公开(公告)号：CN112514082B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN201980016402.1

申请日：2019-03-19

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

发明人： 大冈青日 ,  都鸟顕司 ,  藤永贤治

IPC分类号： H01L31/0465 ,  H10K30/50 ,  H10K30/60 ,  H10K30/89 ,  H10K30/81

摘要： 实施方式的光电转换元件(1)具备：第1光电转换层(3A)，具备下部电极(4A)、光电转换层(5A)及上部电极(6A)；以及第2光电转换层(3B)，具备下部电极(4B)、光电转换层(5B)及上部电极(6B)。在下部电极(4B)上形成有导电层(14)。上部电极(6A)与下部电极(4B)通过由被嵌入第1槽(11)内的上部电极(6A)的一部分构成的导电部和导电层(14)而电连接，该第1槽(11)使导电层(14)的表面暴露，且将光电转换层(5A)和光电转换层(5B)分离。上部电极(6A)与上部电极(6B)被第2槽(12)分离，该第2槽(12)被设置为使设置于光电转换层(5B)的阶梯部(17)的台面暴露，且底面与导电层(14)的表面重合。

公开(公告)号：CN116458276A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077074.3

申请日：2021-07-08

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

发明人： 五反田武志 ,  户张智博 ,  齐田穣 ,  山下胜也 ,  藤永贤治 ,  盐川美雪

IPC分类号： H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

摘要： 本发明提供一种能以高效率发电、而且耐久性高的光电转换元件及其制造方法。实施方式的光电转换元件具备第一电极(11)、具有含卤素离子的钙钛矿结构的活性层(13)和透光性的第二电极(16)，通过活性层的交流阻抗谱法测定的瓦尔堡系数是被特定的。这样的元件可通过在涂布了含有钙钛矿结构的前体的溶液后，实施适当的退火处理或喷气来制造。

公开(公告)号：CN113646913A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080018229.1

申请日：2020-03-10

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

发明人： 森茂彦 ,  中尾英之 ,  天野昌朗 ,  都鸟显司 ,  藤永贤治

IPC分类号： H01L51/44

摘要： 实施方式的光电变换器件1具备：基板(2)；第1组件区域(3A)，具备第1下部电极(5A)、包含钙钛矿化合物的第1光电变换层(6A)以及第1上部电极(7A)；第2组件区域(3B)，具备第2下部电极(5B)、包含钙钛矿化合物的第2光电变换层(6B)以及第2上部电极(7B)；以及组件间区域(4A)，具备使下部电极间分离的第1槽(8)、使光电变换层间分离的第2槽(9)、将第1上部电极与第2下部电极进行电连接的导电部(11)以及使上部电极间分离的第3槽(10)。包括第1以及第2下部电极的基板和第1以及第2上部电极中的至少一方包含透光性材料。包含光反射材料、光散射材料以及光吸收材料中的至少1个材料的构件以覆盖第1槽、第2槽以及第3槽的第1组件区域侧的侧壁的方式配置于透光性材料侧。

公开(公告)号：CN112352327B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201980016348.0

申请日：2019-03-19

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

发明人： 大冈青日 ,  中尾英之 ,  藤永贤治

IPC分类号： H10K30/89 ,  H10K30/81 ,  H10K30/50 ,  H10K71/60

摘要： 光电转换元件具备：基板；第1光电转换部，具备第1基板电极、第1活性层和第1对置电极；第2光电转换部，具备第2基板电极、第2活性层和第2对置电极；以及连接部，具备使第2基板电极的表面从第2活性层暴露的槽和由被嵌入槽的第1对置电极的一部分构成的导电部，该连接部经由导电部将第1对置电极与第2基板电极电连接。第2活性层由组成式：AαBXχ表示。第2活性层具有：第1化合物层，包含满足0.95≤α且2.95≤χ的第1化合物；以及第2化合物层，配置于第1化合物层与第2基板电极之间，包含满足α＜0.95且χ＜2.95的第2化合物。

公开(公告)号：CN112514082A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980016402.1

