公开(公告)号：CN104066678B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201380006277.9

申请日：2013-02-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  黑泽靖志 ,  星野成大

IPC: C01B33/035 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/46 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

Abstract: 在钟形玻璃罩(1)内所配置的两对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换是通过开关(S1～S3)进行的。电流从供给低频率电流的一个低频电源(15L)或供给具有2kHz以上的频率的频率可变的高频电流的一个高频电源(15H)被供给到该电路(16)。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)从而将两对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换到高频电源(15H)侧，则能够对串联连接的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流而进行通电加热。

公开(公告)号：CN106573784A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580044611.9

申请日：2015-07-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  星野成大 ,  冈田哲郎 ,  齐藤弘

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035

Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造用反应炉按照具有以与反应炉的直筒部垂直的该反应炉的内截面积(S0)和通过多晶硅的析出而培育的多晶硅棒的截面积的总和(SR)定义的反应空间截面积比(S＝[S0‑SR]/SR)在多晶硅棒的直径为140mm以上的情况下满足2.5以上的炉内反应空间的方式设计。这样的反应炉即使多晶硅棒的直径扩大也具有充分的炉内反应空间，因此，保持了反应炉内的气体的适宜的循环。其结果是，即使在多晶硅棒的直径扩大的情况下，也能够将硅析出边界层内的反应气体浓度和气体温度控制为适宜的范围。

公开(公告)号：CN106461580A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580032684.6

申请日：2015-06-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  祢津茂义

IPC: G01N23/207 ,  C01B33/035

CPC classification number: C01B33/035 ,  G01K11/30 ,  G01N23/207 ,  G01N2223/60

Abstract: 在本发明中，由第一衍射图和第二衍射图，求出针对旋转角度 的平均衍射强度比(y＝(h1,k1,l1)/(h2,k2,l2))，基于该平均衍射强度比，计算析出时的表面温度。然后，基于计算出的多晶硅棒的表面温度和该多晶硅棒的析出时的供给电流和施加电压的数据，对新制造多晶硅棒时的供给电流和施加电压进行控制，从而控制析出工艺中的表面温度。通过使用这样的温度控制方法，对析出工艺中的多晶硅棒的中心温度Tc与表面温度Ts之差ΔT(＝Tc-Ts)进行控制，从而也可以控制多晶硅棒中的残余应力值。

公开(公告)号：CN105531229A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480050755.0

申请日：2014-10-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 石田昌彦 ,  祢津茂义 ,  齐藤弘 ,  长谷川正幸

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C01B33/03 ,  B01D3/143 ,  B01D53/002 ,  B01D53/0423 ,  B01D53/0438 ,  B01D2253/102 ,  B01D2256/26 ,  B01D2259/4009 ,  C01B33/035 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10784

Abstract: 本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。

公开(公告)号：CN102985364B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201180029911.1

申请日：2011-03-07

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  小黑晓二 ,  黑谷伸一 ,  祢津茂义

IPC: C01B33/035

CPC classification number: F26B5/042 ,  B08B3/04 ,  B08B3/10 ,  C01B33/035 ,  C23C16/4407 ,  F26B5/12 ,  F28G13/00

Abstract: 钟罩具备金属性钟罩(1)和用于设置该钟罩(1)的金属性基板(2)，通过填料(3)使容器内部密闭。在基板(2)上连接压力计(4)、气体导入管路(5)、气体排气管路(6)，使钟罩(1)的内部压力的监测以及气体的导入和排气成为可能。在气体排气管路(6)的路线上设置真空泵(7)，通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压。通过该真空泵(7)，以使钟罩的内部压力低于水的蒸气压的方式进行减压，由此有效地进行水分除去，在短时间内结束钟罩的干燥。通过本发明，提供提高钟罩内表面的清洁度从而有助于高纯度多晶硅的制造的技术。

公开(公告)号：CN102971624B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201180033481.0

