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公开(公告)号：CN108206319A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711268056.5
申请日：2017-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01P1/207 , B81B7/02 , B81C1/00531 , B81C1/00539 , H01P11/007
Abstract: 本发明提供一种悬浮结构微波滤波器，包括：上层硅片，上层硅片的下表面刻蚀有凹腔，用于形成封装帽结构；下层硅片，下层硅片的上表面沉积有介质薄膜，介质薄膜上形成有交指电极图形；其中，下层硅片上表面的介质薄膜下方的硅衬底被去除，形成介质薄膜的悬浮状态，上层硅片和下层硅片通过对准键合工艺堆叠组装。本发明能够实现体积小、损耗低、高性能的微波滤波器。
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公开(公告)号：CN102386268B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201010267967.8
申请日：2010-08-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种红外焦平面阵列器件，包括：衬底；空腔，位于所述衬底内；红外传感层，悬空于所述空腔的上方；悬臂梁，悬空于所述衬底上方，一端与衬底固定连接，另一端与红外传感层固定连接；红外反射层，遮盖于所述红外传感层的上方并且与红外传感层之间具有共振腔，通过支撑柱与所述红外传感层连接。相应的，本发明还提供一种红外焦平面阵列器件的制作方法。本发明提供的红外焦平面阵列器件及其制作方法采用红外传感层以及在其上制作专门的红外反射层的方式来制作红外吸收结构，红外反射层为简单的膜层结构，这样一来，既增加了红外反射层的面积，提高红外吸收效率，同时也降低的红外吸收结构的制作难度，有利于大规模生产制造，降低成本。
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公开(公告)号：CN102384790B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010267981.8
申请日：2010-08-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Inventor： 欧文
IPC: G01J5/14
Abstract: 本发明提供一种热电堆红外传感器及其制作方法，所述热电堆红外传感器包括：衬底，所述衬底内具有沟槽；吸收层，位于所述衬底上方；反射层，位于所述沟槽外的衬底表面，与所述吸收层之间具有空腔；热电偶对组成的悬臂梁，位于所述沟槽的上方，所述热电偶对的冷端与衬底连接，热端通过支撑柱与其上方的吸收层连接。所述沟槽内表面具有释放阻挡层。由于采用共振吸收方式来提高红外吸收效率，反射层、吸收层及其介质层为常规IC工艺中所用的材料和工艺制作，因此，可以很容易的与现有IC工艺兼容，降低制作成本，有利于大范围的推广应用。
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公开(公告)号：CN102637656A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110036024.9
申请日：2011-02-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 一种穿硅通孔结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的上表面和下表面；对所述半导体衬底的上表面进行刻蚀，形成开口；在所述开口中沉积填充可刻蚀的导电材料，形成连接钉；对所述半导体衬底的下表面进行减薄，至暴露出所述连接钉。本发明有利于提高穿硅通孔结构的可靠性，而且可以适用于多种半导体生产线。
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公开(公告)号：CN102376813A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010262233.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种非制冷红外探测器件及其制造方法，包括：包含有绝缘层的衬底；所述衬底上的SiGe层，所述SiGe层中包括相邻的P型区和N型区。相应的，本发明还提供另一种非制冷红外探测器件，包括：SOI衬底，所述SOI衬底具有N型顶硅层；所述N型顶硅层上的P型SiGe层，所述P型SiGe层采用选择性外延生长。发明采用SiGe材料来制作二极管的P型区，形成SiGe PN结二极管或者SiGe/Si异质结二极管来降低工作电压，由于SiGe材料根据Ge的组分变化其禁带宽度在0.66-1.12eV间变化，相对于单晶硅二极管而言，SiGe材料的禁带宽度更窄，由此形成PN结二极管更容易激发，从而提高电压温度响应系数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102998002B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201110273965.4
申请日：2011-09-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01J5/08 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种红外焦平面阵列，包括多个红外探测单元，所述红外探测单元包括衬底、光敏元件和聚能微透镜，所述光敏元件悬空于衬底上，光敏元件的光敏吸收层覆盖在光敏元件的电路层上，所述的聚能微透镜悬空于光敏元件的光敏吸收层上方，通过微透镜支撑柱与光敏元件连接。相应的，本发明还提供一种红外焦平面阵列的制作方法。本发明的红外焦平面阵列在光敏元件阵列的正向集成了聚能微透镜，所述聚能微透镜将入射在其上的红外光线直接汇聚到光敏元件的红外吸收层，不会被红外吸收层下方的电路层吸收而造成红外焦平面的吸收因子降低。本发明的制作过程不会破坏光敏元件的性能。
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公开(公告)号：CN102789010B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201110126266.7
申请日：2011-05-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种双面微透镜阵列及其制造方法，其中，所述双面微透镜阵列，包括：双面微透镜组成的阵列，其中，阵列中每个双面微透镜包括上层微凸透镜和下层微凸透镜；每个双面微透镜中上层微凸透镜和下层微凸透镜为中心一一对应排列形式，对应的上层微凸透镜和下层微凸透镜之间贴合在一起。通过本发明实施例，可以增大微透镜阵列的视场角并缩短微透镜阵列的焦距。
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公开(公告)号：CN104638975A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310552855.0
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明提供一种振动能量采集器，包括框架、支撑梁、质量块、导体层和压电薄膜；其中：质量块，形成在支撑梁间且与支撑梁为一体结构；支撑梁，形成在框架内且两端悬挂固定于框架上；导体层，形成在质量块、支撑梁以及框架上且相互连通；压电薄膜，形成于支撑梁和质量块的导体层上。本发明的器件在振动中支撑梁发生弯曲变形，弯曲变形是与振幅相关的非线性形变，由于压电薄膜同支撑梁和质量块一同发生非线性形变，使得在较宽的振动频率范围内，器件都可以输出电信号，有效提高了振动能量采集器的性能。
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公开(公告)号：CN103840075A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210493270.1
申请日：2012-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L41/113 , H01L41/22 , B81B3/00 , B81C1/00
Abstract: 本发明设计一种新型MEMS压电振动能量收集器的结构及其制备方法，其包括双抛衬底；双面衬底保护层；正面金属导电层(底)作为输出底电极；金属上层制备图形化后的导电胶；PZT压电片通过导电胶键合在硅片底电极；整片覆盖顶电极金属导电层(顶)；KOH通过背面衬底保护层窗口腐蚀，释放出不含Si以环氧树脂为主的悬臂梁结构；划片释放出悬臂梁-质量块结构。本发明结构简单易于实现，便于批量生产，敏感度，输出电平、功率高，适用范围广，安全可靠。
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公开(公告)号：CN102789010A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110126266.7
申请日：2011-05-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种双面微透镜阵列及其制造方法，其中，所述双面微透镜阵列，包括：双面微透镜组成的阵列，其中，阵列中每个双面微透镜包括上层微凸透镜和下层微凸透镜；每个双面微透镜中上层微凸透镜和下层微凸透镜为中心一一对应排列形式，对应的上层微凸透镜和下层微凸透镜之间贴合在一起。通过本发明实施例，可以增大微透镜阵列的视场角并缩短微透镜阵列的焦距。
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