公开(公告)号：CN102834901A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180005693.8

申请日：2011-02-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比戴尔 ,  K·E·弗盖尔 ,  P·A·劳洛 ,  D·萨达纳 ,  D·沙杰地

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种自半导体基板的锭剥落层的方法，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂；并且在该开裂处自该锭移除该层。一种自半导体基板的锭剥落层的系统，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂，且其中该层被配置为在该开裂处自该锭移除。

公开(公告)号：CN102834901B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201180005693.8

申请日：2011-02-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比戴尔 ,  K·E·弗盖尔 ,  P·A·劳洛 ,  D·萨达纳 ,  D·沙杰地

IPC: H01L21/304 ,  B28D5/00

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L21/02002 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种自半导体基板的锭剥落层的方法，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂；并且在该开裂处自该锭移除该层。一种自半导体基板的锭剥落层的系统，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂，且其中该层被配置为在该开裂处自该锭移除。