部分被覆的第1氧化物的第1被覆层;存在于上述磁性粒子间且与第1氧化物构成共晶反应体系的第2氧化物的氧化物粒子;及存在于上述磁性粒子间且具有第1氧化物与第2氧化物的共晶组织的氧化物相。
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