申请日：2019-03-19

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

发明人： 大冈青日 ,  都鸟顕司 ,  藤永贤治

IPC分类号： H01L31/0465 ,  H01L51/44

摘要： 实施方式的光电转换元件(1)具备：第1光电转换部(3A)，具备下部电极(4A)、光电转换部(5A)及上部电极(6A)；以及第2光电转换部(3B)，具备下部电极(4B)、光电转换部(5B)及上部电极(6B)。在下部电极(4B)上形成有导电层(14)。上部电极(6A)与下部电极(4B)通过由被嵌入第1槽(11)内的上部电极(6A)的一部分构成的导电部和导电层(14)而电连接，该第1槽(11)使导电层(14)的表面暴露，且将光电转换层(5A)和光电转换层(5B)分离。上部电极(6A)与上部电极(6B)被第2槽(12)分离，该第2槽(12)被设置为使设置于光电转换层(5B)的阶梯部(17)的台面暴露，且底面与导电层(14)的表面重合。

公开(公告)号：CN112352327A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201980016348.0

申请日：2019-03-19

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

发明人： 大冈青日 ,  中尾英之 ,  藤永贤治

IPC分类号： H01L51/44

摘要： 光电转换元件具备：基板；第1光电转换部，具备第1基板电极、第1活性层和第1对置电极；第2光电转换部，具备第2基板电极、第2活性层和第2对置电极；以及连接部，具备使第2基板电极的表面从第2活性层暴露的槽和由被嵌入槽的第1对置电极的一部分构成的导电部，该连接部经由导电部将第1对置电极与第2基板电极电连接。第2活性层由组成式：AαBXχ表示。第2活性层具有：第1化合物层，包含满足0.95≤α且2.95≤χ的第1化合物；以及第2化合物层，配置于第1化合物层与第2基板电极之间，包含满足α＜0.95且χ＜2.95的第2化合物。

公开(公告)号：CN111201626A

公开(公告)日：2020-05-26

申请号：CN201880056121.4

申请日：2018-09-18

申请人： 株式会社东芝

发明人： 天野昌朗 ,  中尾英之 ,  都鸟显司 ,  藤永贤治

IPC分类号： H01L51/44

摘要： 本发明提供一种提高了邻接的两个光电转换层的邻接部之间的电分离性的光电转换元件。实施方式的光电转换元件(1)具备：设置于透明基板(2)的具备第1透明电极(4A)、第1光电转换层(5A)以及第1对置电极(6A)的第1光电转换部(3A)；以及具备第2透明电极(4B)、第2光电转换层(5B)以及第2对置电极(6B)的第2光电转换部(3A)。第1对置电极(6A)和第2透明电极(4B)通过连接部(7)电连接。在第1光电转换层(5A)和第2光电转换层(5B)中，通过电阻比第1及第2光电转换层(5A)、(5B)高的非活性区域(10)，邻接的第1及第2光电转换层(5A)、(5B)的邻接部之间电分离。

公开(公告)号：CN111201626B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201880056121.4

申请日：2018-09-18

申请人： 株式会社东芝

发明人： 天野昌朗 ,  中尾英之 ,  都鸟显司 ,  藤永贤治

IPC分类号： H10K30/10 ,  H10K30/81 ,  H10K85/50

摘要： 本发明提供一种提高了邻接的两个光电转换层的邻接部之间的电分离性的光电转换元件。实施方式的光电转换元件(1)具备：设置于透明基板(2)的具备第1透明电极(4A)、第1光电转换层(5A)以及第1对置电极(6A)的第1光电转换部(3A)；以及具备第2透明电极(4B)、第2光电转换层(5B)以及第2对置电极(6B)的第2光电转换部(3A)。第1对置电极(6A)和第2透明电极(4B)通过连接部(7)电连接。在第1光电转换层(5A)和第2光电转换层(5B)中，通过电阻比第1及第2光电转换层(5A)、(5B)高的非活性区域(10)，邻接的第1及第2光电转换层(5A)、(5B)的邻接部之间电分离。