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公开(公告)号：CN103560108B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310462699.9
申请日：2013-10-08
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了深孔光刻胶填充方法，一种利用真空处理的方法，另一种深孔光刻胶填充方法，利用光刻胶溶剂进行浸润，本发明通过两次旋涂的方式，并且在第一次旋涂后，不经过软烘，可选择性的利用光刻胶溶剂进行润湿，使得光刻胶得以稀释，更有利于气泡的逃逸，然后将晶圆放置在真空设备中，使得TSV内部的气泡逃逸，一次旋涂可以对TSV侧壁部分浸润，有利于二次旋涂时孔的填充，之后进行第二次的旋涂，得到无孔填充。
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公开(公告)号：CN103441093B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310401208.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种用于临时键合的载片结构，包括一载片晶圆，在所述载片晶圆的上表面开有凹槽，在所述凹槽底部设有一衬底载片，所述衬底载片的形状和凹槽的形状相匹配，并且衬底载片的厚度小于凹槽的深度；在衬底载片上表面涂覆有一层缓冲胶，所述缓冲胶经过固化；在固化后的缓冲胶的上表面和凹槽四周的载片晶圆的上表面涂覆有临时键合胶，所述缓冲胶与临时键合胶粘性相斥；器件晶圆通过临时键合胶与凹槽四周的载片晶圆的上表面键合。本发明亦提供了上述载片结构的制作方法。本发明能够实现低成本的临时键合工艺，并且能够显著降低器件晶圆碎片的风险。
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公开(公告)号：CN103236420B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201310157267.7
申请日：2013-04-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种三维封装中散热通道与地线通道共用的封装结构，其包括封装芯片，所述封装芯片包括衬底，所述衬底内包括电源连接孔、散热接地孔及信号连接孔；所述电源连接孔内填充有电源连接导体，散热接地孔内填充有散热接地导体，信号连接孔内填充有信号连接导体，所述电源连接导体通过电源连接孔内的绝缘层与衬底绝缘隔离，信号连接导体通过信号连接孔内的绝缘层与衬底绝缘隔离；封装芯片的上方设有热沉地平面板，封装芯片的下方设置基板，基板内设有热沉地平面体；散热接地导体的上端与热沉地平面板接触，散热接地导体的下端与基板内的热沉地平面体接触。本发明结构简单紧凑，提高三维封装的散热和接地效果，适应范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN105006436A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510306527.1
申请日：2015-06-05
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/67 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/4825 , H01L21/67115 , H01L21/6875
Abstract: 本发明涉及一种提高微凸点制备良率的装置及微凸点的制备工艺，其特征是：包括工作箱体，工作箱体一侧设置上盖，在上盖的内侧设有多个红外加热灯管；在所述工作箱体内设置多个用于放置晶圆的柔性托架，在晶圆的一侧安装钎料填充头，钎料填充头上设有喷嘴。所述制备工艺，包括以下步骤：在晶圆上电镀Ti/Cu种子层，在Ti/Cu种子层上涂光刻胶，在光刻胶表面制备阻焊层，在光刻胶上制作开口；在开口中电镀铜；钎料合金由喷嘴向开口处进行填充；采用氮气将晶圆表面多余的钎料合金喷除；将光刻胶剥离，暴露光刻胶下方的Ti/Cu种子层；回流形成凸点；刻蚀掉暴露于表面的Ti/Cu种子层。本发明能够保持焊料融化状况，精确控制焊料注入；并有效防止晶圆碎片，提高良率。
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公开(公告)号：CN103754817B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410042670.X
申请日：2014-01-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三维垂直互连硅基光电同传器件及其制作方法，其中光电同传器件包括硅基板，硅基板上设置有铜层、水平波导层以及上包层；所述硅基板上设置有垂直硅通孔和垂直光通孔，铜层上布设有布线图案，水平波导层上设置有光电互连孔和倒三角形反射镜，上包层上设置有与光电互连孔连通的开口，光电互连孔和开口电镀有互连金属。制作方法包括光刻垂直光通孔、垂直硅通孔，制作介质层，制作垂直波导芯层和水平波导层，形成金属RDL层的互连等步骤。本发明能够在硅基板上完成水平光波导和垂直光波导的同时制造，在同一封装体内实现了光波导的水平光互连和垂直互连、垂直方向和水平方向的电互连以及光电之间相互传导的目的，制作工艺简单，成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103165479B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310067499.3
