公开(公告)号：CN118366512A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410339056.3

申请日：2024-03-22

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  罗杰 ,  殷华湘 ,  杨延宇 ,  颜刚平 ,  牛楚乔 ,  包运娇

IPC: G11C11/4091 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/408

Abstract: 本申请公开了一种动态随机存取存储器的存储单元、阵列、存储器及设备。该存储单元包括写字线、写位线、写晶体管、读字线、读位线和读晶体管；读晶体管包括多层沟道，每一层沟道的材料各不相同；写晶体管的栅极连接写字线，写晶体管的第一极连接写位线，写晶体管的第二极连接读晶体管的栅极；写晶体管的第一极和第二极分别为写晶体管的源极和漏极中的一个；读晶体管的第一极连接读位线，读晶体管的第二极连接读字线；读晶体管的第一极和第二极分别为读晶体管的源极和漏极中的一个。本申请的存储单元，读晶体管包括多层沟道，每一层沟道的材料各不相同，该读晶体管能够形成在不同电压区间下的不同电流区间，能够实现单一存储节点的多位信息存储。

公开(公告)号：CN113782607B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202110983010.1

申请日：2021-08-25

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张兆浩 ,  张青竹 ,  许高博 ,  殷华湘 ,  王文武

IPC: H01L29/78 ,  H10B51/30 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开一种铁电场效应管及其制备方法以及铁电存算器件，涉及半导体器件技术领域，以解决现有基于Fe‑FET的布尔逻辑门实现技术中由于单一场效应机制导致的逻辑门单元复杂度高以及可重构类型少的问题。铁电场效应管包括：衬底；形成在所述衬底内的源掺杂区和漏掺杂区；依次形成在所述衬底上的阻挡层、栅介质层以及金属栅；其中，所述栅介质层为具有电畴反转以及电荷俘获能力的材料层。铁电存算器件包括：衬底；所述衬底内形成有沟道层，所述沟道层的两侧形成有源极和漏极；依次形成在所述沟道层的上的阻挡层、栅介质层以及金属栅；其中，所述栅介质层为具有电畴反转以及电荷俘获能力的材料层。

公开(公告)号：CN117894809A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202311640729.0

申请日：2023-12-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  卢宇鹏 ,  孙朋 ,  殷华湘

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请属于半导体器件技术领域，具体涉及一种像素探测单元、探测器及其制备方法。该像素探测单元包括将硅基探测单元与薄膜晶体管集成在一起以使硅基探测单元的读出端连接薄膜晶体管的栅极以调控薄膜晶体管的开关状态。本申请设计的像素探测单元改善了信号的可靠性、准确性及可测性。在该基础上，还简化了系统设计和制造过程，减少了组件数量和连接电路，增加了器件自身的成品良率。

公开(公告)号：CN113192891B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202110466171.3

申请日：2021-04-28

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  殷华湘 ,  徐秋霞 ,  田国良 ,  颜刚平 ,  翟琼华 ,  丁明正

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及制备方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底已形成有P阱、N阱及隔离结构；在所述衬底上依次形成高K栅介质层、金属栅电极层和功函数调节层，其中，所述P阱和所述N阱上方的所述金属栅电极层为同一材料；向所述高K栅介质层、所述金属栅电极层及所述功函数调节层掺杂，以获得P型器件与N型器件栅极的不相同的预设功函数；形成栅极堆叠，并制备源漏区。

公开(公告)号：CN115000235B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202210517555.8

申请日：2020-07-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 殷华湘 ,  许高博 ,  翟琼华 ,  傅剑宇

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144

Abstract: 一种X射线阵列传感器、探测器及其制作方法。该X射线阵列传感器包括：半导体衬底、第一掺杂区域、第二掺杂区域阵列，与第二掺杂区域交替设置的隔离覆盖结构，用于将第二掺杂区域进行电隔离；位于第二掺杂区域上、相邻的隔离覆盖结构之间的pin接触电极；以及位于pin接触电极上的第一封装电极；隔离覆盖结构包括第一隔离结构和其上的第二隔离结构，第一隔离结构嵌入于半导体衬底中，且在背离第二隔离结构的方向上具有渐缩的形状。能够减少耗尽电场的横向扩展，削弱表面反型漏电，从而大幅提升上述传感器中由第二掺杂区域、半导体衬底和第一掺杂区域和pin接触电极构成的像素单元的耗尽电压与工作电压，可以通过增加工作电压来增加信号的响应速度。

公开(公告)号：CN116190455A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310244548.X

