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公开(公告)号：CN1150080C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN97119057.7
申请日：1997-10-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: B23K35/363
Abstract: 本发明要提供一种使用了在保存中不分解、能维持助熔剂组合物活性的、在软熔条件分解、焊锡润湿性能呈良好状态的助熔剂组合物而制备的焊锡膏。在所述助熔剂组合物中，配合有带有10个碳原子以上烷基侧链置换基的苄基化合物的卤化物作为活性剂，或配合有聚卤化合物作为活性剂，所述聚卤化合物为在每分子带有10个碳原子以上烷基侧链的脂肪族化合物或脂环式化合物中含有4个卤原子以上的聚卤化合物。
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公开(公告)号：CN102265415A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152312.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 樱井哲朗
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件的制造方法，其中该制造方法具有使用由与构成半导体层的材料不同的材料形成的基板，并在该基板上成膜出III族化合物半导体层的工序，能够减小所得到的半导体发光层的发光波长分布σ。本发明提供的半导体发光元件的制造方法，是制造具有III族化合物半导体层的半导体发光元件的方法，其特征在于，具有：化合物半导体基板形成工序，该工序在基板上成膜出至少一层化合物半导体层，形成翘曲量H在50μm≤H≤250μm的范围的化合物半导体基板；和发光层形成工序，该工序在所形成的所述化合物半导体基板上形成包含多个III族化合物半导体层的发光层。
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公开(公告)号：CN1184017A
公开(公告)日：1998-06-10
申请号：CN97119057.7
申请日：1997-10-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: B23K35/363
Abstract: 本发明要提供一种使用了在保存中不分解,能维持助熔剂组合物活性的,在软熔条件分解,焊锡润湿性能呈良好状态的助熔剂组合物而制备的焊锡膏。在1分子带有10个碳原子以上烷基侧链置换基的苄基化合物的卤化物、带10个碳原子以上烷基侧链的脂肪族化合物或脂环式化合物中,把含4个以上卤原子的聚卤化合物作为活性剂,使用了由这种活性剂形成的助熔剂组合物而制备出焊锡膏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115698383A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180043515.8
申请日：2021-06-21
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供即使经受热过程耐蚀性被膜也难以从基材剥离的耐蚀性构件。耐蚀性构件具备由铝或铝合金构成的基材(10)和形成于基材(10)的表面的耐蚀性被膜(20)。耐蚀性被膜(20)含有空间群归属于R‑3c的氢氧氟化铝AlF3‑x(OH)x，所述化学式中的x为0.05以上且1.00以下。
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公开(公告)号：CN100481539C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580003365.9
申请日：2005-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。
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公开(公告)号：CN102197460A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980143008.0
申请日：2009-11-04
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 樱井哲朗
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/4401 , C23C16/4584 , H01L21/67253 , H01L21/68771
Abstract: 在化合物半导体基板(40)上形成采用有机金属气相生长法在化合物半导体基板(40)上依次层叠III族氮化物半导体的晶体层而成的化合物半导体层时，在反应容器内安装化合物半导体基板(40)使其晶体生长面朝上，在化合物半导体基板(40)的上方，在与晶体生长面对向的侧安装形成有放射状的多个沟(63)的保护构件(60)，经由在保护构件(60)的中央部设置的第1贯通孔(61)对反应容器的内部进行原料气体的供给。由此，在使用了有机金属气相生长法的化合物半导体的制造中，抑制了由剥落的反应生成物附着于基板或者基板上的外延生长膜上所引起的成品率的降低。
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公开(公告)号：CN1914743A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003365.9
申请日：2005-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。
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