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公开(公告)号：CN101402140B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810168098.6
申请日：2008-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F9/24
CPC classification number: C23C18/1212 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/126 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C22C5/06 , C22C13/00 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1644 , C23C18/1692 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C23C18/42 , Y10T428/24413
Abstract: 制备金属纳米颗粒无机复合物（10）的方法，该方法包括：氧化物膜形成步骤，在该步骤中通过溶胶-凝胶法在基材上形成具有微孔的氧化物膜（14），在所述溶胶-凝胶法中，金属醇盐受酸催化剂作用被部分水解；锡沉积步骤，在该步骤中，使氧化物膜（14）与氯化锡的酸性水溶液接触；过量Sn2+离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去Sn2+离子；金属纳米颗粒沉积步骤，在该步骤中，将氧化物膜（14）与金属螯合物的水溶液接触以在微孔中沉积金属纳米颗粒（12）；和过量金属离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去金属离子。通过这种方法制备金属纳米颗粒无机复合物（10）。
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公开(公告)号：CN101276124A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810087861.2
申请日：2008-03-26
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G02B6/1226 , B82Y20/00 , G02F1/355 , Y10T428/24413
Abstract: 本发明提供一种制造不使金属微粒凝聚而是使之高密度地分散在硅氧化膜内的金属微粒分散膜的方法。本发明的金属微粒分散膜的制造方法，其特征在于，通过将有机硅烷进行使侧链上残存羟基或醇盐基的水解和缩聚反应来形成硅氧化膜，使所述硅氧化膜与酸性的氯化锡水溶液接触，接着，通过使所述硅氧化膜与金属螯合物的水溶液接触而使金属微粒分散在硅氧化膜中。
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公开(公告)号：CN103137647B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210332475.1
申请日：2012-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/28 , C07C323/31 , C07D495/04 , C07D333/20 , C07D333/32 , C07D519/00 , C07D339/06
CPC classification number: H01L45/14 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/53 , G11C2213/77 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0056 , H01L51/0068 , H01L51/0073 , H01L51/0098 , H01L51/0591
Abstract: 实施方案的有机分子存储器包括：第一传导层；第二传导层；和有机分子层，该有机分子层在第一传导层和第二传导层之间提供并且含有选自在分子体系中具有分子骨架且同时满足下述条件(I)和(II)的分子的有机分子，其中所述分子骨架具有沿分子轴延伸的π-电子体系：(I)最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)中一个沿分子轴离域，且另一个相对于分子轴定域；和(II)最高占据分子轨道(HOMO)的能级值为-5.75eV或更高。
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公开(公告)号：CN101402140A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810168098.6
申请日：2008-09-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B22F9/24
CPC classification number: C23C18/1212 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01B33/126 , C01B33/14 , C01B33/18 , C01P2002/82 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C01P2006/16 , C22C5/06 , C22C13/00 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/1644 , C23C18/1692 , C23C18/1879 , C23C18/1889 , C23C18/42 , Y10T428/24413
Abstract: 制备金属纳米颗粒无机复合物10的方法，该方法包括：氧化物膜形成步骤，在该步骤中通过溶胶－凝胶法在基材上形成具有微孔的氧化物膜14，在所述溶胶－凝胶法中，金属醇盐受酸催化剂作用被部分水解；锡沉积步骤，在该步骤中，使氧化物膜14与氯化锡的酸性水溶液接触；过量Sn2+离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去Sn2+离子；金属纳米颗粒沉积步骤，在该步骤中，将氧化物膜14与金属螯合物的水溶液接触以在微孔中沉积金属纳米颗粒12；和过量金属离子去除步骤，在该步骤中，从微孔中除去金属离子。通过这种方法制备金属纳米颗粒无机复合物10。
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公开(公告)号：CN103403905A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201280009970.7
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/53 , H01L29/16 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , H01L51/0098 , H01L51/0591
Abstract: 一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103137647A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210332475.1
申请日：2012-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/28 , C07C323/31 , C07D495/04 , C07D333/20 , C07D333/32 , C07D519/00 , C07D339/06
CPC classification number: H01L45/14 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/53 , G11C2213/77 , H01L51/0054 , H01L51/0055 , H01L51/0056 , H01L51/0068 , H01L51/0073 , H01L51/0098 , H01L51/0591
Abstract: 实施方案的有机分子存储器包括：第一传导层；第二传导层；和有机分子层，该有机分子层在第一传导层和第二传导层之间提供并且含有选自在分子体系中具有分子骨架且同时满足下述条件(I)和(II)的分子的有机分子，其中所述分子骨架具有沿分子轴延伸的π-电子体系：(I)最高占据分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)中一个沿分子轴离域，且另一个相对于分子轴定域；和(II)最高占据分子轨道(HOMO)的能级值为-5.75eV或更高。
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公开(公告)号：CN105448929A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510552750.4
申请日：2015-09-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , H01L21/8229
CPC classification number: H01L29/518 , G11C11/5664 , G11C16/0483 , H01L27/285 , H01L29/511 , H01L29/517 , H01L51/0091 , H01L51/0591
Abstract: 本发明提供一种可实现优良的电荷保持特性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置具有：半导体层、控制栅极电极和有机分子层，该有机分子层设置于半导体层和控制栅极电极之间、并具有含有由分子式(1)表示的分子结构的有机分子。
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公开(公告)号：CN100394254C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510107611.7
申请日：2005-09-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02F1/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , G02F1/01716 , G02F2001/0151 , G02F2001/01791
Abstract: 提供一种折射率变化元件和折射率变化方法。折射率变化元件包括：包含具有离散能级的多个量子点和包围量子点的介电基体的结构部；和通过介电基体将电子注入量子点的电子注入部。
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公开(公告)号：CN1755427A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510107611.7
申请日：2005-09-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G02F1/00
CPC classification number: B82Y20/00 , B82Y10/00 , G02F1/01716 , G02F2001/0151 , G02F2001/01791
Abstract: 提供一种折射率变化元件和折射率变化方法。折射率变化元件包括：包含具有离散能级的多个量子点和包围量子点的介电基体的结构部；和通过介电基体将电子注入量子点的电子注入部。
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公开(公告)号：CN103403905B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280009970.7
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/792 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/53 , H01L29/16 , H01L29/42348 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , H01L51/0098 , H01L51/0591
Abstract: 一个实施方案的有机分子存储器包含第一导电层、第二导电层和置于第一导电层与第二导电层之间的有机分子层，其中有机分子层包含电阻变化型分子链或电荷储存分子链，电阻变化型分子链或电荷储存分子链具有吸电子取代基。
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