公开(公告)号：CN104813444B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201380053240.1

申请日：2013-08-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  朴基振 ,  柳尚澔 ,  李相协 ,  大东和也 ,  约书亚·柯林斯 ,  王成贤

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/08 ,  C23C16/50

Abstract: 在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。

公开(公告)号：CN106133878A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580018220.X

申请日：2015-03-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴立其 ,  柳尚澔 ,  大东和也 ,  朴基振 ,  吴凯 ,  戴维·汤普森

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。

公开(公告)号：CN117501423A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202180099591.0

申请日：2021-05-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  张潍铭 ,  吴凯 ,  王佩琪 ,  赵明锐 ,  迈克尔·C·库特尼 ,  大东和也 ,  哈普利特·辛格

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文的实施方式一般涉及电子器件制造，且更特定言之，涉及用于在半导体器件制造方案中形成实质上无空隙且无接缝的钨特征的系统及方法。在一个实施方式中，基板处理系统的特征在于处理腔室及流体耦合至该处理腔室的气体输送系统。该气体输送系统包括用于差动抑制处理工艺的第一自由基产生器及用于腔室清洁工艺的第二自由基产生器。

公开(公告)号：CN115023792A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202180009088.1

申请日：2021-09-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  吴凯 ,  玄珉 ,  张潍铭 ,  汤姆何荣·余 ,  王珮琪 ,  姜宙翼 ,  王飞虎 ,  佐佐木信之 ,  周春明

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/02 ,  C23C16/06

Abstract: 用于在包括高深宽比结构的结构上形成钨间隙填充部的方法包括：使用具有氩或氪的环境气体和高离子化的物理气相沉积(PVD)处理在该结构中沉积钨衬垫。该PVD处理在大约20摄氏度至大约300摄氏度的温度下执行。该方法进一步包括：以氮化处理处置该结构，且使用化学气相沉积(CVD)处理沉积整体填充钨至该结构中，以形成接缝抑制的无硼钨填充部。该CVD处理在大约300摄氏度至大约500摄氏度的温度下和大约5托至大约300托的压力下执行。

公开(公告)号：CN105453230B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201480043646.6

申请日：2014-07-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 吴凯 ,  柳尚澔

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/045 ,  C23C16/14 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76877

Abstract: 本文所述的实施方式大体涉及用于使用气相沉积工艺在基板上形成钨材料的方法。该方法包括以下步骤：将具有形成于基板中的特征的基板定位在基板处理腔室中；通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在特征之上沉积第一钨膜来沉积整体钨层的第一膜；通过将此第一膜暴露于卤化钨化合物及经活化的处理气体的连续流使用等离子体处理来蚀刻整体钨层的第一膜，以移除第一膜的部分；及通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在第一钨膜之上沉积第二钨膜来沉积整体钨层的第二膜。

公开(公告)号：CN308278007S

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202330249286.7

申请日：2023-04-28

Applicant: 应用材料公司

Designer： 李阳 ,  岑羲 ,  吴凯 ,  李明翰 ,  迈赫兰·贝贾特

Abstract: 1.本外观设计产品的名称：工艺腔室泵送衬垫。
2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作工艺腔室泵送衬垫。
3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
5.其他需要说明的情形其他说明：立体图1‑立体图8分别是从顶部右前方、顶部右后方、顶部左后方、顶部左前方、底部右前方、底部右后方、底部左后方和底部左前方观察的视图。