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公开(公告)号：CN108206319A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711268056.5
申请日：2017-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01P1/207 , B81B7/02 , B81C1/00531 , B81C1/00539 , H01P11/007
Abstract: 本发明提供一种悬浮结构微波滤波器，包括：上层硅片，上层硅片的下表面刻蚀有凹腔，用于形成封装帽结构；下层硅片，下层硅片的上表面沉积有介质薄膜，介质薄膜上形成有交指电极图形；其中，下层硅片上表面的介质薄膜下方的硅衬底被去除，形成介质薄膜的悬浮状态，上层硅片和下层硅片通过对准键合工艺堆叠组装。本发明能够实现体积小、损耗低、高性能的微波滤波器。
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公开(公告)号：CN101441410B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710177797.2
申请日：2007-11-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作纳米级图形的方法，该纳米级图形是将图形数据转化成二进制信号控制微动台二维x-y方向的运动和金属尖端电压的加载，利用尖端加载电压后产生的电子束对电子抗蚀剂进行曝光获得的，包括：在样品表面涂上一层电致抗蚀剂薄膜，在微动台上固定金属微尖端；将涂有电致抗蚀剂薄膜的样品加载到微动台上，与微尖端保持一定的距离；将装载有金属尖端和样品的微动台放置到真空腔体中，并利用真空泵对腔体抽真空；利用软件编程将被加工图形数据转换成二进制信号，用该二进制码控制微动台做二维x-y方向的运动，并给金属微尖端加载电压，通过在强电场下尖端发射的低能电子束对电子抗蚀剂进行曝光；对曝光后的样品进行显影、定影。本发明有效地解决了浸没式光刻成本高和聚焦电子束存在邻近效应影响分辨率的问题。
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公开(公告)号：CN1885438B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200510011987.8
申请日：2005-06-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 微尖端线列器件，由单晶硅材料的夹持端、附着有鉻和金的氮化硅悬臂梁、镍金属的微尖端构成。本发明的微尖端线列器件，各微尖端可以通过外电路并行控制或分别控制；使用 晶向的单晶硅作为衬底制造，成本低廉；通过标准微电子机械(MEMS)工艺加工，成品率高；可以并行完成扫描隧道显微镜所能胜任的所有任务，如：材料表面并行探知、材料表面并行微米/纳米级加工、高密度存储等。
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公开(公告)号：CN101538006A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910301822.2
申请日：2009-04-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明是关于一种光调制热成像焦平面阵列的制作方法，包括如下步骤：步骤1.在单晶硅片上表面制造重掺杂层；步骤2.按照预设图案，在单晶硅片上表面刻蚀沟槽；步骤3.在沟槽内壁覆盖氧化硅层；步骤4.生长非晶硅填满沟槽；步骤5.在单晶硅片上表面覆盖薄膜层A；步骤6.在薄膜层A上覆盖金属层；步骤7.按照预设图案，刻蚀金属层；步骤8.按照预设图案，刻蚀薄膜层A；步骤9.按照预设图案，从硅片背面腐蚀单晶硅；步骤10.按预设图案，腐蚀掺杂层，得到带硅支撑框架的全镂空结构光调制热成像焦平面阵列。
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公开(公告)号：CN100509610C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510086971.3
申请日：2005-11-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件制备技术领域，特别是一种MEMS振动射流执行器芯片的制备方法，方法包括：1、采用低压化学气相沉积的方法在硅衬底双面生长氮化硅膜；2、在硅基片正面光刻出上电极图形；3、蒸发铬/金薄膜；4、超声剥离；5、掩蔽刻蚀；6、在硅基片背面光刻腐蚀窗口图形；7、胶掩蔽刻蚀背面腐蚀窗口上的氮化硅；8、湿法腐蚀释放拍动片结构；9、在第二片硅片上满片蒸发铬/金薄膜；10、在第二片硅片的金膜表面涂光学光刻胶；11、将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第二片硅片粘合；12、划片成线列器件；13、分别在上下硅片的金膜上焊接电极引线。应用于小型无人飞行器上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276705A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710064876.2
