公开(公告)号：CN100533706C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200580036878.X

申请日：2005-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·利昂格 ,  D·萨达纳 ,  G·沙希迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007

Abstract: 本发明提供一种SOI衬底材料和一种形成包括上含Si层(12)和下含Si层(14)的混合SOI衬底的方法，其中上含Si层和下含Si层具有不同晶体取向。掩埋绝缘区域(22)可以位于这些含Si层的一个中或者穿过位于这两个含Si层之间的界面(13)而定位。

公开(公告)号：CN101048862A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200580036878.X

申请日：2005-11-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·利昂格 ,  D·萨达纳 ,  G·沙希迪

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/2007

Abstract: 本发明提供一种SOI衬底材料和一种形成包括上含Si层(12)和下含Si层(14)的混合SOI衬底的方法，其中上含Si层和下含Si层具有不同晶体取向。掩埋绝缘区域(22)可以位于这些含Si层的一个中或者穿过位于这两个含Si层之间的界面(13)而定位。