申请日：2013-03-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多芯片系统级封装结构的制作方法，该结构包括具有TSV硅通孔和凸点结构的转接板芯片，一个大尺寸芯片和多个小尺寸芯片或小尺寸芯片的堆叠。本发明将单颗大芯片倒装连接至转接板晶圆；再经转接板晶圆切割、电性能测试；小尺寸芯片或小尺寸芯片堆叠与转接板芯片互连；再次对转接板封装结构进行电性能测试；转接板封装结构与基板互连，形成最终的封装结构。其优点是：本发明的制作方法避免了超薄的硅转接板不易拿持的问题，并显著提高了封装效率和产品的良率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103474393B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310412558.6
申请日：2013-09-11
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/32115 , H01L21/32125 , H01L21/7684 , H01L21/76841 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/03462 , H01L2224/0391 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05647 , H01L2224/1134 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/13099
Abstract: 本发明提供一种免CMP的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法，包括以下主要步骤：在晶圆中形成盲孔，并在晶圆上表面和盲孔的内壁上制作绝缘层；在绝缘层上制作阻挡层和种子层；在盲孔中填充第二金属材料；利用电化学抛光技术去除填充盲孔过程中在晶圆表面的第二金属材料和所述种子层；对晶圆进行退火工艺；利用电化学抛光技术对盲孔中填充的第二金属材料的顶部和阻挡层之间的台阶进行修正，使得该台阶趋于消失；在晶圆上表面制作第一层再布线结构，再布线工艺时利用晶圆上表面的阻挡层；利用湿法腐蚀工艺去除晶圆上表面第一层再布线结构的区域以外的阻挡层；本工艺方法可以在满足TSV工艺集成要求的同时大幅降低TSV工艺的成本。
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公开(公告)号：CN103021937B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310007782.7
申请日：2013-01-09
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种化学腐蚀硅通孔面过电镀铜层的装置及方法，所述装置包括：在铜腐蚀槽内设有一测距传感器用于测量槽内液位，铜腐蚀槽的底部设有腐蚀液的进口和出口，分别安装进口阀门和出口阀门；还包括用于把持晶圆片的机械臂杆，用于将TSV电镀后的晶圆片表面浸入铜腐蚀槽内的腐蚀液中；所述测距传感器、进口阀门、出口阀门和机械臂杆的控制器均连接到总的控制器或计算机。本发明的优点是：本发明基于化学腐蚀铜和CMP工艺结合去除表面过厚铜层的思想，设计了一种化学湿法刻蚀铜的简易装置。可有效解决TSV过电镀的问题，采用先湿法腐蚀铜的方法，除去多数铜，为CMP铜工艺减轻负担，降低成本。
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公开(公告)号：CN103225101B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310173843.7
申请日：2013-05-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种整平剂抑制铜沉积所得效果的判定方法及其应用，属于硅通孔电镀铜沉积技术领域。其将待电镀的带有垂直硅通孔的晶圆浸没在含抑制剂和氯离子的镀液中，对所述晶圆通上电流；然后检测晶圆表面无垂直硅通孔处的一点的电势；在所述镀液中加入整平剂，再次检测该点电势；对比前后测得的该点电势，若所测加入整平剂后的电势比未加整平剂时的电势降低，则判定为所加整平剂对电镀铜有抑制效果。对于不同浓度的整平剂和不同类别的整平剂的抑制作用均可通过此方法判断。本发明的优点是：本发明对TSV电镀铜添加剂配比及晶圆表层过电镀的抑制具有指导作用，能促进TSV电镀铜工艺研发，且具有简易、快速、准确等优点。
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公开(公告)号：CN103730382A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310721054.2
申请日：2013-12-24
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种铜铜键合凸点的制作方法，有效降低了铜柱表面粗糙度，提高了微凸点的表面平整度，同时保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致，满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求；其特征在于：包括以下步骤：（1）在晶圆表面制作粘附层和种子层；（2）在晶圆表面淀积铜层；（3）对晶圆表面的铜层进行处理，改善铜表面粗糙度和平整度；（4）利用光刻工艺对铜层进行图形化；（5）去除微凸点位置以外的铜，在晶圆上形成微凸点结构；（6）去除晶圆表面微凸点区域以外的粘附层材料，形成电隔离的微凸点结构；（7）去除晶圆表面的光刻胶，得到高度均匀，表面平坦光滑的微凸点结构。
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