-
公开(公告)号：CN115036425A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110985714.2
申请日：2021-08-26
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及光电转换元件及其制造方法。提供能改善特性的光电转换元件及其制造方法。根据实施方式，光电转换元件包含第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间且含有Sn及Pb的光电转换层。上述光电转换层包含第1部分区域、上述第1部分区域与上述第2导电层之间的第2部分区域、和上述第2部分区域与上述第2导电层之间的第3部分区域。上述第1部分区域具有第1Sn浓度和第1Pb浓度。上述第2部分区域具有低于上述第1Sn浓度的第2Sn浓度和高于上述第1Pb浓度的第2Pb浓度的至少任一者。上述第3部分区域包含Sn、氧和Pb。
-
公开(公告)号：CN111201626A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201880056121.4
申请日：2018-09-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L51/44
Abstract: 本发明提供一种提高了邻接的两个光电转换层的邻接部之间的电分离性的光电转换元件。实施方式的光电转换元件(1)具备：设置于透明基板(2)的具备第1透明电极(4A)、第1光电转换层(5A)以及第1对置电极(6A)的第1光电转换部(3A)；以及具备第2透明电极(4B)、第2光电转换层(5B)以及第2对置电极(6B)的第2光电转换部(3A)。第1对置电极(6A)和第2透明电极(4B)通过连接部(7)电连接。在第1光电转换层(5A)和第2光电转换层(5B)中，通过电阻比第1及第2光电转换层(5A)、(5B)高的非活性区域(10)，邻接的第1及第2光电转换层(5A)、(5B)的邻接部之间电分离。
-
公开(公告)号：CN101402140A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810168098.6
申请日：2008-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F9/24
CPC classification number: C23C18/1212 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/126 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C22C5/06 , C22C13/00 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1644 , C23C18/1692 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C23C18/42 , Y10T428/24413
Abstract: 制备金属纳米颗粒无机复合物10的方法，该方法包括：氧化物膜形成步骤，在该步骤中通过溶胶－凝胶法在基材上形成具有微孔的氧化物膜14，在所述溶胶－凝胶法中，金属醇盐受酸催化剂作用被部分水解；锡沉积步骤，在该步骤中，使氧化物膜14与氯化锡的酸性水溶液接触；过量Sn2+离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去Sn2+离子；金属纳米颗粒沉积步骤，在该步骤中，将氧化物膜14与金属螯合物的水溶液接触以在微孔中沉积金属纳米颗粒12；和过量金属离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去金属离子。通过这种方法制备金属纳米颗粒无机复合物10。
-
公开(公告)号：CN113646913A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080018229.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L51/44
Abstract: 实施方式的光电变换器件1具备：基板(2)；第1组件区域(3A)，具备第1下部电极(5A)、包含钙钛矿化合物的第1光电变换层(6A)以及第1上部电极(7A)；第2组件区域(3B)，具备第2下部电极(5B)、包含钙钛矿化合物的第2光电变换层(6B)以及第2上部电极(7B)；以及组件间区域(4A)，具备使下部电极间分离的第1槽(8)、使光电变换层间分离的第2槽(9)、将第1上部电极与第2下部电极进行电连接的导电部(11)以及使上部电极间分离的第3槽(10)。包括第1以及第2下部电极的基板和第1以及第2上部电极中的至少一方包含透光性材料。包含光反射材料、光散射材料以及光吸收材料中的至少1个材料的构件以覆盖第1槽、第2槽以及第3槽的第1组件区域侧的侧壁的方式配置于透光性材料侧。
-
公开(公告)号：CN100394254C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510107611.7
申请日：2005-09-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02F1/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , G02F1/01716 , G02F2001/0151 , G02F2001/01791
Abstract: 提供一种折射率变化元件和折射率变化方法。折射率变化元件包括：包含具有离散能级的多个量子点和包围量子点的介电基体的结构部；和通过介电基体将电子注入量子点的电子注入部。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1755427A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510107611.7
申请日：2005-09-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02F1/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , G02F1/01716 , G02F2001/0151 , G02F2001/01791
Abstract: 提供一种折射率变化元件和折射率变化方法。折射率变化元件包括：包含具有离散能级的多个量子点和包围量子点的介电基体的结构部；和通过介电基体将电子注入量子点的电子注入部。
-
公开(公告)号：CN111201626B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880056121.4
申请日：2018-09-18
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明提供一种提高了邻接的两个光电转换层的邻接部之间的电分离性的光电转换元件。实施方式的光电转换元件(1)具备：设置于透明基板(2)的具备第1透明电极(4A)、第1光电转换层(5A)以及第1对置电极(6A)的第1光电转换部(3A)；以及具备第2透明电极(4B)、第2光电转换层(5B)以及第2对置电极(6B)的第2光电转换部(3A)。第1对置电极(6A)和第2透明电极(4B)通过连接部(7)电连接。在第1光电转换层(5A)和第2光电转换层(5B)中，通过电阻比第1及第2光电转换层(5A)、(5B)高的非活性区域(10)，邻接的第1及第2光电转换层(5A)、(5B)的邻接部之间电分离。
-
公开(公告)号：CN114447227A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110985788.6
申请日：2021-08-26
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、涂布液、涂布方法和涂布装置。提供能改善特性的光电转换元件、涂布液、涂布方法和涂布装置。根据实施方式，光电转换元件包含第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间的光电转换层。上述光电转换层包含钙钛矿型化合物和第1化合物，上述第1化合物包含选自吡咯烷酮衍生物、尿素衍生物、咪唑衍生物、吡啶衍生物和二胺衍生物中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN101402140B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810168098.6
申请日：2008-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F9/24
CPC classification number: C23C18/1212 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/126 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C22C5/06 , C22C13/00 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1644 , C23C18/1692 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C23C18/42 , Y10T428/24413
Abstract: 制备金属纳米颗粒无机复合物（10）的方法，该方法包括：氧化物膜形成步骤，在该步骤中通过溶胶-凝胶法在基材上形成具有微孔的氧化物膜（14），在所述溶胶-凝胶法中，金属醇盐受酸催化剂作用被部分水解；锡沉积步骤，在该步骤中，使氧化物膜（14）与氯化锡的酸性水溶液接触；过量Sn2+离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去Sn2+离子；金属纳米颗粒沉积步骤，在该步骤中，将氧化物膜（14）与金属螯合物的水溶液接触以在微孔中沉积金属纳米颗粒（12）；和过量金属离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去金属离子。通过这种方法制备金属纳米颗粒无机复合物（10）。
-
公开(公告)号：CN101276124A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087861.2
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02F1/355 , Y10T428/24413
Abstract: 本发明提供一种制造不使金属微粒凝聚而是使之高密度地分散在硅氧化膜内的金属微粒分散膜的方法。本发明的金属微粒分散膜的制造方法，其特征在于，通过将有机硅烷进行使侧链上残存羟基或醇盐基的水解和缩聚反应来形成硅氧化膜，使所述硅氧化膜与酸性的氯化锡水溶液接触，接着，通过使所述硅氧化膜与金属螯合物的水溶液接触而使金属微粒分散在硅氧化膜中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.019 seconds)