申请日：2007-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及射频微机电系统技术领域，公开了一种双稳态单晶硅梁射频微机电系统开关，该射频微机电系统开关包括电磁驱动部分和悬臂梁可动部分，电磁驱动部分和悬臂梁可动部分采用对准键合方式结合在一起；电磁驱动部分具有铁心铁壳和永磁体，通过在平面线圈加电流产生的磁场与永磁体的磁场相叠加来改变整体磁场的方向，从而使悬臂梁可动部分动作，实现触点通断。利用本发明，该射频微机电系统开关工作电压比较低，驱动力大，工作次数高，功耗比较低，接触电阻小隔离度高，控制电路简单，适用于较大功率射频通讯电路。
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公开(公告)号：CN101274742A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710064861.6
申请日：2007-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B81C5/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种抗水流冲击的体硅腐蚀配套设备，尤指一种对MEMS体硅腐蚀设备——恒温腐蚀设备和恒温加超声腐蚀设备的缺陷加以改进的体硅腐蚀配套设备。本发明中，被固定的腐蚀槽的底部设有与具有开关的导流管的一端连通的开口，导流管的另一端连接到腐蚀液容器，且放置硅片的石英架固定在腐蚀槽的靠近敞口的位置；所述腐蚀槽的内部空间呈几何对称，且腐蚀槽的竖直对称轴通过所述腐蚀槽底部开口的中心；所述石英架上放置有硅片时，硅片的中心对称轴与所述腐蚀槽的竖直对称轴重合。本发明还可以在所述腐蚀槽中在硅片两侧对称地设置有加热器。由此，在硅片两侧可以形成对称的水流流速场和压力场，并可以避免对硅片的不必要的热冲击。
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公开(公告)号：CN100387509C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510090179.5
申请日：2005-08-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种用于提高非制冷红外焦平面阵列器件性能的制作方法，步骤如下：在双抛光 硅基片双表面淀积上氮化硅薄膜和下氮化硅薄；在下氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面阵列腐蚀窗口图形；府蚀减薄硅基片，形成倒梯形缺口；清洗处理表面，在背面的倒梯形缺口和下氮化硅薄膜的表面上淀积氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上光刻、刻蚀，形成背面单元腐蚀窗口图形；在上氮化硅薄膜上光刻，刻蚀，形成非制冷红焦平面阵列图形；在非制冷红焦平面阵列图形上光刻，蒸金薄膜，剥离，形成间隔镀金图形；腐蚀硅基片，形成单元镂空式非制冷红外焦平面阵列器件。
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公开(公告)号：CN101140185A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610112884.5
申请日：2006-09-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种非制冷红外焦平面阵列探测器，包括：由双层氮化硅SiNx薄膜分别形成的支撑结构和微反射镜结构，支撑结构同时也作为红外辐射吸收层，用于吸收红外辐射；微反射镜结构用于与支撑结构形成红外吸收共振腔，吸收红外辐射，提高支撑结构对于红外辐射的吸收效率，同时还作为光学读出的反射镜；所述支撑结构和微反射镜结构通过SiNx材料连接。本发明同时公开了一种非制冷红外焦平面阵列探测器的制作方法。利用本发明，由于支撑结构同时充当红外辐射吸收层，微反射镜结构背面金属可以反射红外辐射，所以大大提高支撑膜对于红外辐射的吸收效率和填充因子。另外，本发明还提高了系统探测极限灵敏度。
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公开(公告)号：CN1900668A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200510012238.7
申请日：2005-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 基于真空粘合工艺的热剪切应力传感器器件的制作方法，涉及微电子技术领域，该方法包括步骤：1.在双抛光1# 硅基片双表面淀积氮化硅薄膜；2.在正面氮化硅薄膜上淀积多晶硅薄膜，进行硼掺杂，光刻，刻蚀多晶硅薄膜，清洗处理表面；3.正面光刻，蒸金，剥离，形成布线图形；4.在背面氮化硅薄膜上光刻、刻蚀氮化硅薄膜，形成背面腔体和划片槽腐蚀窗口图形；5.正面保护，腐蚀背硅，形成腔体和划片槽；6.将单抛光2# 硅基片划片；7.将1－5步操作后的1#硅片划片；8.将划好的1#硅片背面与划好的2#硅片的抛光面真空粘合。
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