申请日：2011-07-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  久米史高 ,  冈田淳一

IPC: G01N29/12

CPC classification number: H01L22/12 ,  C01B33/035 ,  G01M7/08 ,  G01N29/045 ,  G01N29/12 ,  G01N29/4418 ,  G01N29/4454 ,  G01N29/46 ,  G01N2291/0234 ,  G01N2291/2626 ,  G01N2291/2697 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明通过简便地挑选较硬的多晶硅棒，提供不易破裂的高品质的多晶硅棒。用卷尺测定多晶硅棒(100)的长度，接着，用锤(120)进行多晶硅棒(100)的敲击，将该敲击音通过传声器(130)收录到录音器(140)中。然后，对敲击音的音响信号进行快速傅立叶变换，显示频率分布。进而，在快速傅立叶变换后的频率分布中，检测出显示最大音量的峰值频率f。求出多晶硅棒的长度(L)与峰值频率f的关系，通过峰值频率f是否属于f≥1471/L的区域(A区域)来判断多晶硅棒的硬度。

公开(公告)号：CN104220867A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380018491.6

申请日：2013-03-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  冈田淳一 ,  祢津茂义

IPC: G01N23/20 ,  C01B33/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B13/34 ,  C01B33/02 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/74 ,  C23C16/24 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007 ,  G01N23/207

Abstract: 针对从多晶硅棒采集的圆板状试样(20)进行评价时，会在扫描图表中出现峰值。这种峰值的个数越少，或者其半峰宽越窄，越适合用作单晶硅制造用原料。扫描图表中出现的峰值的个数，对于米勒指数面 及 的任一个，优选在圆板状试样的每单位面积的换算下为24根/cm2以下。并且，将圆板状试样的半径设为R0时，将上述峰值的半峰宽乘以δL＝21/2πR0/360得到的值定义为非均质晶体粒径，优选将该非均质晶体粒径均小于0.5mm的试样选择作为单晶硅制造用原料。

公开(公告)号：CN104066679A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006296.1

申请日：2013-02-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  黑泽靖志 ,  星野成大

IPC: C01B33/035

CPC classification number: C23C16/46 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50

Abstract: 在钟形玻璃罩(1)内配置的2对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换通过开关(S1～S3)来进行。该电路(16)中，从供给低频电流的一个低频电源(15L)、或供给具有2kHz以上的频率的高频电流的一个高频电源(15H)供给电流。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)而将2对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换至高频电源(15H)侧，则可以对被串联连结的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流来进行通电加热。

公开(公告)号：CN104066678A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006277.9

申请日：2013-02-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  黑泽靖志 ,  星野成大

IPC: C01B33/035 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/46 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

Abstract: 在钟形玻璃罩(1)内所配置的两对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换是通过开关(S1～S3)进行的。电流从供给低频率电流的一个低频电源(15L)或供给具有2kHz以上的频率的频率可变的高频电流的一个高频电源(15H)被供给到该电路(16)。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)从而将两对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换到高频电源(15H)侧，则能够对串联连接的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流而进行通电加热。

公开(公告)号：CN104066677A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006275.X

申请日：2013-01-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  祢津茂义

IPC: C01B33/035 ,  C01B33/02

CPC classification number: B66C3/02 ,  B66F11/00 ,  C01B33/035

Abstract: 在筒状部件(210)的内周面的彼此相对的两个平面双方设有安全气囊(220A、220B)。在多晶硅棒(11)的获取作业时，将搬出夹具(200)的筒状部件(210)从上方被覆于(一对)多晶硅棒(11)等而收容于内部，如果向安全气囊(220)的内部注入气体使之膨胀，则该安全气囊(220)从与包含牌坊型的两柱部的平面垂直的方向按压多晶硅棒(11)的侧面而保持于筒状部件(210)内。而且，在该保持状态下，将多晶硅棒(11)向反应炉外取出。即使在多晶硅棒(11)产生龟裂，由于来自外部的冲击等被安全气囊(220)吸收，所以也会避免崩塌等。