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公开(公告)号：CN114334592A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061620.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种污染物粒子收集板以及离子注入装置，包括板体，所述板体包含石墨材质，所述板体至少部分表面构成为锯齿状。本申请中的污染物粒子收集板可以降低离子束中污染物颗粒的行进速度，进而从离子束中收集污染物粒子。
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公开(公告)号：CN113675296B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110796275.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够降低探测器晶圆的暗电流，并提高其击穿电压，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN114623297A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011435812.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种管件。所述管件包括：第一管体，所述第一管体的一端设有第一连接端；第二管体，所述第二管体的一端设有第二连接端，所述第一连接端与所述第二连接端螺纹连接；第一密封件，所述第一密封件设置在所述第一连接端与所述第二连接端之间，所述第一密封件的内径与所述第一管体的内径、所述第二管体的内径均相等；第二密封件，所述第二密封件设置在所述第一连接端与所述第二连接端之间，且所述第二密封件套设于所述第一管体。第一密封件能够防止气体泄漏，同时防止外界灰尘进入管体的内部，第二密封件用于防止从第一密封件处进入第一管体与第二管体之间的气体泄漏到管件的外部，从而进一步提高管件的密封性。
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公开(公告)号：CN114566413A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202011360191.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及一种绝缘子及其组成的离子源、离子注入装置。一种绝缘子，其特征在于，包括：一个立柱本体，所述立柱本体具有两个自由端：第一自由端和第二自由端；由第一自由端至第二自由端所述立柱本体具有不等值的直径，并且中心处的直径值最小。本发明的绝缘子具有更大的比表面积，能够延缓离子束的污染，使用周期更长。
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公开(公告)号：CN104934325B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410105802.9
申请日：2014-03-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的掺杂方法，其特征在于，包括：提供半导体结构；在半导体结构上形成氧化物薄膜，所述氧化物薄膜为B2O3或P2O5；进行热退火，退火温度高于600℃，以使得氧化物薄膜中的掺杂粒子扩散至半导体结构中；去除残余氧化物薄膜。本发明在实现保型掺杂的同时，不会对半导体结构造成损伤，减少不必要的损伤，减少漏电，提高了器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114566413B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202011360191.4
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明涉及一种绝缘子及其组成的离子源、离子注入装置。一种绝缘子，其特征在于，包括：一个立柱本体，所述立柱本体具有两个自由端：第一自由端和第二自由端；由第一自由端至第二自由端所述立柱本体具有不等值的直径，并且中心处的直径值最小。本发明的绝缘子具有更大的比表面积，能够延缓离子束的污染，使用周期更长。
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公开(公告)号：CN114382918A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011131259.1
申请日：2020-10-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种三通阀及半导体制造设备，其中，所述三通阀包括：阀座，所述阀座包括第一材料；旋转阀芯，所述旋转阀芯设置于所述阀座内，所述旋转阀芯的表面具有涂层，所述涂层的材料包括第二材料，所述第一材料和所述第二材料的摩擦系数小于预设值，由于第一材料和第二材料的摩擦系数小于预设值，即使长期的介质流向的转换，阀座与阀芯的摩擦系数较小，从而不容易导致阀座撕裂，解决了现有技术中三通阀门的阀座经常发生撕裂，导致介质外泄的技术问题。
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公开(公告)号：CN114520173A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011303570.X
申请日：2020-11-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/677
Abstract: 本申请属于半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体基盘装置及具有其的半导体真空过渡室，半导体基盘装置包括：基盘，基盘上设置有放置晶圆的晶圆盒；联轴机构，联轴机构包括设置于基盘的底部的联轴器和锁紧组件，联轴器的底部设置有防呆槽；支撑轴，支撑轴的顶部设置有与防呆槽配合的防呆凸起，基盘通过联轴器上的防呆槽安装至支撑轴的防呆凸起上，并通过锁紧组件锁紧联轴器与支撑轴。根据本申请的半导体基盘装置，通过在基盘的底部设置联轴机构，不仅能够达到快速拆装基盘与支撑轴的目的，还能够减少基盘与支撑轴的装配过程中出现错位或者倾斜现象。
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公开(公告)号：CN114429892A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011182424.6
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/075 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J9/04 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种热电子发射阴极及其组成的热电子和离子发射装置。一种热电子发射阴极，包括：热电子发射基底面；所述热电子发射基底面上分布有多个突起部。本发明提供的阴极具有更大的比表面积，释放热电子的面积更大，可以提高热电子的利用率，延长设备使用寿命。
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公开(公告)号：CN113675296A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110796275.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供了一种硅基探测器的制造方法及用于其的热处理装置，该制造方法包括：提供经流片完成后的探测器晶圆；将所述探测器晶圆进行真空加热处理。该制造方法通过增加真空加热处理工艺，对经流片完成后的探测器晶圆进行热处理，因而能够降低探测器晶圆的暗电流，并提高其击穿电压，提高了器件性能。
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