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公开(公告)号：CN116404989A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310287386.8
申请日：2023-03-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种适用于微弱信号的读出电路，所述读出电路包括：斩波放大电路(1)和开关电容滤波电路(2)；所述斩波放大电路(1)的输入端与被测器件(3)的输出端连接，用于检测并放大所述被测器件(3)输出的微弱信号；所述开关电容滤波电路(2)的输入端与所述斩波放大电路(1)的输出端连接，用于滤除所述斩波放大电路(1)产生的噪声。可见，在本申请技术方案中，利用斩波放大电路和开关电容滤波电路构成读出电路，既实现了对微弱信号的检测并放大，还滤除了斩波放大电路产生的噪声。如此，提高了微弱信号检测的准确性。
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公开(公告)号：CN111799351A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010677646.9
申请日：2020-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/115 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 一种X射线阵列传感器、探测器及其制作方法。该X射线阵列传感器包括：半导体衬底；具有相反掺杂离子类型的位于半导体衬底下表面处的第一掺杂区域和上表面处的第二掺杂区域阵列，第二掺杂区域阵列包括间隔设置的至少两个第二掺杂区域；与第二掺杂区域交替设置的隔离覆盖结构，该结构与相邻的两个第二掺杂区域的连线相交，并且每个第二掺杂区域的上表面由两侧的隔离覆盖结构限定出第二开口；以及位于第二开口中的pin接触电极。能够减少耗尽电场的横向扩展，削弱表面反型漏电，从而大幅提升上述传感器中由第二掺杂区域、半导体衬底和第一掺杂区域和pin接触电极构成的像素单元的耗尽电压与工作电压，可以通过增加工作电压来增加信号的响应速度。
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公开(公告)号：CN107064050B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201710265958.7
申请日：2017-04-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本发明提供一种连续太赫兹波成像系统，其中包括：连续太赫兹辐射源；样品台；太赫兹焦平面阵列；光学系统；相机；计算机；并且连续太赫兹波成像系统还包括连续太赫兹辐射源和样品台之间的调制器，用于调制太赫兹连续波的光强。本发明还提供一种连续太赫兹波成像方法。本发明能够达到降低系统噪声等效功率，提高系统探测灵敏度的效果。
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公开(公告)号：CN110002393A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910273149.X
申请日：2019-04-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种选择性刻蚀方法及纳米针尖结构的制备方法。该选择性刻蚀方法包括以下步骤：在衬底上顺序形成第一材料层和第二材料层，其中第一材料层对第二材料层的各向同性刻蚀选择比大于10，第一材料层含有掺杂元素，沿第一材料层的厚度方向掺杂元素的浓度呈线性递增；对第一材料层进行选择性各向同性刻蚀，选择性各向同性刻蚀的刻蚀速率与掺杂元素的浓度具有正线性关系，以完成对第一材料层的外壁的刻蚀。本申请利用刻蚀工艺中刻蚀速率与待刻蚀材料中掺杂元素浓度之间的正线性关系，得到与浓度递增的方向相反的倾斜侧壁，从而采用上述选择性刻蚀方法，能够得到锐利度较高的纳米针尖结构，还能够灵活调节针尖结构的尺寸、形貌以及角度。
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公开(公告)号：CN101430938A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710176936.X
申请日：2007-11-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术中的深亚微米、纳米加工技术领域，公开了一种微尖端阵列器件，该器件由微尖端阵列、COMS控制电路单元和连接柱构成；微尖端阵列包括多个微尖端，每个微尖端通过一个连接柱与COMS控制电路单元进行机械和电学连接；COMS控制电路单元用于控制微尖端阵列中微尖端进行独立工作；连接柱用于实现微尖端阵列中微尖端与CMOS控制单元的机械和电学连接。本发明同时公开了一种微尖端阵列器件的制作方法。利用本发明，通过CMOS电路控制金属尖端场致发射电子束，实现了高分辨率纳米级图形加工和高密度数据存储，并通过微尖端阵列化解决了单探针工作效率低的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114927589A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210338297.7
申请日：2022-04-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L21/266
Abstract: 本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器通过设计氧化隔离层的厚度由中部凹槽处向边缘处呈递增趋势，由此使得在离子注入时，第一掺杂区边缘处的纵向掺杂深度比中间位置处的纵向掺杂深度要小，减小了注入区边缘位置处的曲率；此外缩短了注入区边缘位置硅氧界面处到第二电极层的距离，使该硅氧界面位置处固定电荷的电力线能部分终止于第二电极层处；提高了器件在受到X射线辐照总剂量效应下的击穿电压，降低器件的暗电流，使得硅基探测器具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN113675296A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110796275.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够降低探测器晶圆的暗电流，并提高其击穿电压，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN101441962A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200710177795.3
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件，由氮化硅薄膜隔离端1、附着有低功函数金属的微尖端2和布有金属导线的布线凹槽3构成。其中，隔离端1用于在器件工作时避免微尖端与被加工材料接触，控制微尖端与被加工材料表面的距离；微尖端2用于根据尖端放电的原理，当在焊盘与所要加工的材料之间加上一微小电压时，尖端处产生很强的电场，造成大量电子穿透势垒逸出；布线凹槽3用于附着或容纳作为导线的金属，作为线路通道实现对各个微尖端的控制。本发明同时公开了基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件的制作方法。利用本发明，实现了高分辨率纳米级图形加工和高密度数据存储，解决了单探针工作效率低的问题。
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公开(公告)号：CN115000235B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210517555.8
申请日：2020-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/115 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 一种X射线阵列传感器、探测器及其制作方法。该X射线阵列传感器包括：半导体衬底、第一掺杂区域、第二掺杂区域阵列，与第二掺杂区域交替设置的隔离覆盖结构，用于将第二掺杂区域进行电隔离；位于第二掺杂区域上、相邻的隔离覆盖结构之间的pin接触电极；以及位于pin接触电极上的第一封装电极；隔离覆盖结构包括第一隔离结构和其上的第二隔离结构，第一隔离结构嵌入于半导体衬底中，且在背离第二隔离结构的方向上具有渐缩的形状。能够减少耗尽电场的横向扩展，削弱表面反型漏电，从而大幅提升上述传感器中由第二掺杂区域、半导体衬底和第一掺杂区域和pin接触电极构成的像素单元的耗尽电压与工作电压，可以通过增加工作电压来增加信号的响应速度。
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公开(公告)号：CN111799351B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010677646.9
申请日：2020-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/115 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 一种X射线阵列传感器、探测器及其制作方法。该X射线阵列传感器包括：半导体衬底；具有相反掺杂离子类型的位于半导体衬底下表面处的第一掺杂区域和上表面处的第二掺杂区域阵列，第二掺杂区域阵列包括间隔设置的至少两个第二掺杂区域；与第二掺杂区域交替设置的隔离覆盖结构，该结构与相邻的两个第二掺杂区域的连线相交，并且每个第二掺杂区域的上表面由两侧的隔离覆盖结构限定出第二开口；以及位于第二开口中的pin接触电极。能够减少耗尽电场的横向扩展，削弱表面反型漏电，从而大幅提升上述传感器中由第二掺杂区域、半导体衬底和第一掺杂区域和pin接触电极构成的像素单元的耗尽电压与工作电压，可以通过增加工作电压来增加信号的响应速度。
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