公开(公告)号：CN104710178A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510093578.0

申请日：2007-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 珍妮弗·Y·孙 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  任关·段 ,  森·撒奇 ,  托马斯·格雷夫斯 ,  晓明·何 ,  杰·袁

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/48

CPC classification number: C04B35/505 ,  C04B35/486 ,  C04B35/495 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明公开了在采用腐蚀/侵蚀性等离子体的半导体处理条件下抵抗腐蚀/侵蚀的特种陶瓷材料。腐蚀性等离子体可为含卤素等离子体。对所述特种陶瓷材料已经改性以提供抑制等离子体电弧放电可能的可控电阻率。