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公开(公告)号：CN115172337A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210916549.X
申请日：2022-08-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/60
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于碳基集成电路的静电防护方法，所述方法包括，准备硅衬底；使用所述硅衬底制备静电防护电路和与所述碳基集成电路互联的窗口；在所述静电防护电路上制备碳纳米管；使用所述碳纳米管制备所述碳基集成电路；将所述静电防护电路与所述碳基集成电路互联。通过本申请提供的方法，实现对碳基集成电路的静电防护，同时能避免传统片上静电防护设计需占据片上面积、浪费片上资源的问题。
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公开(公告)号：CN114839168A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110139360.X
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种二次谐波测量方法及测量仪器，方法包括：获取第一光信号，所述第一光信号通过滤掉经过待测样品反射回来的反射基波光信号获得；获取第二光信号，所述第二光信号包括经过所述待测样品反射回来的反射基波光信号；根据所述第二光信号，提取膜厚信息光信号，所述膜厚信息光信号包括带有所述待测样品对应位置处的膜厚信息的光信号；将所述第一光信号去除掉所述膜厚信息光信号，得到所述待测样品对应位置处的缺陷二次谐波信号；对所述缺陷二次谐波信号进行缺陷参数提取，得到所述待测样品对应位置处的缺陷参数。能够解决膜厚的波动会影响二次谐波，从而影响二次谐波对于样品缺陷的表征，降低缺陷参数提取的精度的问题。
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公开(公告)号：CN114823903A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110122096.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供的一种单结晶体管结构及其制造方法，其中单结晶体管结构包括：衬底、第一氧化层、配置层、第二氧化层、第一高掺杂区、沟道区以及第二高掺杂区。第一氧化层形成在衬底上；配置层形成在第一氧化层上；第二氧化层形成在配置层上，第一高掺杂区、沟道区以及第二高掺杂区均形成在第二氧化层上，沟道区位于第一高掺杂区和第二高掺杂区之间并欧姆接触。本发明能够实现对单结晶体管结构的器件性能进行灵活调整，以应用于不同应用环境。
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公开(公告)号：CN114724937A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110008867.1
申请日：2021-01-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/268 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种处理半导体激光器的方法，该方法包括：在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，以提高所述半导体激光器的调制带宽，其中，所述辐照源为粒子辐照源。通过在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，从而实现在不影响半导体激光器其他性能的情况下，以更为简单和低成本的方法，提高半导体激光器的调制带宽，有利于优化半导体激光器的动态性能。
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公开(公告)号：CN114577728A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249176.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过使起偏器和检偏器均定轴旋转，分别驱动起偏器和检偏器进行多次旋转，在每次旋转过程中，起偏器被旋转到Ai位置以改变基频光的偏振态的同时，检偏器被旋转到与Ai位置对应的Bi位置，使依赖于Ai位置起偏器形成的基频光，经待检测样品产生的二次谐波信号能够收集于探测器内，获得Ai位置起偏器对应偏振依赖的二次谐波信号。在检测待检测样品的晶型和晶向时，可以通过多次旋转起偏器的过程中使检偏器配合联动，获取偏振依赖的二次谐波信号的周期，利用偏振依赖的二次谐波信号直接判断待检测样品的晶向和晶型，简化设备结构，降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114497227A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111469316.1
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种多独立栅场效应管及其制备方法，其中，所述多独立栅场效应管包括：设置在绝缘衬底上的源极，漏极，沟道区和栅极结构；所述沟道区连接所述源极和所述漏极；所述栅极结构包括层叠设置的栅介质层和栅电极层；所述栅电极层包括两个以上，互不相交的碳纳米管栅电极。本申请提供的多独立栅场效应管显著提高了微缩能力或集成度能力，为超大规模集成电路中的高密度器件集成提供了一种灵活高效的新型场效应管器件设计。
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公开(公告)号：CN109213620B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201710542846.1
申请日：2017-07-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种闪存存储器的抗总剂量辐照加固方法，其中包括：步骤一、提供闪存存储阵列，以及与闪存存储阵列相邻的监控存储阵列；步骤二、在闪存存储阵列不工作时，关闭闪存存储阵列与外围电路的连接，使监控存储阵列开始工作，并在监控阵列单元的栅极施加读取电压；步骤三、将监控存储阵列的位线总电流输出，并与参考电流阈值进行比较；步骤四、判断比较结果，若位线总电流小于参考电流，隔固定时间后再次对监控存储阵列进行读操作；若位线总电流大于等于参考电流，则对闪存存储阵列和监控存储阵列执行刷新操作。本发明能够通过监控存储阵列位线电流的大小来发现漏电，提高存储阵列的抗总剂量辐照的能力。
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公开(公告)号：CN113224167A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110461719.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，用于解决基于SOI平台的MOSFET器件由于埋氧层中易产生大量辐射诱发的陷阱俘获电荷，从而影响前端MOSFET的性能的问题。所述半导体器件包括：SOI衬底；自下而上层叠形成在SOI衬底上的电荷俘获结构以及第一半导体层，电荷俘获结构为介质层叠层结构；以及形成在SOI衬底的第二半导体层上的体接触电极，当体接触电极被施加电压时，电荷俘获结构用于俘获第一半导体层的电荷，以形成第一电场，第一电场用于中和电荷俘获结构由于辐射效应产生的第二电场。所述半导体器件制造方法用于制造包括上述技术方案所提的半导体器件。
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公开(公告)号：CN112992221A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110213230.6
申请日：2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明公开一种基于背栅结构的SRAM存储单元、SRAM存储器以及上电方法，属于半导体领域。以解决当某一存储单元长期存储固定数据时，对称的两个晶体管将发生不同程度的BT I老化效应，产生永久性阈值电压失配的技术问题，导致SRAM存储单元上电后有一定概率读出与原存储数值相反的上电初值的技术问题。基于背栅结构的SRAM存储单元包括第一反相器以及第二反相器；所述第一反相器和所述第二反相器中的晶体管均为背栅晶体管；所述第一反相器中的晶体管的背栅具有第一连接方式，所述第二反相器中的晶体管的背栅具有第二连接方式，在所述基于背栅结构的SRAM存储单元上电时，所述第一反相器中的晶体管的阈值电压与所述第二反相器中的晶体管的阈值电压不同。
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公开(公告)号：CN112086516A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010797041.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/792 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法。一种绝缘体上半导体结构，由下至上包括：半导体衬底，第一绝缘层，电子捕获层，第二绝缘层，所述电子捕获层与所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的材料不同，半导体层，其中，所述半导体层包括源区、漏区，以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；第三绝缘层，栅极。本发明解决了现有的加固方案因工艺复杂、沟道寄生效应、应用不灵活等原因导致的应用局限性与无法灵活地、非易失地解决总剂量辐照效应累积与不可逆问题。
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