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公开(公告)号：CN101548378A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200880000828.X
申请日：2008-08-07
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L2221/68345 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01087 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括由半导体衬底(4)和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连接电极构成的半导体结构(2)。下绝缘膜(1)设置于所述半导体结构的下方和外侧。密封膜(28)设置于所述下绝缘膜上以覆盖所述半导体结构的外围。多个下布线线路(22)设置于所述下绝缘膜下方并分别连接至所述半导体结构的所述外部连接电极。
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公开(公告)号：CN101192587A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710192879.4
申请日：2007-11-28
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/488 , H01L23/28 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/565 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/31 , H01L24/81 , H01L24/97 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/05671 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/29111 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/85411 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012
Abstract: 在本发明的半导体器件的制造方法中，准备在布线形成用金属箔(21)的下表面设有剥离层(22)及基底板(23)的布线形成用部件。对上述布线形成用金属箔(21)进行构图来形成布线(2)；将具有半导体基板(7)及设在该半导体基板(7)下的多个外部连接用电极(12)的半导体构成体(6)的外部连接用电极(12)接合在上述布线(2)上。用密封件(14)覆盖上述半导体构成体(6)及上述布线(2)的至少一部分，然后除去上述基底板(23)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1322566C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200410104735.5
申请日：2004-09-16
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/3128 , H01L23/3677 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/2518 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92244 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，其中利用由树脂等形成的基板(1)、绝缘层(17)和第1、第2上层绝缘膜(17、18)覆盖具有硅基板(4)、柱状电极(14)和散热用柱状电极(15)的半导体构成体(2)的下表面、侧表面及上表面。还有，通过第2上层绝缘膜(25)的开口部(28)使连接于半导体构成体(2)的散热用柱状电极(15)(包含散热用再布线(13)和散热用基底金属层(12))的散热层(23)(包含散热用基底金属层(22))露出到外部。由此能够改善散热性。根据本发明可以提供一种被绝缘材料覆盖整个表面的半导体装置，其散热性良好。
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公开(公告)号：CN1705124A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510075516.3
申请日：2005-06-02
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1147 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于：具备底部件(1)；至少一个半导体构成体(2)，设置在所述底部件(1)上，并且具有半导体衬底(4)和设置在该半导体衬底(4)的多个外部连接用电极(5、12)；设置在对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域上的绝缘层(15)；和紧贴力提高膜(14a、14b)，设置在所述半导体构成体(2)的周侧面与所述绝缘层(15)之间、对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域与所述绝缘层(15)之间的至少之一中。
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公开(公告)号：CN1649162A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510006306.9
申请日：2005-01-26
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H04N5/2253 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14685 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L2221/68345 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/16 , H01L2224/24226 , H01L2224/27436 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/73265 , H01L2224/82001 , H01L2224/83191 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/078 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H04N5/2254 , H04N5/2257 , H05K1/113 , H05K1/185 , H05K2201/10121 , H05K2201/10674 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种光传感器模块，其中，具备光传感器(35、61、111)，其在上面设置了光电变换器件区域(38、113)和连接于该光电变换器件区域(38、113)的连接衬垫(39、114)；具有多个外部连接用电极(9、16、134、144)的半导体构成体(5、131)；设置在所述半导体构成体(5、131)周围的绝缘层(18、137)；和配线(22、122)，其设置在至少所述半导体构成体(5、131)和所述光传感器(35、61、111)的任一方上，电连接所述光传感器(35、61、111)的连接衬垫(39、114)与所述半导体构成体(5、131)的外部连接用电极(9、16、134、144)。
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公开(公告)号：CN1649118A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510004773.8
申请日：2005-01-26
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L21/60 , H01L23/485 , H01L25/04
CPC classification number: H01L24/82 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体装置，具有底板(1)；支撑在所述底板(1)上的至少一层的第1导电层(2、24)；半导体构成体(4)，其设置在所述底板(1)上，并且，具有半导体基板5和设置在该半导体基板5上的多个外部连接用电极(6、13)；设置在所述半导体构成体(4)周围的所述底板(1)上的绝缘层(15)；第2导电层(19)，其连接于所述半导体构成体(4)的外部连接用电极(6、13)，设置在所述半导体构成体(4)和所述绝缘层(15)上；和上下导通部(27)，其设置在所述绝缘膜(15)和所述底板(1)的侧面，电连接所述第1导电层(2、24)与所述第2导电层(19)。
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公开(公告)号：CN1510745A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310113138.4
申请日：2003-12-24
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/16 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2224/04105 , H01L2224/13022 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，在制造例如称作BGA的半导体器件时，即使需要研磨工序，也能够以低价使用低精度的研磨装置简单地进行研磨。在基板(1)上的粘接层(2)上的预定多个部位，布置被称作CSP的半导体构成体(3)。接着，在半导体构成体(3)之间，布置由热固化性树脂构成的绝缘构件材料(13A)，通过使用一对加热加压板进行加热加压，形成绝缘构件。此时，即使绝缘构件材料(13A)中的树脂向半导体构成体(3)上流出，也能够以低价使用低精度的抛光或循环研磨带来简单地对其研磨后除去。然后，在其上形成上层绝缘膜、上层再布线、焊锡球等，接着，在相互邻接的半导体构成体(3)之间进行切断后，可以得到多个具备焊锡球的半导体器件。
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