公开(公告)号：CN102428577A

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN201080021165.7

申请日：2010-06-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  N·索萨·科尔茨 ,  K·E·福格尔 ,  D·萨达纳 ,  G·沙希迪 ,  D·沙尔耶迪

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/548

Abstract: 本公开涉及一种用于形成异质结III-V光伏(PV)电池的方法，所述方法包括：执行基础层从III-V衬底的晶片的层转移，所述基础层的厚度小于约20微米；在所述基础层上形成本征层；在所述本征层上形成非晶硅层；以及在所述非晶硅层上形成透明导电氧化物层。本公开还涉及一种异质结III-V光伏(PV)电池，所述PV电池包括：包括III-V衬底的基础层，所述基础层的厚度小于约20微米；位于所述基础层上的本征层；位于所述本征层上的非晶硅层；以及位于所述非晶硅层上的透明导电氧化物层。

公开(公告)号：CN102428577B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080021165.7

申请日：2010-06-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  N·索萨·科尔茨 ,  K·E·福格尔 ,  D·萨达纳 ,  G·沙希迪 ,  D·沙尔耶迪

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076

CPC classification number: H01L31/0304 ,  H01L21/20 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/074 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明涉及一种用于形成异质结III-V光伏(PV)电池的方法，所述方法包括：执行基础层从III-V衬底的晶片的层转移，所述基础层的厚度小于约20微米；在所述基础层上形成本征层；在所述本征层上形成非晶硅层；以及在所述非晶硅层上形成透明导电氧化物层。本发明还涉及一种异质结III-V光伏(PV)电池，所述PV电池包括：包括III-V衬底的基础层，所述基础层的厚度小于约20微米；位于所述基础层上的本征层；位于所述本征层上的非晶硅层；以及位于所述非晶硅层上的透明导电氧化物层。