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公开(公告)号：CN115122230B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202110266654.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法，其中，抛光头包括：活动杆和压盘；所述活动杆与所述压盘固定连接，所述压盘用于将晶圆装载在所述压盘远离活动杆的一侧；所述压盘的内部设置有振动监测传感器，所述振动监测传感器用于监测晶圆在抛光过程中的振动情况，以获得振动信号；抛光头用于根据所述振动信号，调整对晶圆施加的压力大小。本发明能够精准的控制抛光头对晶圆施加压力的大小。
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公开(公告)号：CN114308798B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202011081313.6
申请日：2020-10-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种清洗组件，该清洗组件包括旋转支撑组件、设置在晶圆一侧的清洗装置。清洗装置包括第一喷头组件、第二喷头组件及超声波振动装置，第一喷头组件位于晶圆一侧且向晶圆表面喷淋清洗液；第二喷头组件与第一喷头组件位于晶圆的相同侧，第二喷头组件位于第一喷头组件的下方，第二喷头组件向晶圆表面喷淋清洗气体；超声波振动装置设置在第一喷头组件及第二喷头组件之间。第二喷头组件喷淋出的清洗气体能够阻挡从第一喷头组件喷淋到晶圆表面的清洗液向下流动，以在超声波振动装置及晶圆表面之间形成超声波振动装置向晶圆表面发射超声波的媒介。使清洗装置与晶圆表面没有物理上的接触，从而减少对晶圆表面的划伤，减少晶圆表面的划痕。
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公开(公告)号：CN115318755A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110507576.7
申请日：2021-05-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明公开一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，涉及半导体制造技术领域，以解决湿法清洗需要打开工艺腔，造成工艺时间增加，效率降低的问题。一种等离子体掺杂工艺腔的清洁方法，该等离子体掺杂工艺腔的清洁方法包括：获取所述工艺腔的污染程度。当所述工艺腔的污染程度满足轻度污染程度时，在第一工艺条件下，向所述工艺腔内通入第一工艺气体，利用第一工艺气体对所述工艺腔进行清洗。当所述工艺腔的污染程度满足重度污染程度时，在第二工艺条件下，向所述工艺腔内通入第二工艺气体，利用第二工艺气体对所述工艺腔进行清洗。本发明提供的等离子体掺杂工艺腔的清洁方法用于清洗等离子体掺杂工艺腔。
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公开(公告)号：CN115122230A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202110266654.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种抛光头、抛光装置和抛光方法，其中，抛光头包括：活动杆和压盘；所述活动杆与所述压盘固定连接，所述压盘用于将晶圆装载在所述压盘远离活动杆的一侧；所述压盘的内部设置有振动监测传感器，所述振动监测传感器用于监测晶圆在抛光过程中的振动情况，以获得振动信号；抛光头用于根据所述振动信号，调整对晶圆施加的压力大小。本发明能够精准的控制抛光头对晶圆施加压力的大小。
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公开(公告)号：CN114678283A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011568032.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/62 , H01L23/64 , H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种电容器电解质膜的制备方法，包括以下步骤：在电容器下部电极上淀积电解质膜；降低反应室内的压强；对所述电解质膜进行至少一次再处理，所述再处理包括反应前驱体处理和/或氧化处理，所述反应前驱体处理包括：向反应室内供应电解质膜的前驱体，然后进行吹扫。本申请依次对电解质膜进行若干次处理工艺以及远程等离子体处理，解决了电解质膜的厚度不均匀以及改善了电解质膜表面的Zr空位、O空位的问题，提升了电解质膜的击穿电压，进而降低了电容器漏电发生的可能性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114657540A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011551936.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种在衬底表面形成膜的方法，包括以下步骤：将前驱体气化成前驱体蒸气；在前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中，通过先压缩再膨胀提高前驱体蒸气的供气流量，以在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。提高了前驱体蒸气的供气流量，这样可以将前驱体蒸气输送到衬底中心以及沉积腔室的顶部区域，避免衬底中心前驱体蒸气供应不足，从而在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。
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公开(公告)号：CN114656609A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011555083.2
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种研磨垫材料，包括：以异氰酸酯、多元醇为原料制备的具有多种化学链长度的聚酯，其中所述多元醇至少部分为以具有电特性的功能材料为原料制备的多元醇。还提供一种研磨垫，包括：研磨层，采用研磨垫材料制成，所述研磨垫材料以异氰酸酯、多元醇为原料制备的具有多种化学链长度的聚酯，其中所述多元醇至少部分为以具有电特性的功能材料为原料制备的多元醇。本发明提供的技术方案能够使研磨垫具有任意电特性，从而能够适应多种材料膜层的研磨。
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公开(公告)号：CN114473852A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011173863.0
申请日：2020-10-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B24B37/11 , B24B37/20 , B24B57/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开一种抛光头及化学机械平坦化设备，涉及半导体制造技术领域，用于将抛光液进行引导流向抛光头，提高抛光液的使用率，节约抛光液的使用成本。所述抛光头包括：保持环；引导杯，引导杯设置在保持环的外围；引导杯包括杯壁，以及开设在杯壁上的至少一个通槽，通槽用于流通抛光液。所述化学机械平坦化设备包括上述技术方案所提的抛光头。本发明提供的抛光头及化学机械平坦化设备用于对半导体进行加工。
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公开(公告)号：CN114425743A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011173862.6
申请日：2020-10-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开一种抛光垫及化学机械抛光设备，涉及化学机械抛光技术领域，在延长抛光垫使用时间的情况下，降低更换抛光垫的频次，提高抛光效率。该抛光垫包括抛光层。抛光层包括至少两个高度不同的抛光部。本发明还提供一种应用于上述抛光垫的化学机械抛光设备。
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公开(公告)号：CN114334592A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011061620.8
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种污染物粒子收集板以及离子注入装置，包括板体，所述板体包含石墨材质，所述板体至少部分表面构成为锯齿状。本申请中的污染物粒子收集板可以降低离子束中污染物颗粒的行进速度，进而从离子束中收集污染物粒子。
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