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公开(公告)号：CN115425129A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211120718.5
申请日：2022-09-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多色LED芯片及其制作方法，在衬底表面依次层叠的第一反射层、第一型限制层、有源区、第二型限制层、复合电流扩展结构以及欧姆接触层；其中，所述复合电流扩展结构至少包括沿第一方向依次堆叠的电流扩展底层、第二反射层、第三反射层以及电流扩展顶层；且所述第一反射层、第二反射层以及第三反射层所反射的光波依次减小，以实现单颗LED芯片的多色立体显示效果。基于此，从发光外延结构的底面开始依次反射的波段逐渐减小，并在发光外延结构表面通过反射层配合电流扩展层，有效避免发光外延结构表面的光下射到有源区而损耗光效，同时可实现发光外延结构表面的横向电流扩展。
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公开(公告)号：CN115295694A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210342228.3
申请日：2022-03-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。
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公开(公告)号：CN114843381A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210492281.1
申请日：2022-05-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，本申请提供的LED芯片的制作方法，一方面，通过光刻、刻蚀的方式将阻挡层进行图形化处理，实现一道光刻工艺同时形成电流阻挡层和N区掩膜；另一方面，通过干法刻蚀同时刻蚀P区掩膜、N区掩膜和切割道图形，实现一道刻蚀中形成N型区台面和切割道，简化流程，提升产量，且刻蚀面皆为倾斜面有利于在PV工序中沉积绝缘保护层，在不额外增加光刻的基础上，将外延结构的倾斜面和切割道裸露出来，最后在PV工序中被绝缘保护层保护起来，从而提升LED芯片的发光亮度和可靠性。
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公开(公告)号：CN114628561A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210442069.4
申请日：2022-04-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，节约了成本。同时，在所述外延叠层的侧壁设有用于保护LED芯片的钝化层，且基于该结构，所述钝化层与所述绝缘层可在同道光刻及刻蚀工艺中图形化，即可同步实现LED芯片的侧壁钝化以及PAD的制作。
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公开(公告)号：CN114464712A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210275391.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种外延结构、LED芯片及其制作方法，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积，可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法，高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122222A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111558381.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层，用于减少孔洞；从而提升抗高逆压性能，并避免水汽的渗入。
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公开(公告)号：CN114068730A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111386295.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过将减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域，可提高多结太阳能电池在各波段的反射效果。进一步地，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为GaInP顶电池或AlGaInP顶电池；所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜，且所述第一反射膜的折射率为2.2‑2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6‑1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3‑1.5；从而可实现350～2000nm波段的减反射效果。
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公开(公告)号：CN113921671A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111311758.3
申请日：2021-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、LED芯片，通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底，且在所述凸起的表面设有反射层；有利于增大衬底的反射出光率，从而进一步提高发光二极管LED芯片的发光亮度。进一步地，所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起及反射层，且反射层对所述凸起表面的覆盖面积范围为5％‑95％，包括端点值；在提高衬底的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层、图形化衬底三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底与外延结构之间的晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。
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公开(公告)号：CN114068730B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202111386295.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过将减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域，可提高多结太阳能电池在各波段的反射效果。进一步地，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为GaInP顶电池或AlGaInP顶电池；所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜，且所述第一反射膜的折射率为2.2‑2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6‑1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3‑1.5；从而可实现350～2000nm波段的减反射效果。
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公开(公告)号：CN116936708A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311016583.2
申请日：2023-08-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/40 , H01L33/38 , H01L33/00 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构，且所述第一电极和/或第二电极的表面为Au层，通过Al层中和Au层的价格，同时表面为化学性质稳定的Au层，进而节省成本的同时提高电极的稳定性。其次，所述堆叠结构内具有若干个通孔，且各所述Au层通过嵌入所述通孔的方式形成互连；基于此，在节省成本的同时，充分利用Au良好的导电性的特点，使电极保持低内阻，进而可很好地保证电极的电流传导性能。
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