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公开(公告)号：CN115087759A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202080096397.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 陈秀·克里斯·莹 , 叶怡利 , 埃莉卡·陈 , 尼廷·托马斯·亚历克斯
IPC: C23C16/505 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/26
Abstract: 一种用于在基板上沉积碳化合物的方法和设备包括：使用具有腔室主体、盖、内部空间、泵设备和气体传输系统的电感耦合等离子体(ICP)腔室和用于支撑设置于ICP腔室的内部空间内的基板的基座，基座具有从氮化铝形成的具有上部表面的上部部分和具有从氮化铝形成的管状结构的下部部分，上部部分被构造成用以支撑基板和以嵌入的加热元件加热基板，下部部分被构造成用以支撑上部部分且装载用于给上部部分的嵌入的加热元件供应功率的电极，并且基座被构造成用以在碳化合物膜的沉积期间加热基板。
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公开(公告)号：CN110832109B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201880044202.2
申请日：2018-07-05
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿达西·巴苏 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: C07D251/00
Abstract: 描述用于沉积更高氮含量的氮化硅膜的方法。某些方法包括：将基板暴露于硅氮前驱物及氨等离子体，以形成可流动聚合物；和，然后固化该聚合物以形成氮化硅膜。某些方法在没有使用UV固化工艺的情况下固化可流动聚合物。也描述由上述方法生成的膜。
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公开(公告)号：CN107735851B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN201680031800.7
申请日：2016-05-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/033
Abstract: 本文的实施方式提供在多重图案化工艺中用于在间隔物层上进行具有良好轮廓控制的沉积和图案化工艺的设备和方法。在一个实施方式中，一种在多重图案化工艺期间沉积和图案化间隔物层的方法包括以下步骤：在设在基板上的图案化结构的外表面上保形地形成间隔物层，其中所述图案化结构间界定有第一组开口；选择性地处理形成在基板上的间隔物层的第一部分，而不处理间隔物层的第二部分；以及选择性地移除间隔物层经处理的第一部分。
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公开(公告)号：CN113348532A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201980074914.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 应用材料公司 , 加利福尼亚大学董事会
IPC: H01L21/285 , H01L21/311 , H01L21/324 , C23C16/46 , C23C16/42 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容的实施方式涉及选择性金属硅化物沉积方法。在一个实施方式中，加热具有含硅表面的基板，并且含硅表面被氢封端。将基板暴露于MoF6前驱物和Si2H6前驱物的顺序循环，随后进行额外的Si2H6过量暴露，以选择性地在基板的含硅表面上沉积包含MoSi2的MoSix材料。本文描述的方法亦提供了选择性的原生氧化物移除，此能够在不蚀刻主体氧化物材料的情况下移除原生氧化物材料。
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公开(公告)号：CN107835868B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201680030283.1
申请日：2016-06-01
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 怡利·Y·叶
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 提供一种处理腔室，包括侧壁、基板支撑件、以及设置于基板支撑件上方的排气口。在排气口与基板支撑件之间形成有处理区域，且排气口耦接到排气器件，排气器件经构造以在相对于处理区域的排气口处建立低压。处理腔室进一步包括气体环，气体环包括具有内表面的环形主体，内表面环绕环形区域。气体环进一步包括多个第一喷嘴，多个第一喷嘴耦接到第一气源，并经构造以将第一气体传递至处理区域。气体环进一步包括多个第二喷嘴，多个第二喷嘴耦接到第二气源，并经构造以将第二气体传递至处理区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110710056A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201880034861.8
申请日：2018-05-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01Q9/40 , H01L21/3065
Abstract: 等离子体反应器包括腔室主体、气体分配口、工件支撑件、天线阵列、和AC功率源，腔室主体具有提供等离子体腔室的内部空间，气体分配口用于将处理气体输送到等离子体腔室，工件支撑件用于保持工件，天线阵列包括部分延伸到等离子体腔室中的多个单极天线，AC功率源用于将第一AC功率供应到多个单极天线。
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公开(公告)号：CN107109643B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201580064621.9
申请日：2015-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃莉卡·陈 , 卢多维克·戈代 , 薛君 , 怡利·Y·叶
Abstract: 本文所述实施方式涉及用于形成流动式化学气相沉积(FCVD)膜的方法，该方法适于高深宽比缝隙填充应用。所述多种处理流程包括处理沉积的FCVD膜以改善介电膜密度与材料组成而使用的离子注入工艺。可用多种次序组合来应用离子注入工艺、固化工艺与退火工艺以在器件材料热收支内的温度下形成具有改良密度的介电膜。改善膜质量特性包括与传统FCVD膜形成工艺相比降低的膜应力与减少的膜收缩。
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公开(公告)号：CN110036466A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201780072686.7
申请日：2017-11-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 尚布休·N·罗伊 , 尼兰詹·库马尔
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 描述静电吸附力工具，所述静电吸附力工具可在工件载具上使用以用于微机械和半导体处理。一个范例包含工件配件，用于在被静电吸盘的静电吸附力抓取时保持工件；臂，所述臂耦合至所述工件配件以经由所述工件配件牵引所述工件侧向地跨过所述吸盘；和测力计，所述测力计耦合至所述臂以测量所述工件配件被所述臂牵引以移动所述工件所使用的力的量。
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公开(公告)号：CN109642312A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780050740.8
申请日：2017-07-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 刘菁菁 , 华忠强 , 阿道夫·米勒·艾伦 , 迈克尔·W·斯托威尔 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 殷正操 , 巴尔加夫·西特拉 , 维加斯拉夫·巴巴扬 , 安德烈·哈莱比卡
Abstract: 一种沉积非晶碳膜包括至少95％碳。存在于此非晶碳膜中的sp3碳-碳键的百分比超过30％，且此非晶碳膜的氢含量小于5％。一种于工件上沉积非晶碳的方法包括在处理腔室内定位此工件和将磁控管组件定位邻接于此处理腔室。此磁控管组件投射磁场进入此处理腔室。此方法进一步包括提供碳靶材，使得此磁场延伸通过此碳靶材朝向此工件。此方法进一步包括提供源气体至此处理腔室，和提供DC功率脉冲至在此处理腔室内由此源气体形成的等离子体。此DC功率脉冲被以40微秒或更小的脉冲供应，以至少4kHz的频率重复。
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公开(公告)号：CN108022866A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711001357.1
申请日：2017-10-24
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 尚布休·N·罗伊 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 塞沙德里·拉马斯瓦米 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 华仲强 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 库马尔·尼兰詹 , 怡利·Y·叶
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L21/6835 , H01L21/68785 , H01L2021/6006 , H01L2221/68304
Abstract: 描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。
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