申请日：2023-03-14

Applicant: 北京超弦存储器研究院 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  颜刚平 ,  杨尚博 ,  宋智雨 ,  殷华湘 ,  王桂磊 ,  赵超

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提出一种背栅氧化物半导体器件及其制备方法，采用自然氧化方法形成源漏电极的自然氧化层，实现了源极、漏极与金属钝化层的电学隔离，不再需要在源漏极与钝化层间设置offset，具备尺寸微缩潜力；同时，由于不再需要在源漏极与钝化层间设置offset，金属钝化层可以覆盖OS沟道的全部上表面，从而可以夺取更多OS材料中的氧，OS沟道中产生大量的氧空位，使得其与源极、漏极接触区域载流子浓度升高，因此具备优异的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN114898788A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210493515.4

申请日：2022-05-07

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 张兆浩 ,  张青竹 ,  许高博 ,  吴振华 ,  殷华湘

IPC: G11C11/402 ,  G11C11/409

Abstract: 本申请实施例提供了一种基于3元内容寻址存储器TCAM的系统，包括多个存储单元，每个存储单元对应一个场效应晶体管FET，场效应晶体管FET至少包括非易失性膜层，场效应晶体管FET的栅极连接字线，第一极连接位线，以便通过字线的电压写入数据，通过位线的电压读取数据。由此可见，本申请实施例提供的TCAM系统的每个存储单元对应1个场效应晶体管FET，大幅提高存储密度，满足在占用面积较小的情况下的大存储需求，并且场效应晶体管FET依靠栅极电压写入，写入过程无功耗，有利于降低TCAM系统的功耗。

公开(公告)号：CN113178477B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202110262011.7

申请日：2021-03-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 田国良 ,  许高博 ,  殷华湘 ,  项金娟

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种HfO2基铁电薄膜及其沉积方法。一种HfO2基铁电薄膜的沉积方法包括：在半导体载体表面形成一层羟基；然后依次沉积铪的氮氧化物薄膜、其他元素的氮氧化物薄膜，或者沉积依次其他元素的氮氧化物薄膜、铪的氮氧化物薄膜；沉积顶电极；退火；其中，所述铪的氮氧化物薄膜由铪前驱体与NH3、氧化剂反应生成；所述其他元素的氮氧化物薄膜由其他元素的前驱体与NH3、氧化剂反应生成，并且其他元素选自Al、Zr、La、Gd和Si中至少一种。本发明能够有效地减少氧化铪基铁电薄膜中的氧空位缺陷，从而提升其可靠性。

公开(公告)号：CN111799351B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202010677646.9

申请日：2020-07-14

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 殷华湘 ,  许高博 ,  翟琼华 ,  傅剑宇

IPC: H01L31/115 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L27/144

Abstract: 一种X射线阵列传感器、探测器及其制作方法。该X射线阵列传感器包括：半导体衬底；具有相反掺杂离子类型的位于半导体衬底下表面处的第一掺杂区域和上表面处的第二掺杂区域阵列，第二掺杂区域阵列包括间隔设置的至少两个第二掺杂区域；与第二掺杂区域交替设置的隔离覆盖结构，该结构与相邻的两个第二掺杂区域的连线相交，并且每个第二掺杂区域的上表面由两侧的隔离覆盖结构限定出第二开口；以及位于第二开口中的pin接触电极。能够减少耗尽电场的横向扩展，削弱表面反型漏电，从而大幅提升上述传感器中由第二掺杂区域、半导体衬底和第一掺杂区域和pin接触电极构成的像素单元的耗尽电压与工作电压，可以通过增加工作电压来增加信号的响应速度。

公开(公告)号：CN113299785A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110367441.5

申请日：2021-04-06

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 许高博 ,  翟琼华 ,  丁明正 ,  傅剑宇 ,  孙朋 ,  殷华湘 ,  颜刚平 ,  田国良

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器包括衬底以及设置在所述衬底上的器件结构层，所述器件结构层包括沿垂直所述衬底平面方向向上依次设置的吸收层、增益层、第一电荷层、第二电荷层和接触层；所述器件结构层还包括环状结区，所述环状结区位于所述吸收层上方，且套设在所述增益层、所述第一电荷层、所述第二电荷层和所述接触层的边缘外侧；所述环状结区与所述吸收层、第一电荷层和第二电荷层的掺杂类型均不同。该硅基探测器通过引入第二电荷层可以有效增加增益区的深度，提高器件的耗尽电压与击穿电压，获得合适的增益与较高的时间分辨，同时能够减少探测器对高能离子注入等极端工艺和设备的依赖。