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公开(公告)号：CN102428569B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080021163.8
申请日：2010-05-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/0735 , H01L21/02002 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/0725 , H01L31/1808 , H01L31/184 , H01L31/1844 , H01L31/1892 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 一种用于制造多结光伏(PV)电池的方法包括：在衬底上形成包括多个结的堆，所述多个结中的每一个都具有相应的能带隙，其中所述多个结从具有最大能带隙的结位于所述衬底上到具有最小能带隙的结位于所述堆的顶部来排序；在所述具有最小能带隙的结之上形成金属层，该金属层具有拉伸应力；将柔性衬底粘附到所述金属层；及在所述衬底中的裂缝处从所述衬底剥离半导体层，其中所述裂缝是响应于所述金属层中的拉伸应力而形成的。
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公开(公告)号：CN102834901A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180005693.8
申请日：2011-02-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/304 , B28D5/00
CPC classification number: H01L31/075 , H01L21/02002 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/076 , H01L31/184 , H01L31/1892 , Y02E10/548
Abstract: 一种自半导体基板的锭剥落层的方法，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂；并且在该开裂处自该锭移除该层。一种自半导体基板的锭剥落层的系统，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂，且其中该层被配置为在该开裂处自该锭移除。
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公开(公告)号：CN102741980A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180008430.2
申请日：2011-02-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/18
CPC classification number: H01L21/187
Abstract: 一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的方法，包括：在体硅衬底上形成掺杂硼的SiGe层；在掺杂硼的SiGe层之上形成上硅(Si)层；氢化掺杂硼的SiGe层；将上Si层键合至备选衬底；并且在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面传播裂痕。一种用于使用掺杂硼的硅锗(SiGe)层的层转移的系统包括：体硅衬底；掺杂硼的SiGe层，形成于体硅衬底上，从而掺杂硼的SiGe层位于上硅(Si)层下面，其中掺杂硼的SiGe层被配置成在掺杂硼的SiGe层的氢化之后在掺杂硼的SiGe层与体硅衬底之间的界面处传播裂痕；以及备选衬底，键合到上Si层。
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公开(公告)号：CN102428577A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021165.7
申请日：2010-06-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/076
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L21/20 , H01L21/76254 , H01L31/03762 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/184 , H01L31/1892 , H01L31/20 , Y02E10/548
Abstract: 本公开涉及一种用于形成异质结III-V光伏(PV)电池的方法，所述方法包括：执行基础层从III-V衬底的晶片的层转移，所述基础层的厚度小于约20微米；在所述基础层上形成本征层；在所述本征层上形成非晶硅层；以及在所述非晶硅层上形成透明导电氧化物层。本公开还涉及一种异质结III-V光伏(PV)电池，所述PV电池包括：包括III-V衬底的基础层，所述基础层的厚度小于约20微米；位于所述基础层上的本征层；位于所述本征层上的非晶硅层；以及位于所述非晶硅层上的透明导电氧化物层。
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公开(公告)号：CN100533706C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580036878.X
申请日：2005-11-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/2007
Abstract: 本发明提供一种SOI衬底材料和一种形成包括上含Si层(12)和下含Si层(14)的混合SOI衬底的方法，其中上含Si层和下含Si层具有不同晶体取向。掩埋绝缘区域(22)可以位于这些含Si层的一个中或者穿过位于这两个含Si层之间的界面(13)而定位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101048862A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200580036878.X
申请日：2005-11-17
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/2007
Abstract: 本发明提供一种SOI衬底材料和一种形成包括上含Si层(12)和下含Si层(14)的混合SOI衬底的方法，其中上含Si层和下含Si层具有不同晶体取向。掩埋绝缘区域(22)可以位于这些含Si层的一个中或者穿过位于这两个含Si层之间的界面(13)而定位。
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公开(公告)号：CN111213266B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201880066818.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种高容量和高性能的可再充电电池，其包含具有改善的表面粗糙度的阴极材料层。提供阴极材料层，其中阴极材料层的至少上部由纳米颗粒(即，颗粒尺寸小于0.1μm的颗粒)组成。在一些实施例中，阴极材料层的下部(或基部)由颗粒尺寸大于形成阴极材料层的上部的纳米颗粒的颗粒组成。在其它实施例中，阴极材料层的整体由纳米颗粒组成。在任一实施例中，介电材料的共形层可设置在阴极材料层的上部的最顶表面上。介电材料的共形层的存在可以进一步改善阴极材料层的平滑度。(56)对比文件Zonghai Chen,et al..Role of surfacecoating on cathode materials for lithium-ion batteries.Journal of MaterialsChemistry.2010,第20卷(第36期),第7606-7612页.
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公开(公告)号：CN110870122B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201880046522.1
申请日：2018-07-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01M10/0525
Abstract: 通过在锂化阴极材料层和锂基固态电解质层之间包括富氮锂化阴极材料表面层，来提供具有快速充电和再充电速度(高于3C)的固态锂基电池。可以通过将氮引入到锂化阴极材料中来形成富氮锂化阴极材料表面层。可以在沉积工艺的最后阶段或通过利用与沉积工艺不同的工艺(例如，热氮化)来引入氮。
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