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公开(公告)号：CN108206319A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711268056.5
申请日：2017-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01P1/207 , B81B7/02 , B81C1/00531 , B81C1/00539 , H01P11/007
Abstract: 本发明提供一种悬浮结构微波滤波器，包括：上层硅片，上层硅片的下表面刻蚀有凹腔，用于形成封装帽结构；下层硅片，下层硅片的上表面沉积有介质薄膜，介质薄膜上形成有交指电极图形；其中，下层硅片上表面的介质薄膜下方的硅衬底被去除，形成介质薄膜的悬浮状态，上层硅片和下层硅片通过对准键合工艺堆叠组装。本发明能够实现体积小、损耗低、高性能的微波滤波器。
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公开(公告)号：CN103241705B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201210024545.7
申请日：2012-02-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种硅腐蚀局部终止层制作方法，包括：在含硅的衬底中形成双槽结构，双槽结构之间的衬底构成硅基热沉；对双槽结构底部进行垂直离子注入；执行高温激活和扩散工艺，使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区，所述重掺杂区包围硅基热沉的底部，构成硅腐蚀局部终止层。依照本发明的方法，使用垂直离子注入、经高温激活和扩散工艺在双深槽底部间形成闭合重硼掺杂硅区，利用腐蚀溶液对重掺杂硅区的腐蚀速率大幅度下降特性，实现腐蚀溶液腐蚀硅的腐蚀局部终止层，最终实现完整的硅基热沉制备。其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容、并可以自由选择腐蚀终止区、缓解KOH溶液释放工艺中对于硅腐蚀表面粗糙度的要求等。
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公开(公告)号：CN102222643B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110172941.X
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种集成电路制作过程中冗余金属填充的方法，涉及半导体器件技术领域，能够减小因冗余金属填充带来的耦合电容的影响，该方法包括：在包含介质层的半导体基片上分别形成互连线沟槽和冗余金属沟槽，所述冗余金属沟槽的深度小于所述互连线沟槽的深度；对所述互连线沟槽和所述冗余金属沟槽进行电镀并对电镀表面进行平坦化处理，形成厚度小于互连线金属厚度的冗余金属。本发明还公开一种半导体器件，所述半导体器件包括多层互连结构，每层所述互连结构包括介质层和在所述介质层上制成的互连线金属和冗余金属，其中，所述冗余金属厚度小于所述互连线金属厚度。本发明用于集成电路制作。
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公开(公告)号：CN102427046A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110391416.7
申请日：2011-11-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/768 , G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种电化学淀积结果确定方法，将设计有沟槽的晶圆介质表面进行版图网格划分，根据测量获得所述网格内所有图形的特征参数，确定所述网格版图特征，根据当前计算网格及周围网格的版图特征，对网格版图电化学淀积最终形貌所属填充类型进行判定，根据电化学淀积金属工艺参数和所述网格版图所属类型，确定与版图特征相关的修正因子，计算网格内金属淀积量V、非沟槽区域介质表面金属厚度H和图形中沟槽区域沟槽与非沟槽区域金属表面高度差S，确定网格内金属的电化学淀积结果。本发明的方法通过引入与版图特征相关的修正因子，能够比较准确地预测电化学淀积后晶圆表面的淀积结果。
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公开(公告)号：CN102426618A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110336647.8
申请日：2011-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明实施例提出了一种集成电路版图表面平坦性的处理方法，所述集成电路版图包括互连线和冗余金属，其中所述互连线之间的冗余金属的密度不变，调整所述冗余金属的分布，提高所述集成电路版图表面平坦性。本发明实施例另一方面还提出了一种集成电路版图。本发明提出的方案，通过考量冗余金属本身的因素对表面平坦性的影响，降低版图表面的碟形缺陷、侵蚀，提高产品可靠性和良率。此外，本发明提出的上述方案，对现有集成电路设计的改动不大，而且实现简单、高效。
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公开(公告)号：CN102385656A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110337196.X
申请日：2011-10-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明实施例提出了一种集成电路版图冗余金属填充的方法，所述集成电路版图包括信号线和冗余金属，其中所述信号线之间的冗余金属的密度不变，调整所述冗余金属的分布，减小所述冗余金属对信号线耦合电容的影响。本发明实施例另一方面还提出了一种集成电路版图。本发明提出的方案，通过考量冗余金属对互连线耦合电容的影响，减小冗余金属对信号线耦合电容的影响，降低冗余金属对时序的收敛性和信号的完整性的影响，提高产品的可靠性。
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公开(公告)号：CN102222643A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110172941.X
申请日：2011-06-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/321 , H01L23/522
Abstract: 本发明公开了一种集成电路制作过程中冗余金属填充的方法，涉及半导体器件技术领域，能够减小因冗余金属填充带来的耦合电容的影响，该方法包括：在包含介质层的半导体基片上分别形成互连线沟槽和冗余金属沟槽，所述冗余金属沟槽的深度小于所述互连线沟槽的深度；对所述互连线沟槽和所述冗余金属沟槽进行电镀并对电镀表面进行平坦化处理，形成厚度小于互连线金属厚度的冗余金属。本发明还公开一种半导体器件，所述半导体器件包括多层互连结构，每层所述互连结构包括介质层和在所述介质层上制成的互连线金属和冗余金属，其中，所述冗余金属厚度小于所述互连线金属厚度。本发明用于集成电路制作。
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公开(公告)号：CN102130043A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010615066.3
申请日：2010-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/82 , G06F17/50
Abstract: 本发明提出一种半导体制造工艺的填充冗余金属的方法，通过结合模拟平坦性和提取金属线间电容，以对冗余金属填充进行评估和调整，并且通过多次迭代过程消除电路版图的所有平坦性热点和电容热点，从而既能够确保CMP后的电路版图厚度的一致性，以提高芯片的良率，又能够防止芯片的功能因为冗余金属的引入而遭到破坏，以确保电路版图中金属线的信号完整性。
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公开(公告)号：CN102024083A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010589347.6
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提出一种通过建立电容查找表快速提取含有冗余金属的互连结构的电容的方法。通过对多个互连结构提取几何参数、进行冗余金属填充并在填充后进行电容提取以建立电容查找表；然后对于需要进行电容提取的电路版图进行结构单元划分和几何参数提取，根据提取出的每个结构的单元几何参数查询上述电容查找表，获得该结构单元的实际电容。本发明解决了现有的2.5D电容提取工具无法准确提取含有冗余金属的互连结构的电容以及3D电容提取工具提取时间过长的问题。本发明提出的方法既能够确保提取出的电容精确度符合要求，又能够确保电容提取消耗的时间在可以接受的范围内。
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公开(公告)号：CN100500924C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610109562.5
申请日：2006-08-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米晶薄膜的制备方法，该方法包括：A、在绝缘衬底上淀积一层金属薄膜；B、在惰性气体中高温快速退火，形成分离的金属纳米晶薄膜。利用本发明制备的金属纳米晶薄膜，具有很好的电荷俘获和存储特性，能够与传统的硅平面工艺兼容，非常适合于适于制作高性能的半导体存储器件。利用本发明提供的制备金属纳米晶薄膜的方法，大大简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效率，非常有利于本发明的广泛推广和应用。
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