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公开(公告)号：CN101971713A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200980108732.X
申请日：2009-02-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/36 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32009 , H01J37/32045 , H01J37/32091
Abstract: 本发明揭示用于控制等离子体均匀性的方法及设备。蚀刻基材时，非均匀等离子体可导致基材的不均匀蚀刻。阻抗电路可减轻不均匀等离子体以允许更均匀蚀刻。阻抗电路可布置在腔室壁与地、喷淋头与地、及阴极罐与地间。阻抗电路可包含一个或多个电感器及电容器。可预定电感器的电感及电容器的电容以确保等离子体均匀。此外，可在处理期间或处理步骤之间调整电感及电容以适合特定处理的需要。
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公开(公告)号：CN100553847C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200580017518.5
申请日：2005-03-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迈克尔·R·瑞斯 , 克拉斯·H·比约克曼 , 赵军 , 肯尼思·S·柯林斯 , 托马斯·缪
CPC classification number: H05K3/3478 , H01L21/4853 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L23/544 , H01L24/11 , H01L24/742 , H01L2224/05573 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H05K2201/10212 , H05K2203/0338 , H05K2203/041 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 在本发明的第一方面，提供了一种可编程转移装置，用于将导电零件转移至目标衬底的电极垫。该可编程转移装置包括：(1)转移衬底；以及(2)形成在所述转移衬底上的多个独立的可寻址电极。每个电极均适于在向目标衬底的电极垫转移所述导电零件期间选择性地吸引并保持所述导电零件。还提供了其他数个方面。
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公开(公告)号：CN118402055A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082984.5
申请日：2022-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 詹姆斯·大卫·卡杜奇 , 肯尼思·S·柯林斯 , 迈克尔·R·赖斯 , 卡提克·雷马斯瓦米 , 西尔韦斯特·安东尼·罗德里格斯 , 杨扬
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本文提供用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件的实施方式。在一些实施方式中，一种用于在基板处理腔室中使用的基板支撑件包括：基座，具有经配置以支撑基板的第一侧和与第一侧相对的第二侧；多个基板升降杆，延伸穿过基座，其中多个第一间隙设置在多个基板升降杆与基座中的多个基板升降杆开口的相应基板升降杆开口之间；及真空管线，从多个基板升降杆开口延伸并且经配置以抽空多个基板升降杆开口。
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公开(公告)号：CN109075059B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201680084797.5
申请日：2016-12-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H05H1/46 , H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理腔室的气体分配板组件，在一个实施例，该气体分配板组件包括主体、底板与穿孔面板，该主体由金属材料制成，该底板包含与该主体耦接的硅渗入的金属基质复合物，该穿孔面板包含通过黏接层与底板耦接的硅盘。
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公开(公告)号：CN102245540B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN200980145269.6
申请日：2009-11-12
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C04B41/86 , C03C8/00 , C03C2214/20 , C04B41/009 , C04B41/5023 , H01J37/32477 , C04B41/4539 , C04B41/5055 , C04B35/10 , C04B35/00 , C04B35/14 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/581
Abstract: 本发明的实施方式涉及含金属氧氟化物的釉料或含金属氟化物的釉料组合物、玻璃陶瓷组合物及其组合，其可用作抗等离子体固体基板或在其它基板上的抗等离子体保护涂层。本发明还描述制造各种结构的方法，所述方法包括掺入上述组合物，所述结构包括固体基板及在基板表面上的涂层，所述基板具有高于约1600℃的熔点，诸如为铝氧化物、铝氮化物、石英、硅碳化物、硅氮化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104710178A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510093578.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 应用材料公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/48
CPC classification number: C04B35/505 , C04B35/486 , C04B35/495 , C04B35/50 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/404 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , Y10T428/31
Abstract: 本发明公开了在采用腐蚀/侵蚀性等离子体的半导体处理条件下抵抗腐蚀/侵蚀的特种陶瓷材料。腐蚀性等离子体可为含卤素等离子体。对所述特种陶瓷材料已经改性以提供抑制等离子体电弧放电可能的可控电阻率。
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公开(公告)号：CN102576672B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080039319.5
申请日：2010-06-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 , 安德鲁·源 , 杰弗瑞·马丁·萨利纳斯 , 伊玛德·尤瑟夫 , 明·徐
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24 , H05H1/30
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32935
Abstract: 通过使高架RF源功率施加器绕倾斜轴倾斜来执行等离子体蚀刻速率分布中的歪斜校正，倾斜轴的角度是由处理数据中的歪斜来确定的。通过结合对浮置板进行支撑的精确的三个轴向运动伺服系统来提供运动的完全自由度，从该浮置板悬挂高架RF源功率施加器。
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公开(公告)号：CN102732857B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210163630.1
申请日：2008-12-10
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C16/4404 , H01J37/32467 , H01J37/32477
Abstract: 本发明涉及具有氧化涂层的抗腐蚀、含钇金属的等离子体室部件，描述一种可抵抗由化学活性等离子体所导致的侵蚀或腐蚀的物体以及制造该物体的方法。该物体包括金属或金属合金衬底，该衬底的表面上具有涂层，且该涂层为金属或金属合金的氧化物。该氧化物涂层的结构在本质上为柱状。构成氧化物的结晶的晶粒尺寸在氧化物涂层的暴露表面处比氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处大，其中氧化物涂层在氧化物涂层与金属或金属合金衬底之间的界面处呈压迫状态。一般来说，金属选自由钇、钕、钐、铽、镝、铒、镱、钪、铪、铌、或其组合所组成的群组。
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公开(公告)号：CN102474973B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201080032374.1
申请日：2010-07-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01P7/04
Abstract: 本文提供阻抗匹配网络的实施例。在一些实施例中，阻抗匹配网络可包括同轴共振器，该同轴共振器具有内导体与外导体。可提供调节电容器，其用以可改变地控制该同轴共振器的共振频率。该调节电容器可由第一调节电极、第二调节电极与中置电介质来形成，其中该第一调节电极由该内导体的一部分来形成。可提供负载电容器，其用以可改变地将来自该内导体的能量耦合到负载。该负载电容器可由该内导体、可调整负载电极与中置电介质来形成。
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公开(公告)号：CN103436836A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310323450.X
申请日：2008-07-30
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: C23C28/042 , C23C4/11 , C23C4/18 , C23C16/4404
Abstract: 本发明涉及一种使用保护性含钇涂层涂敷半导体设备的方法。根据本发明，公开一种将特化氧化钇陶瓷材料应用到半导体处理设备的方法，所述特化氧化钇陶瓷可耐含卤素等离子体的腐蚀性。所述特化氧化钇陶瓷材料的一些实施例的电阻率已被改性，以降低其在半导体处理室中出现电弧的几率。
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