公开(公告)号：CN100568562C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200680032456.X

申请日：2006-09-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  三木久幸 ,  村木典孝

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有优良的光输出效率，且仅仅需要很低的驱动电压(Vf)。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上由氮化镓基化合物半导体形成和依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，并且正电极和负电极被设置为分别与所述p型半导体层和所述n型半导体层接触，其中，p型杂质和氢原子共存于其中的区域存在于与所述正电极接触的所述p型半导体层中，并且所述正电极的至少与所述p型半导体层接触的部分由n型导电透光材料形成。

公开(公告)号：CN101517759A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035629.8

申请日：2007-09-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  酒井浩光 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板(11)上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层(12)，并在该中间层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具有对基板(11)进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之后的、采用溅射法在基板(11)上形成中间层(12)的溅射工序。

公开(公告)号：CN101438429A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200780016568.0

申请日：2007-05-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光 ,  塙健三 ,  横山泰典 ,  佐佐木保正 ,  加治亘章

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。

公开(公告)号：CN100481539C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200580003365.9

申请日：2005-01-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  樱井哲朗 ,  武田仁志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。

公开(公告)号：CN1943047A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200580011658.1

申请日：2005-03-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 小早川真人 ,  友泽秀喜 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L33/025 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3054 ,  H01S5/32341 ,  Y02E10/544

Abstract: 一种氮化镓基半导体器件具有p型层，所述p型层是包含p型杂质并呈现p型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述p型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述p型杂质元素和与之结合的氢。

公开(公告)号：CN101796157B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200880105260.8

申请日：2008-09-01

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 盐井恒介 ,  广崎尚登 ,  三木久幸

IPC: C09K11/64 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/592 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L24/45 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种荧光体，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示组成的荧光材料，其特征在于，M(0)元素选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu，M(1)元素选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb，M(2)元素选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr，M(3)元素选自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn，O元素是氧，N元素是氮，并且满足下面所有条件：33≤x≤51、8≤y≤12、36≤z≤56，3≤a+b≤7、0.001≤b≤1.2，当设定me＝a+b时，0.8·me≤m≤1.2·me、0≤n≤7，v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)。进而本发明还涉及该荧光体的制造方法和使用该荧光体而成的发光装置。

公开(公告)号：CN101517759B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780035629.8

申请日：2007-09-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  酒井浩光 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板(11)上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层(12)，并在该中间层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具有对基板(11)进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之后的、采用溅射法在基板(11)上形成中间层(12)的溅射工序。

公开(公告)号：CN102113140A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130253.8

申请日：2009-06-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  横山泰典 ,  冈部健彦 ,  塙健三

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02458 ,  C23C14/022 ,  C23C14/0617 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种生产率优异并且具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件以及灯。本发明提供的制造方法是在基板(11)上层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)，在该缓冲层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具备：对基板(11)进行等离子体处理的预处理工序；继预处理工序之后，在基板(11)上通过至少将金属Ga原料和含有V族元素的气体用等离子体活化而使其反应，以AlXGa1-XN(0≤X＜1)的组成形成缓冲层(12)的缓冲层形成工序；和在缓冲层(12)上形成基底层(14a)的基底层形成工序。

公开(公告)号：CN100568561C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200680024176.4

申请日：2006-06-30

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  篠原裕直 ,  龟井宏二

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层。

公开(公告)号：CN101573804A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780047412.9

申请日：2007-12-20

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的是提供发光输出功率高、且驱动电压低的氮化镓系化合物半导体发光元件。本发明的氮化镓系化合物半导体发光元件，在基板上依次具有由氮化镓系化合物半导体形成的n型半导体层、发光层和p型半导体层，在该n型半导体层和该p型半导体层上分别设置负极和正极，该正极由具有导电性和透光性的氧化物材料形成，该发光元件的特征在于，在该p型半导体层与该正极之间存在含有具有Ga－O键和/或N－O键的化合物的层。