公开(公告)号：CN101796157A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880105260.8

申请日：2008-09-01

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 盐井恒介 ,  广崎尚登 ,  三木久幸

IPC: C09K11/64 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/592 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L24/45 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种荧光体，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示组成的荧光材料，其特征在于，M(0)元素选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu，M(1)元素选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb，M(2)元素选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr，M(3)元素选自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn，O元素是氧，N元素是氮，并且满足下面所有条件：33≤x≤51、8≤y≤12、36≤z≤56，3≤a+b≤7、0.001≤b≤1.2，当设定me＝a+b时，0.8·me≤m≤1.2·me、0≤n≤7，v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)。进而本发明还涉及该荧光体的制造方法和使用该荧光体而成的发光装置。

公开(公告)号：CN101796157B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200880105260.8

申请日：2008-09-01

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 盐井恒介 ,  广崎尚登 ,  三木久幸

IPC: C09K11/64 ,  C09K11/08 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/592 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L24/45 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种荧光体，具有通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n所示组成的荧光材料，其特征在于，M(0)元素选自Li、Na、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Lu，M(1)元素选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb，M(2)元素选自Si、Ge、Sn、Ti、Hf、Zr，M(3)元素选自Be、B、Al、Ga、In、Tl、Zn，O元素是氧，N元素是氮，并且满足下面所有条件：33≤x≤51、8≤y≤12、36≤z≤56，3≤a+b≤7、0.001≤b≤1.2，当设定me＝a+b时，0.8·me≤m≤1.2·me、0≤n≤7，v＝{a·v(0)+b·v(1)}/(a+b)。进而本发明还涉及该荧光体的制造方法和使用该荧光体而成的发光装置。

公开(公告)号：CN102227826A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200980147379.6

申请日：2009-11-25

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 三木久幸 ,  盐井恒介 ,  广崎尚登

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  C09K11/64 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/761 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/14 ,  Y02B20/181 ,  Y10T428/2993 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及显示装置用照明装置等，所述显示装置用照明装置是包括基板和配置于基板上的多个白色发光装置的、作为液晶显示面板的背光源使用的装置，所述白色发光装置具有光源和由所述光源激励而发光的荧光体，作为所述荧光体，使用由通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示的组成的荧光材料。

公开(公告)号：CN102227826B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200980147379.6

申请日：2009-11-25

Applicant: 独立行政法人物质·材料研究机构

Inventor： 三木久幸 ,  盐井恒介 ,  广崎尚登

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  C09K11/64 ,  C09K11/66 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80

CPC classification number: C09K11/7734 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/761 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/14 ,  Y02B20/181 ,  Y10T428/2993 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及显示装置用照明装置等，所述显示装置用照明装置是包括基板和配置于基板上的多个白色发光装置的、作为液晶显示面板的背光源使用的装置，所述白色发光装置具有光源和由所述光源激励而发光的荧光体，作为所述荧光体，使用由通式M(0)aM(1)bM(2)x-(vm+n)M(3)(vm+n)-yOnNz-n表示的组成的荧光材料。

公开(公告)号：CN101689592B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880022134.6

申请日：2008-07-03

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 加治亘章 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02658 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/181 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供在基板上设置有取向特性良好的中间层、且在该中间层上具有结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性和生产率的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯。该III族氮化物半导体发光元件，是在基板(11)上至少层叠有由III族氮化物化合物形成的中间层(12)、且在该中间层12上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成的III族氮化物半导体发光元件，在中间层(12)的结晶组织中，含有采用峰分离方法将中间层(12)的X射线摇摆曲线分离成半值宽为720弧度秒以上的宽成分、和窄成分的情况下的与宽成分对应的无取向成分，中间层(12)的结晶组织中的无取向成分的比例以中间层(12)的面积比计为30％以下。

公开(公告)号：CN101438429B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200780016568.0

申请日：2007-05-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  酒井浩光 ,  塙健三 ,  横山泰典 ,  佐佐木保正 ,  加治亘章

IPC: H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0272 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。

公开(公告)号：CN100590898C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200580025689.2

申请日：2005-07-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  村木典孝 ,  渡边宗隆

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种用于面朝上型芯片中的透明正电极，该芯片即使用低驱动电压也可发射强光。本发明的用于半导体发光器件的正电极包括：形成在半导体层上的透明电极和形成在所述透明电极上的接合衬垫电极，其中所述接合衬垫电极具有至少与所述透明电极接触的反射层。

公开(公告)号：CN101542756A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200780044018.X

申请日：2007-12-05

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 横山泰典 ,  三木久幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供可得到生产率优异并具有优异的发光特性的元件的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体发光元件和灯。本发明的方法，是通过由等离子体将金属材料和含有Ⅴ族元素的气体活化而使其进行反应，从而在基板(11)上成膜出由Ⅲ族氮化物化合物形成的中间层(12)，在该中间层(12)上依次层叠由Ⅲ族氮化物半导体形成的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的制造方法，所述Ⅴ族元素为氮，形成中间层(12)时的所述气体中的氮的气体分率为大于20％且在99％以下的范围，并且作为单晶组织形成中间层(12)。

公开(公告)号：CN1993837A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200580025689.2

申请日：2005-07-28

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  村木典孝 ,  渡边宗隆

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种用于面朝上型芯片中的透明正电极，该芯片即使用低驱动电压也可发射强光。本发明的用于半导体发光器件的正电极包括：形成在半导体层上的透明电极和形成在所述透明电极上的接合衬垫电极，其中所述接合衬垫电极具有至少与所述透明电极接触的反射层。

公开(公告)号：CN101506946B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200780030345.X

申请日：2007-08-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 三木久幸 ,  塙健三 ,  佐佐木保正

IPC: H01L21/203 ,  C23C14/34 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供生产率优异并具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法、Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件以及灯。所述的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是包括在基板(11)上采用溅射法形成由含有作为Ⅲ族元素的Ga的Ⅲ族氮化物化合物半导体构成的半导体层的工序的制造方法，在将所述基板(11)和溅射靶对向地配置的同时，使基板(11)与溅射靶的间隔为20～100mm的范围。另外，在采用溅射法形成半导体层时，施加于基板(11)的偏压值为0.1W/cm2以上。而且，在形成所述半导体层时，向在溅射中使用的室内供给氮和氩从而进行溅射。